（2）高频特性要好，功率增益要大。大家知道，共射电路的β是随着频率增大而等比例下降的，即频率f乘β等于一常数，如图4所示。这个常数就是特征频率f\(_{T}\)。由于β=1时，f=fT，所以也可说，f\(_{T}\)是指β减至1时的频率。另外，必须指出，每个晶体管在不同的静态工作条件下，fT值是不同的，如图5所示。
对于高频道的高频放大管的f\(_{T}\)要求在500MHz以上，否则高频道增益会太小。使高低频道增益相差太多。
除了f\(_{T}\)外，还要求管子的集电结电容Cc小。因为在一般共射极放大电路中，此电容是跨接在输出端（集电极）与输入端（基极）之间，成为晶体管高频工作时的一条内反馈途径。它会起到如下的不良影响：首先是带来负反馈。其次，总负载不是纯电阻，则在某些频率上可能转成正反馈，引起电路不稳定，以致产生自激振荡。此外，C\(_{c}\)会使放大器的输入阻抗Zsr受负载阻抗Z\(_{fz}\)的影响，或反过来输出阻抗Zsc受信号源内阻Z\(_{x}\)的影响。于是，调节负载回路（即改变Zfz）时Z\(_{sr}\)也跟着改变，而使放大器的输入回路失谐。在重新调谐输入回路（即改变Zx）时，又会影响Z\(_{sc}\)，而使放大器输出端失配，结果是调整起来十分麻烦。
（3）高放管通常应具有正向AGC特性，也即当AGC电压使集电极工作电流增大时，β应减小。β随着I\(_{c}\)增大而下降的特性要比普通高频管显著。
2．双调谐回路
双调谐回路有下述特点：当耦合较松，其耦合系数K小于1时，其频率特性是单峰的，输出辐度也小。
当初次级耦合加紧，至耦合系数K=1时，输出电压增至最大，但曲线仍为单峰。如果再加紧耦合，频率特性曲线会变成双峰，且两峰之外侧很陡。所以K=1时的耦合叫临界耦合。
如耦合继续加紧，双峰间的凹谷将随之变深。不同耦合系数K时的频率特性如图6所示。
通常高放级输出双调谐回路的频率特性要求如图7那样的形状。在调试时，最好用扫频仪监测（例如BT3），同时改变两线圈的耦合度和线圈的自感量（使线圈伸长或缩短），以达到要求的技术指标。
3．中和电路
为消除高放管内部反馈，一般在高放级中加有中和电路。所谓中和就是给基极人为地加一个反馈电压，使这个电压和内反馈电压相位相反，大小相等。为了便于分析，可将图3的中和电路画成图8那样的等效电路。此电路实为一电桥，故只要电桥平衡，b、e两点（即高放管输入端）和C、N两点（高放管输出端）就互不影响。平衡的条件是C\(_{N}\)·C3=C\(_{c}\)·C4，即C\(_{N}\)=C4C\(_{3}\)·Cc。所以，只要选取适当的C\(_{N}\)值，即可满足平衡条件。CN一般为数微微法，在实践中调试决定，且以高频道为准。这样，在低频道时会稍有过中和。故附带可平均高、低频道的增益。
近年来，由于高频管的C\(_{c}\)可做得很小，所以有些电视机中就不用中和电路。
4．AGC特性
由于晶体管工作动态范围小，如果输入信号电平太高，就易使管子过载而失真。所以高放级和中放级都加有自动增益控制电路（AGC），使在末级中放输入端电平，在天线中信号强弱在一定范围内变化时，都能基本上保持不变。同时，为了充分发挥高放级的作用，使在弱信号时AGC不起作用，即一般常采用延迟式AGC。这样的电路可以不减低信噪比。
一般，整机要求有60～70分贝左右的AGC作用量，分配给中放40分贝左右，高效20多分贝左右。因此，高放管必须有30来分贝的增益变化量。在这个范围内，当I\(_{c}\)变化时，不应显著地引起频率特性的明显变化。
四、本机振荡器
