R\(_{DS（ON）}\)的大小与V\(_{GS}\)大小有关，同时与I\(_{D}\)大小有关。型号为Si9933的P管其R\(_{DS（ON）}\)与-V\(_{GS}\)及-I\(_{D}\)的关系如图1所示。由图可以清楚地看出： -V\(_{GS}\)越大则R\(_{DS（ON）}\)越小； -I\(_{D}\)越大则R\(_{DS（ON）}\)越大。另一种-V\(_{DS}\)及-V\(_{GS}\)极限参数完全一样，-I\(_{D}\)都>3A。若-V\(_{GS}\)=2.7V，工作电流-I\(_{D}\)=2A时，图1中的R\(_{DS（ON）}\)约0.15Ω，而图2中的R\(_{DS（ON）}\)约0.06Ω（相差要一倍多1）。这使最大功耗P\(_{D}\)上要大一倍多（P\(_{D}\)=I\(_{D}\)\(^{2}\)×R\(_{DS（ON）}\)）。
R\(_{DS（ON）}\)的测定电路如图3所示。图中测定的P管（N管测定电路与此相似）。V\(_{CC}\)及R\(_{L}\)应与原电路的V\(_{CC}\)及R\(_{L}\)一样，调电位器RP，使其-V\(_{GS}\)也与原电路一样。在这条件下测出R\(_{L}\)上的电压V\(_{RL}\)，则可以求出R\(_{DS（ON）}\)的值。计算如下：
-V\(_{DS}\)=V\(_{CC}\)-V\(_{RL}\)，-I\(_{D}\)=V\(_{RL}\)/R\(_{L}\)，则R\(_{DS（ON）}\)=-V\(_{DS}\)/-I\(_{D}\)式中，V\(_{CC}\)是电源电压（可以测出）。
如果你有兴趣，按上述方法改变-V\(_{GS}\)值，测量相应的V\(_{RL}\)值，可进一步了解-V\(_{GS}\)与R\(_{DS（ON）}\)的关系。
（文/方佩敏）