导通电阻RDS（on）是功率MOSFET的主要参数之一。如果你有一个功率MOSFET不知道它的导通电阻是多少，可以采用本文介绍的方法来测试，简单、快捷。
测量原理如图1所示。在D极及S极之间接一欧姆表，若G极与S极间未加电压，欧姆表测出为∞（指针式）或在10MΩ左右（数字式）。若G极与S极加上一个电压（5V～9V），即V\(_{GS}\)=5～9V（G极接正，S极接负），则N沟道形成通路，其电阻很小，此时测出的电阻为导通电阻。导通电阻与V\(_{GS}\)有关，V\(_{GS}\)越大，导通电阻越小，但V\(_{GS}\)一般不超过10V（超过10V后导通电阻差别不大，另外，有的管子V\(_{GS}\)大于12V时G、S之间有击穿的危险）。
（1）先将G极与S极短接一下，用万用表Ω挡R×1k挡位（指针式）或20M挡（数字式），按图1用黑表笔接D、红表笔接S测DS极间电阻，因G极未加电压，DS间电阻极大，指针式表针不动（∞），数字式显示10～11MΩ。
（2）用一块9V（6F22型）电池（采用6V也可），如图2所示，将电池“+”与G接触， 同时电池“-”与S接触一下（使产生一个V\(_{GS}\)=9V），将电池移去。然后用黑表笔接D、红表笔接S（指针式用R×1挡，数字式用200Ω挡）测电阻，指针式表的指针指到接近0Ω，而数字式表指示零点几欧姆到几欧姆。一般的管子其导通电阻为零点零几欧到几欧。
在测导通电阻时，用指针式表测电阻前R×1挡必须调整：使表笔短路时，指示为零；用数字表时，先要将表笔短路时记下指示的电阻值（往往不是零值），然后在测量后的导通电阻值减去表笔短路时的电阻值。
这里必须说明：这是一种简易的测试，测量不是十分精确（因为导通电阻不仅与V\(_{GS}\)有关，并且与I\(_{D}\)及环境温度有关）。例如，某N沟道功率MOSFET的导通电阻R\(_{DS（on）}\)=0.022Ω是在V\(_{GS}\)=10V、I\(_{D}\)=25A、T\(_{A}\)=25℃的条件测得的。因此，用上法测出的导通电阻有时接近0Ω，这是测量方法及仪表精度不高造成的。但至少可说明这管子的导通电阻不大。
笔者用上法测2N7002型N沟道小功率MOSFET，在V\(_{GS}\)=8.8V时，R\(_{DS（on）}\)=3.0Ω。查资料，该管在V\(_{GS}\)=10V、I\(_{D}\)=500mA时，最大导通电阻R\(_{DS（on）}\)为5Ω。测量基本正确。
P沟道功率MOSFET的测试如图3所示。其差别是红表笔接D、黑表笔接S，电池的“+”极接S、“-”极接G。步骤与测N沟道的相同。
实测某P管数据如下：未加-V\(_{GS}\)电压时，S与D极电阻约8MΩ，加8.8V的电压于S与G极间（即-V\(_{GS}\)=8.8V），S与D之间电阻为0.5Ω（即R\(_{DS（on）}\)=0.5Ω）。
思考题：
只需要在测量前，将G、S极与9V电池的正负极接触一下就可以测量MOSFET的导通电阻值，而无需在测量时在G、S极施加V\(_{GS}\)电压，为什么？
答案：MOSFET的G、S极之间是绝缘的，可以看作一个绝缘性能极好的电容器，当G、S极与9V电池正负极接触一下，相当于给这电容充了电，其电压即V\(_{GS}\)=9V。由于电容器绝缘性很好，漏电极小，在很长时间内可保持这电压不变，所以在以后的测量过程中无需再施加V\(_{GS}\)电压。但是在测量时不能用手同时去摸G极与S极，因为这时G、S上的电荷会通过你的手放电，使V\(_{GS}\)电压下降。
（文/戴维德）