超外差式电路的基本特点是将接收到的高频信号进行变频，都变成一个固定的中频。要进行变频，就必须有一个混知器和本机振荡器。这两种任务可以在一个管子内完成，也可用两个管子分别担任。在电视机中则多由两管分别工作。这样便于使混频管和本机振荡管各自工作于最合适的状态。
图9（a）是一般共基电容三点式振荡器的基本电路。它的交流等效电路如图9（b）。由图可知，反馈量的大小决定于C\(_{F}\)与CE的比值。只要反馈足够强，电路便会产生自激振荡。据分析，这电路的起振条件是β≥\(\frac{C}{_{E}}\)CF。在谐振回路的品质因数Q很大的情况下，振荡频率f\(_{0}\)≈1/2π\(\sqrt{L}\)CEC\(_{F}\);CE+C\(_{F}\)（未考虑管子的结电容及布线电容等因素）。
在一般12频道的电视接收机里，要求本振频率达84～250兆赫左右，故C\(_{E}\)、CF不能用得较大，从而使晶体管的结电容将会影响频率稳定度。这是因为结电容会随电压、温度等改变。
为了克服这一缺点，目前多用改进型的电容三点振荡电路（克拉泼电路），其交流等效电路如图10。此电路的特点是在电感支路中串入一个小电容。显而易见，在这个电路中的频率为f\(_{0}\)≈1/2π\(\sqrt{L}\)(\(\frac{1}{1/C+1/C}\)E+1/C\(_{F}\))。如取C《CE及C\(_{F}\)，则可简化成f0≈1/2πLC，就是说振荡频率基本上取决于L及C，而C\(_{F}\)、CE对频率关系不大。因之C\(_{E}\)、CF可选很大些，使晶体管结电容的影响相对减小。另外，C\(_{F}\)、CE可只根据振幅条件来选取，而不考虑频率。这种电路的频率漂移量可做在±200KHz以内，基本可满足本机振荡的要求。
实用改进型电容三点振荡电路如图11所示。振荡管的要求与高放管差不多，但在噪声方面可比高放管降低要求。具体地说，f\(_{T}\)＞500MHz，β=20～150。工作状态通常在保证振荡波形好的前提下，Ic小一点，一般取I\(_{c}\)＝1.5～4mA。图11中的电感由L及L′并联而成，L是主线圈，L′是用以微调的，其中可调磁心在面板上有调节钮。调节L′磁心在低频道可使本振频率变动±3兆赫；在高频道可改变±1.5兆赫。
图中的CM为输出耦合电容，为了不使振荡器负载过重，采用松耦合，故CM值用得较小，约2PF左右。
本振频率的稳定度是高频头的一项指标，一般规定漂移量Δf应在±200KHz之内。若用相对值\(\frac{Δf}{f}\)\(_{0}\)来衡量的话，在第12频道上为200×10\(^{8}\);250.5×106≈8×10\(^{-}\)4
为了保证获得足够的频率稳定度，除元器件、工艺、电路等附合要求外，还要保证供电电压的稳定。有些电视机中还采用自动频率微调电路（AFT），提高频率稳定度，并可省去手动微调机构。
五、混濒器
混频器的任务，如上所述，是将高频电视信号转变成特定的中频。变频的结果并不应改变信号的包络形状和调制系数，只是频率变了，幅度也有所提高（见图12）。图中U\(_{sr1}\)是接收到的高频信号电压，Usr2是本机振荡电压，U\(_{sc}\)是混频器输出的中频电压。
对混频器的要求，大致有三点：（1）较高的混频效率和中频增益——合起来说就是变频功率增益（即中频信号输出功率和输入高频信号功率之比）；（2）要保证所需的通频带；（3）信杂比高。
混频级可以是共基电路，也可用共射电路，高频信号和本振信号可以分别从基极和发射极注入，或同时注入基极。图13是上述几种方式的示意图。
