功率MOSFET的参数可分为最大极限参数、静态参数及动态参数。一般的功率MOSFET选择指南或简易手册中主要给出最大极限参数。动态参数主要是MOSFET的极间电荷及开关上升时间及下降时等参数，只在高速开关中需要考虑。本文重点介绍它的极限参数。
最大极限参数
1. V\(_{DS}\)及V\(_{GS}\)
功率MOSFET在工作时要加V\(_{DS}\)（D、S之间的电压）及V\(_{GS}\)（G、S之间的电压）。若V\(_{DS}\)或V\(_{GS}\)过高，会发生击穿而使管子损坏，所以规定最大的极限V\(_{DS}\)及最大的V\(_{GS}\)电压，在使用中不能超过这个值（还要留一点余量）。有的资料中用V\(_{（BD）DSS}\)表示最大极限V\(_{DS}\)。
2. I\(_{D}\)
最大的极限漏极电流I\(_{D}\)是它能输出的最大电流值。它与工作状态有关，一般指的是连续漏电流I\(_{D}\)，若工作于脉冲状态，它的漏极电流值大于连续工作电流，一般用I\(_{DM}\)表示。
这里要注意的是I\(_{D}\)与环境温度有关，资料上给出T\(_{A}\)=25℃的值，若在T\(_{A}\)=75℃，则I\(_{D}\)要减小。例如，Si 9400（P管），它在T\(_{A}\)=25℃时最大I\(_{D}\)=±2.5A，而在T\(_{A}\)=75℃时，I\(_{D}\)=±2.0A。若此管工作于脉冲状态（脉宽≤300μs，占空比≤2％），其I\(_{DM}\)=±10A。
3. P\(_{D}\)
最大功耗P\(_{D}\)为V\(_{DS}\)×I\(_{D}\)（这V\(_{DS}\)为实际电路中漏极与源极之间的电压，并非极限参数；I\(_{D}\)为流过管子的实际漏极电流，也并非极限参数）。P\(_{D}\)也与T\(_{A}\)（环境温度）有关，也与封装形式有关。在一定封装下，给出T\(_{A}\)=25℃的值（有的还给出T\(_{A}\)>25℃的值）。例如，Si 9400在T\(_{A}\)=25℃时，最大功耗P\(_{D}\)=2.5W，而T\(_{A}\)=75℃时，最大功耗成为P\(_{D}\)=1.6W了。在使用时要计算P\(_{D}\)，考虑T\(_{A}\)，使实际的P\(_{D}\)小于资料上给出的P\(_{D}\)值，否则会造成过热而烧掉！
导通电阻RDS（ON）
功率MOSFET中一项重要的静态参数是导通电阻值，用R\(_{DS（ON）}\)来表示。R\(_{DS（ON）}\)越小，则开关损耗越小。近年来，不断地为减小R\(_{DS（ON）}\)而进行改进。过去，R\(_{DS（ON）}\)的单位为Ω，而现在它的单位改成mΩ了（只是R\(_{DS（ON）}\)小的产品）。例如，Si 9430（P管）在-V\(_{GS}\)=10V，-I\(_{D}\)=5.3A时，它的典型R\(_{DS（ON）}\)=40mΩ。
从上面的例子可以看出：R\(_{DS（ON）}\)的大小与|V\(_{GS}\)|的大小及|I\(_{D}\)|有关。例如，如Si 9430在-V\(_{GS}\)=-4.5V，-\(_{ID}\)=4A时，它的R\(_{DS（ON）}\)=90mΩ。资料中往往给出|V\(_{GS}\)|=10V及|V\(_{GS}\)|=4.5V时的R\(_{DS（ON）}\)，也有的资料仅给出|I\(_{D}\)|为某值时的R\(_{DS（ON）}\)值。
P\(_{D}\)也可用I\(_{D}\)\(^{2}\)×R\(_{DS（ON）}\)来表达，所以要求开关损耗小时，应选择R\(_{DS（ON）}\)小的MOSFET。目前的工艺水平，R\(_{DS（ON）}\)已可做到几个mΩ的水平，例如FDZ5047N（BGA封装），在V\(_{GS}\)=10V时，R\(_{DS（ON）}\)=3.5mΩ（资料中未给出I\(_{D}\)值）。
封装的选择
在资料中往往给出封装的型号。目前大部分电路采用表面贴装技术（SMT），所以大部分功率（中小功率）MOSFET采用贴片式封装（SMD）。由于过去采用T0-220（插孔式）改成贴片式，其散热条件变坏（尺寸小，不易装散热片）。例如V\(_{DS}\)=60V，I\(_{D}\)=12A的N管MTD3055，它采用贴片式DPAK封装时，它的最大P\(_{D}\)仅1.75W，而同一型号而采有插孔式T0-220封装时，它的最大P\(_{D}\)=40W；并且由于它尺寸不同，其R\(_{DS（ON）}\)在同样条件下比DPAK小一些。DPAK封装时，在I\(_{D}\)=6A时，R\(_{DS（ON）}\)max=0.3Ω，而T0-220封装时，在I\(_{D}\)=6A时，R\(_{DS（ON）}\)max=0.18Ω。
总栅极电荷Q\(_{g}\)
Q\(_{g}\)是一个动态参数，有些简易手册上有这个参数。在作高速开关时，栅极上的电荷大小与开关速度有关。若开关速度快、频率高，要选择Q\(_{g}\)小的管子。Q\(_{g}\)是在一定的V\(_{DS}\)、一定的V\(_{GS}\)及一定的I\(_{D}\)时的值。有的资料上仅给出V\(_{GS}\)值下的Q\(_{g}\)值。它的单位是nC，一般是几个nC到几十个nC（C是库仑的符号），给出的Q\(_{g}\)值往往是典型值，可作选择的参数。例如，Si 9430的Q\(_{g}\)在-V\(_{DS}\)=10V，-V\(_{GS}\)=10V，-I\(_{D}\)=5.3A时的典型值是2.5nC。
（方佩敏）