功率MOSFET漏极与源极之间的电压V\(_{DS}\)、源极与栅极之间的电压V\(_{GS}\)有一定的限制，器件的资料中给出V\(_{DS}\)及V\(_{GS}\)的极限值。若使用过程中超过极限值，绝缘层或内部PN结将被击穿而损坏。另外，功率MOSFET作为开关管时，由于其导通电阻R\(_{DS（ON）}\)很小，关断时漏电流极小，其开关损耗极小。但在线性应用时，当管压降V\(_{DS}\)较大，I\(_{D}\)较大时，其功耗P\(_{D}\)=V\(_{DS}\)×I\(_{D}\)可能较大。不少贴片式功率MOSFET的最大功耗P\(_{D}\)在70℃时仅0.7W～ 1.3W，则有可能因功耗过大而烧掉。
功率MOSFET的三个极：
G与S和D是相互绝缘的，D与S之间有两个背对背的二极管，所以用指针式三用表（测电阻的1k挡）是很容易来判别其好坏的。另外，功率MOSFET的漏极及源极之间并联了一个二极管，则在测试时可测出二极管的阴极及阳极。P沟通功率MOSFET（以下称P管）及N沟通MOSFET（以下称N管）的图符如图1所示。
现以测N管的好坏为例说明其判别方法：
三用表拨到1kΩ挡，以红表笔接S、黑表笔接G及红表笔接G、黑表笔接S，指针不动（电阻为∞）；再用红表笔接D、黑表笔接G及红表笔接G、黑表笔接D，指针也不动。这是因为G与D及S之间有二氧化硅绝缘层，所以电阻为∞，如图2所示。用黑表笔接S和G，红表笔接D，指针转到10kΩ左右，这测出的是内部二极管的正向电阻值（如图3所示）；黑表笔接D、红表笔接S和G，指针不动，这是内部二极管反向电阻及D、S之间无导电沟道时电阻值（如图4所示）。这N沟通功率MOSFET是好的。
为什么在测D和S之间电阻时要将S和G连接在一起？这是因为在测低阈值电压功率MOSFET时，它的V\(_{GS}\)（th）=0.45～1V。在测G与S间的电阻时，由于测电阻表中有1.5V的电压，在G与S极间加了1.5V电压，使在绝缘层两个极板上产生电荷，产生了导电沟道。由于没有放电通路，这电荷放不掉，所以若在测G、S之间电阻后，不将G与S连接在一起放掉电荷，则会测出D、S间电阻很小的情况（因为表内1.5V电池电压加在D、S极、G、S极产生的感应电荷已形成导电沟道，所以测出电阻很小的情况。而G、S连在一起，则形成放电回路，不会引成导通条件。
若用上法测量时发现G与S之间或G与D之间电阻较小，或G、S接红表笔，D接黑表笔时，电阻不是∞（几十kΩ或几百kΩ），则此N管已有损坏。
若测D、S之间（红、黑对调测量）都是∞，则其中二极管损坏。
测P管的方法与测N管相同，但极性相反，请读者自行分析。
（文/方佩敏）