不论哪种形式，中频信号u\(_{i}\)都从集电极输出。这几种电路的优缺点如下：
图13（a）、（c）的电路中，所需本振电压较小，但高放输出和本机振荡会相互影响。例如当调节高放和混频的耦合回路时，会影响本振频率。相反，改变本振回路参量时，也会影响耦合回路的特性。
图（b）、（d）的电路中，高频信号和本振间相互干扰小，但需要较高的本振电压。
实践中常用的是图（a）和图（c）两种。为了减小信号和本振间的相互干扰，本振耦合电容较小（一般约2PF）。图（a）的共射电路由于功率增益高，用得较广泛。
实用的混频器电路如图14。L\(_{3}\)、C3、C\(_{4}\) 组成π形输出回路。混频三极管的作用是利用发射结的非线性进行混频，使产生差频或和频；再利用三极管的放大功能，将差频（或和频）进行放大。为了使混频作用显著，应利用非线性显著之处，故Ic小。但为了使混频管能对中频信号有较大的放大能力，I\(_{c}\)应稍大一些。不过混频管的主要作用是混频，故应以照顾混频为主，适当照顾放大，一般Ic取1—2毫安，U\(_{ce}\)约8～10伏。
混频器的输出电路主要是完成下述两种任务：（1）保证有良好的选择性和带宽；（2）与中放的阻抗相匹配。由于结构上的原因高频头与中放一般都离得较远，故多用75Ω电缆连接。考虑到这两个任务，混频器输出多采用双回路耦合回路。
衡量混频器性能的一个重要指标是变频增益K\(_{p}\)，而变频增益的大小是与本振注入电压Uo及管子的I\(_{e}\)（或Ic）有关，它们的大致关系如图15所示。一般的增益可达10dB以上。
另外，混频管的噪声系数也要注意，且它也与I\(_{e}\)、Uo有关，其最佳值大体上与获得最大K\(_{p}\)时相差不多。
六、频道转换机构
由于转换频道时要同时转换好多接点，且要保证接线最短，故其结构要特加考虑，一般常见的有转鼓型和转盘型两种。电子管式的多用转鼓式，晶体管的多用转盘式。图16是这两种结构的示意图。
在转鼓式中，各线圈都放在“鼓”中；在转盘式中各线圈放在各转盘上。第四片上装输入回路；第三片上装高放——混频耦合回路初级线圈，第二片上装次级线圈；第一片上装本振线圈。由于各段线圈都或多或少地为若干个频道所公用，且各线圈相互都很靠近，相互都有牵连。所以在调试时总是从高频道调起，然后由高到低顺序调整。若先调低频道，在调高频道时会破坏低频道的调谐。
为了防止干扰和本振源外泄，高频头往往作成一个单独单元且加以屏蔽。
七、高频头实例
图18是一个高频头实例，它的原理前面都已介绍了，这里仅补充两点。
1．宽频带阻抗变换器
为能适应75Ω的和300Ω的天线，一般高频头中多装有300∶75Ω的阻抗变换器。变换器的磁心是用椭圆形双孔磁心，在每个孔中双线并绕两个线圈，共四个线圈，如图18中的L\(_{0}\)01～004，每组线圈4～5匝。
在宽带阻抗变换器之后本机还接有一个π型电阻衰减器（图18中的R\(_{0}\)01～003）用以适应不同场强的信号。在接入时使信号衰减10倍（有的20倍），用K1来控制。
2．中频吸收回路
为了抑制中频干扰，在高频头输入电路中常接入中频吸收回路。常见的中频吸收回路有两种，如图17。图a是串联谐振式，图b是并联谐振式，它们都调谐在欲吸收的中频频率上。在实际电路中为了增加吸收效果，往往采用较复杂的电路，例如本机采用的是T型高通滤波器，它们由L\(_{0}\)06、L007、C\(_{0}\)03、C004及L\(_{0}\)05组成。它只让最低频道信号及其以上的信号通过，而将中频干扰信号、短波广播干扰信号、高频电热等干扰都抑止了，故提高抗干扰能力。（电视接收技术讲座编写组）