上文介绍了功率MOSFET的导通条件，但它是如何导通的呢？本文再作简单的介绍，并建议读者做一个实验，以对导电原理有更深的了解。这里用N沟道功率MOSFET为例加以说明。P沟道工作原理与N沟道完全相同，差别仅用N型衬底及形成P沟道而已。
N沟道MOSFET的结构
N沟道增强型MOSFET的结构如图1所示。用一块掺杂浓度较低的P型硅片作衬底，在此衬底上用扩散工艺做了两个高掺杂的N区，分别作为漏极D及源极S，并由金属电极引出，然后再在其上面做一层二氧化硅（SiO\(_{2}\)）绝缘层，在绝缘层上做一个电极，作为栅极G。衬底与源极是连接在一起的。栅极与其他极是绝缘的，所以叫绝缘栅场效应管。这个结构中采用金属（电极）、氧化物（绝缘层）半导体组成，所以称为金属氧化物半导体场效应管，这个词太长，一般用英文编写MOSFET来代替。
如果V\(_{GS}\)=0，在D极及S极之间加一个电压V\(_{DS}\)，如图2所示。对于增强型MOSFET，在V\(_{GS}\)=0时，没有导电沟道，而衬底上的两个N区与P衬底之间形成两个背对背的二极管，所以图2的情况是形不成电流回路，没有漏极电源I\(_{D}\)，即源漏之间不能导电。
如果在栅极与源极之间加上一个电压V\(_{GS}\)（VG>VS），这时可以把P型衬底与栅极之间看成一个电容量的两个极板，二氧化硅绝缘层作为介质，因此在绝缘层的两个面上感应出正负电荷，如图3所示。在P型衬底上感应出的负电荷和在栅极感应出正电荷。负电荷与P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，所示称之为反型层。如果V\(_{GS}\)电压较低，则感应出来的负电荷将被P型衬底中的空穴俘获，不能形成导电沟道，因此没有漏源之间的漏极电流。当V\(_{GS}\)增大到阈值电压（开启电压）以上，在这强电场的作用下，积累了足够的负电荷，它把两个分离的N区沟道而引成一个导电沟道，漏极电流从电源正极经电流表、经D极、导电沟道、S极、到电源负极，形成电流回路。V\(_{GS}\)越大，负电荷越多，导电沟道越宽，它的导通电阻越小，可产生更大的漏极电流I\(_{D}\)。
实 验 电 路
N沟道功率MOSFET的导通实验电路如图4所示。由5V电源经10kΩ电位器分压后向N管供电（提供V\(_{GS}\)），或用3节1.5V电池供电。调节电位器可改变V\(_{GS}\)的大小。用一个指针式三用表（1kΩ挡）接N管的D极及S极（黑表笔接D，红表笔接S）。
实验开始前，将电位器中间头调到最低，即使V\(_{GS}\)≈0V，接好欧姆表，指针指示∞，说明DS未导通。然后将电位器中间头向上移动（使VGS增加），当V\(_{GS}\)大到某一个值（超过阈值电压），欧姆表的指针由∞向小的方向转动。V\(_{GS}\)↑，电阻值↓，当V\(_{GS}\)增加到某一值时，欧姆表的指针可降到0。这说明在V\(_{GS}\)到达阈值电压后，导电沟道已形成，随着V\(_{GS}\)增加，导道电阻在减小。
这电路看起来很奇怪，与图3相比较，在漏极与源极未加电压，如何会产生导电沟道？这是巧妙地利用三用表测电阻时，它利用表内的电池电压（约1.5V左右），如图5所示。
采用多圈电位器，调节缓慢（使V\(_{GS}\)渐增），导通过程看得十分清楚。若用原圈电位器，有可能稍一转动，指针就从∞→0了。
如果你有兴趣，还可以在V\(_{GS}\)到达指针刚转动时测一下V\(_{GS}\)，这V\(_{GS}\)≈阈值电压。这也是测V\(_{GS}\)的简易方法（但不太精确）。
（方佩敏）