阿天视线（47）

整机外设

　　AMD新工厂破土动工

　　AMD于11月底宣布在德国德累斯顿(Dresden)的36号芯片厂(Fab36)已正式破土动工了，今后新厂极有可能担负起生产65纳米和45纳米芯片的重任。AMD预期36号工厂在未来4年的投资成本在24亿美元左右。AMD表示新36号工厂将于2006年开始批量生产芯片，新工厂临近30号老厂，后者也是AMD最主要的芯片工厂。

　　评：虽然AMD和IBM已经签署了芯片开发的合作协议，但AMD仍然希望把生产的主动权控制在自己手中。真正的芯片商需要有自己的工厂。

　　三星NAND闪存芯片提升规格

　　三星电子最近证实，它将在明年推出70纳米制造工艺生产NAND闪存芯片，而整整一年之后，它才将开始采用类似的工艺生产DRAM。

　　三星将于2004年第三季度采用70纳米工艺生产4Gbit NAND的样品，随后在第四季度开始量产。同时，三星将利用80纳米工艺生产512Mbit DRAM，但不会在2005年第三季度以前投产。这也意味着“在应用先进工艺方面，闪存将走在DRAM前面”。

　　评：也许是看到闪存芯片的巨大市场，三星采用70纳米生产工艺这一策略是个重大转变，而且还走在了竞争对手的前面。而且通过加快缩小NAND的线宽，产品产量和合格率将得以提高，可以缓解整个产业面临的供货短缺问题。

　　英特尔制成65纳米SRAM

　　11月24日，英特尔宣布已经制造了基于65纳米工艺的SRAM(静态存储器)芯片，并且可以在2005年使用12英寸(300mm)硅晶片投入量产。

　　这些65纳米工艺制造的芯片将采用英特尔第二代单晶硅技术，并且采用铜互连技术和Low-K技术。这次制造的SRAM芯片的单一元件尺寸为0.57平方微米，每个单一元件仅仅包括6个晶体管，1000万个这样的晶体管只有1平方毫米，相当于一支圆珠笔笔尖的大小。

　　评：自英特尔公布90纳米制造工艺以来，迄今只有20个月，基本上延续了“摩尔定律”。采用65纳米工艺生产芯片将使单个芯片上的晶体管数量在现有工艺的基础上再翻一番。