功率MOSFET几个参数之间通常有一定的关系，一般可用特性曲线来表达，最重要的有：输出特性曲线、转移特性曲线和不同V\(_{GS}\)、I\(_{D}\)与R\(_{DS}\)（ON）的特性曲线。本文主要介绍这三种特性曲线。
输出特性曲线
功率MOSFET的输出特性曲线与双极型晶体管的输出特性曲线是相似的，但符号不同。双极型晶体管的输出特性曲线指的是在一定基极电流I\(_{b}\)时，集电极及发射极之间的电压V\(_{ce}\)与I\(_{c}\)的关系。功率MOSFET的输出特性曲线指的是在一定V\(_{GS}\)下，漏极及源极之间的电压V\(_{DS}\)与I\(_{D}\)的关系。特性曲线是在不同的V\(_{GS}\)下画成一组曲线。
由于N管与P管的极性不同，标准的画法是N管的曲线在第一象限，P管的曲线在第三象限，如图1所示。但目前资料中往往将P管也画在第一象限，这时候图中的V\(_{GS}\)、V\(_{DS}\)、I\(_{D}\)应理解为-V\(_{GS}\)、-V\(_{DS}\)、-I\(_{D}\)，如图2所示。
现以Si9952双功率MOSFET（内有一个N管及一个P管）的输出特性为例作一些说明（图3是N管的输出特性、图4是P管的输出特性）。
从图3、图4可以看出：|V\(_{GS}\)|增加，|I\(_{D}\)|也相应的增加，在一定的范围内（一定的|V\(_{GS}\)|及一定的|V\(_{DS}\)|范围），它近似一条直线，即|I\(_{D}\)|与|V\(_{DS}\)|大小无关；从图中可以看到：|V\(_{GS}\)|=5V时，|I\(_{D}\)|>8A（|V\(_{DS}\)>2V|），即|V\(_{GS}\)|可用TTL逻辑电平来控制（逻辑低电平时，I\(_{D}\)=0，逻辑高电平时，I\(_{D}\)可达>5A的可能）这种功率MOSFET称为逻辑电平控制功率MOSFET，使用非常方便；从图中也可以看到管子跨导gm的大小。如图3中，V\(_{DS}\)=3V时，V\(_{GS}\)从3V到4V时，I\(_{D}\)从0到2.6A，则其gm=2.6A/V；在图3中，同样的V\(_{DS}\)=3V；若V\(_{GS}\)从4V到5V，则ID从2.6A到8.8A，则gm=8.8A/V（说明不同的V\(_{GS}\)下，其gm是不同的）。从图3与图4来看，若|V\(_{GS}\)|=5V，则其gm是差不多的。
转移特性曲线
功率MOSFET的转移特性是指在一定的V\(_{DS}\)下V\(_{GS}\)与I\(_{D}\)的关系。由于N管与P管的极性不同，它的转移特性如图5所示，N管特性在一象限，P管特性在三象限。但一般P管的特性也有画在一象限的，则其I\(_{D}\)及V\(_{GS}\)应是-I\(_{D}\)及-V\(_{GS}\)。
图6及图7是Si9952的N管及P管的转移特性曲线。图中有三条曲线，分别为25℃、-55℃及+125℃时的特性曲线。这说明MOSFET在不同的温度条件下，同一|V\(_{GS}\)|条件下，其|I\(_{D}\)|稍有差异，但在|V\(_{GS}\)|=3到4V左右，温度变化对|I\(_{D}\)|的变化影响较小。
从图6及图7中也能大致看出管子的阀值电压的大小（阀值电压是在V\(_{GS}\)大到某一个值，I\(_{D}\)=250μA或1μA时的值）。从图6、图7中看，I\(_{D}\)的单位是A，所以只能大致看出在曲线起始端的V\(_{GS}\)值（Si9952的N管及P管的阀值电压V\(_{GS}\)（th）约1V）。
这里要说明的是图6、图7的曲线是在一定的V\(_{DS}\)下作出的，V\(_{DS}\)不同，其曲线也有一些变化。
导通电阻RDS（ON） 特性曲线
R\(_{DS}\)（ON）主要与|V\(_{GS}\)|大小有关，但它也与|I\(_{D}\)|有关。在|V\(_{GS}\)|=10V时，R\(_{DS}\)（ON）的特性几乎是一条直线，与|I\(_{D}\)|无关，如Si9952的N管（图8）及Si9952的P管（图9）的特性。但当|V\(_{GS}\)|=4.5V时，R\(_{DS}\)（ON）与|I\(_{D}\)|大小有关：|ID|小时，RDS（ON）小，而|ID|增加时，RDS（ON）增大，有的管子增长斜率较大（如图9所示）。所以在要求R\(_{DS}\)（ON）较小的时候，就需要寻找|V\(_{GS}\)|小而特性平直的管子。例如Si9933（双P管），它的R\(_{DS}\)（ON）的特性如图10所示。在-V\(_{GS}\)=4.5V、-I\(_{D}\)=4V时，R\(_{DS}\)（ON）约0.08Ω，而Si9952的P管在-V\(_{GS}\)=4.5V， -I\(_{D}\)=4A时，R\(_{DS}\)（ON）>0.4Ω（以上指的都是最大值）。
需要注意，在|V\(_{GS}\)|值一定、|I\(_{D}\)|一定时，给出的R\(_{DS}\)（ON）是最大值。随着迈年来电源电压的不断降低，开发出了工作电压更低的新器件。一般除给出|V\(_{GS}\)|=10V、4.5V等条件下的R\(_{DS}\)（ON）值，有的还给出|V\(_{GS}\)|=2.5V及1.8V时的R\(_{DS}\)（ON）值。例如，FDG327N（一种N沟道功率MOSFET）的R\(_{DS}\)（ON）在V\(_{GS}\)=1.8V时最大值为0.14Ω。
有一些更简单的选用是仅给出V\(_{GS}\)值下的R\(_{DS}\)（ON）最大值，不提供|I\(_{D}\)|是多少（一般是在连续电流I\(_{D}\)最大值的值的一半左右时的取值）。
（方佩敏）