产业新动(1)
IT商界
LCD关键材料ITO缺货严重
LCD产业在市场供不应求仍未舒缓之际，近来上游关键材料铟锡氧化物ITO大缺货，价格飙升，近三四个月ITO涨幅高达50%，且随着供需缺口持续扩大，报价恐将续扬。全球最大ITO供应商日矿公司指出，缺货状况有可能会延续到2004年底。由于ITO是LCD产业不可或缺且无法替代的材料，因此形势相当严峻。
中国大陆是全球最大铟矿生产国，市场比重约占4成，铟矿主要来自广西南丹龙泉矿区，但自2001年发生717矿难后，铟矿产量大幅下降，加上法国欧洲金属公司旗下诺德冶炼厂也关闭，更加剧国际市场铟供应严重不足，连带造成铟锡氧化物ITO大缺货，包括TFT及STN LCD业均受到冲击。
市场分析师指出，由于全球LCD面板对铟需求急速增加，预估全球铟的年需求量逾400吨，但实际供应量还不足300吨，预计2006年全球铟需求量将达到568吨，而供应量却不到400吨，供需缺口持续扩大。
进口商表示，近年来新增铟材料厂商一度多达90余家，在恶性竞争下铟价行情一度跌至每公斤仅58美元，造成厂商纷纷退出市场，如今剩下不到20家，反而使得铟矿产量大减，奇货可居。根据路透社报价，铟价从2003年1月每公斤85美元，攀升到12月每公斤335美元，连涨了3倍。
科技后起之秀将冲击欧美经济
英特尔CEO贝瑞特指出，科技创新或许能带动产业呈现爆炸性发展，但除科技创新之外，发展中国家科技人才的影响力也不可忽视。
贝瑞特表示，印度、中国大陆及阿拉伯世界近30亿人口，假设只要有10%的人口接受高等教育，即约有3亿高科技人才同时拥进IT就业市场，将可能为欧美等成熟经济体带来崩裂性的影响，在人类历史上尚未发生过如此大规模的高教育水准人才拥入市场的先例。贝瑞特估计，包括印度、中国以及俄罗斯在内，约有2.5亿～5亿的高教育程度的IT人才，其优势远超过美国本土。贝瑞特表示，今日的趋势并不是美国科技白领出走海外，而是发展中国家快速成长的经济正创造出迅速增加的IT人才。
贝瑞特亦提醒美国应当斥资在教育与科研的发展上，若以食物链作比喻，若美国不能在科技的食物链上继续向上移动，无可避免只有沦为食物链下层的牺牲者，届时作为企业的英特尔虽仍能在全球经济体系称霸，但英特尔总部所在的美国，却可能成为英特尔发展的最弱一环。
中芯国际为Elpida代工
日本DRAM供应商Elpida Memory日前表示，已经与中芯国际签署了一项为期五年的代工协议。中芯国际的一个300毫米晶圆厂将为Elpida生产基于100纳米工艺的产品。
Elpida表示，计划在2004年第一季度开始生产，但产量仍未敲定。这两家公司曾在2002年底有过合作，由中芯国际为Elpida生产0.13微米的DRAM。 Elpida Memory的总裁坂本幸雄在声明中表示：“Elpida拥有先进的工艺技术，而中芯国际有成本优势和高质量的生产能力，双方合作将使我们成为全球第三大DRAM供应商。”
分析人士表示，与中芯国际合作将会提高Elpida的产能，并降低其内存芯片进入中国市场的关税。
硅谷创投业遭遇瓶颈
据《纽约时报》报导，硅谷的创投公司从2000年达到高峰，投资高科技产业1700亿美元之后，2001～2002年投资额不断下降，而2003年投资额更丝毫看不出创投业对任何高科技产业短期前景有高度成长的契机。
该报导指出，1980～2000年之间，硅谷创投公司由87家暴增至693家，投资人数目也由1035人成长为8368人，但从2000年之后，创投业似乎遭遇瓶颈，找不到适当的高科技初创公司投资。
目前在硅谷创投业流传的信息，多半是近年内不会有业者异军突起，创造投资佳绩，当地创投目前至少有8000间初创公司投资案的成本仍未回收，得到创投资金的业者，要么未上市，要么就是已退出市场；较悲观的创投业者甚至认为，到2010年以前，创投业不会有太大起色。
台湾主板业陷入“以战止战”漩涡
继华硕喊出2004年出货目标4000万片，瞄准全球33%市场占有率之后，为抑制华硕的扩张策略，精英、技嘉与微星也都不甘示弱，分别规划2004年出货量提高1.5～2成的高目标。技嘉总经理马孟明表示，2004年将投身价格战，希望以战止战。
对于主板产业陷入以战止战的漩涡，业者相当无奈地指出，在血腥价格战之下，业者为维持利润而压缩成本，公司及员工苦不堪言，几乎已逼近可忍受范围的临界点。主板业者表示，越来越多的主板厂商仿效国际大厂，要求零配件供货商设立海外提货仓库，以减轻库存成本，包括零配件、上游芯片供货商，以及下游代理经销商，都因为利润空间遭压缩，而日子越来越难过，几乎所有人都是输家。
AMD将采用110纳米工艺生产闪存芯片
AMD与富士通的闪存合资公司FASL LLC最近宣布，计划增加产能，以满足不断增长的市场需求。FASL LLC公司表示，到2004年底以前，80%以上的“先进产能”将涉及128 MB的闪存芯片。基于它的110纳米工艺，总体产量中的60%以上将是这些产品。
“2004年总产能将增加一倍，形成一个闪存制造大厂，支持我们客户业务的成长。”FASL LLC的首席执行官兼总裁Bertrand Cambou在一份声明中表示。