飞利浦彩电（PHILIPS／CTV）如14CT6020、16CT6025、20C6050、20CT6250、20CT6550等，在出现“三无”故障时，机内常发出一种有节奏的“嘀-嘎-”声，类似“打嗝”。当“打嗝”频率较低时，还能看到随“打嗝”而闪动的亮、暗光栅。
“打嗝”是采用CTO－S系列机心之飞利浦彩电的通病。可见，该型机在原电路设计上，存在有不尽完美之处。欲想根除之，应首先弄清该机型“打嗝”现象的内在原因。
“打嗝”的根源来自开关电源（下称SW／PW）。该类机型的SW／PW为他激型正激励脉冲调宽类串联式开关电源，又称“集合一体化行电源开关电路”（参看图1）。从图1中各路电源的形成来看，大致可分为三类：
（1）主电源E\(_{C}\)（＋300V）和EQ（＋9V）；市电由VD／6392、6393和VD／6395、6396作桥式整流，经C／2330（220μF）滤波形成+300V的E\(_{C}\)主电源。EC经R／3894（18kΩ）、3895（18kΩ）限流、降压，由VD／6896（BZX79C22）稳压，再经R／3896（2.4kΩ）、C／2895（470μF）二次降压、滤波产生+9V的开机电源E\(_{Q}\)并加入到IC／7875（TDA2577A）的脚，使SW／PW电路启动。
（2）一次电源E\(_{E}\)（＋115V）和EB（＋29V）：电路启动之后，IC／7875脚输出频率为f\(_{H}\)（15625Hz）、幅值约为7V、占空系数D=T／T1≈119的行脉冲UH（见图2a）。U\(_{H}\)经C／2317（470pF）耦合、脉宽控制器V／7322处理、第一行激励级V／7353（BF422A）放大后，由脉冲变压器T／5351送入第二行激励级兼电源开关管V／7355（BUX84，此管在机上实装型号为2SC3169），其射极输出的宽度受控行脉冲Ee，经开关变压器T／5335初级（①／⑥）和C／2371（47μF）滤波形成EE（＋115V），同时，Ee经T／5335进入次级，其中④／⑤绕组上的电压做行输出管V／7562（BU508A）的推动信号；⑦／⑧绕组上的电压经保险电阻R／3561（2.7Ω）和整流管VD／6360形成E\(_{B}\)（＋29V），C／2360（680μF）为其滤波电解电容。EB经R／3332（5.6kΩ）限流，在稳压管VD／6323、6325（B6V8XZ）负极上产生+6.8V的基准电压E\(_{A}\)。
（3）二次电源:行输出管V／7562在T／5335④/⑤绕组的行频脉冲激励下工作在开关状态，经行输出变压器FBT／5564耦合到次级，并由相应整流管整流取得彩电所需的各种二次电源（见图1）。
在彩电正常工作时，由V／7330（DN769）和V／7331（BC758）构成的模拟可控硅保护电路处于截止状态。这是因为在V／7355导通的行正程中Ee≈Ec=300V，此时Ee经T／5335⑥→①向负载供电，续流二极管VD／6334（BYV95C）因反偏而截止，保护模拟硅电路的触发取样电阻R／3337两端电压U\(_{TR}\)=0V。此期间为T／5335初级的储能阶段。当电路进入逆程、V／7355截止时，Ee=0V（即T／5335⑥脚为0电平）。此时，T／5335初级储存的能量要进行泄放，其路径是；①脚→负载→地→R／3337→续流管VD／6334→L／5345→T／5335⑥脚。上述泄放电流在采样电阻R／3337两端产生一个上负下正的取样电压UTR。正常情况下，U\(_{TR}\)≈-0.2V，此电压不足以使模拟硅导通。当电路失常而出现过载时，|UTR|↑（U\(_{TR}\)和Ee的波形请参看图2c/b），一旦|UTR|上升到能使模拟硅导通时，它便一触即发，立刻变为全导通。此时V／7330集电极电压U\(_{G}\)从+6.8V（EA）下降到0.6V以下。于是，VD／6317随即导通，将IC／7875脚的行频信号U\(_{H}\)彻底短路对地，从而使上述的一、二次电源全部消失（只有主电源EC、E\(_{Q}\)依旧存在）。之后，保护电路的继续导通全靠大电容C／2323（680μF）上储存的能量维持。一旦C／2323放电到不足以使保护电路继续维持时，即自行关断。由于主电源不受保护电路和UH的“制约”而依然存在，所以保护电路关断后，E\(_{Q}\)（＋9V）便会重新使IC／7875内的行振荡器启动，于是IC／7875脚又有行频信号UH产生→过载又发生→又保护→再“关断”失保→再启动……如此周而复始，产生了上述“打嗝”。
从前面的分析来看，产生“打嗝”现象的根源在电路保护之后，保护电路自身的供电电源也随之被“保护”（消失）了，而担负启动任务的主电源E\(_{Q}\)则是“永远”存在的。故而使SW／PW产生“打嗝”振荡。如设法将保护电路之电源也变成由“永不消失”的主电源供电，则“打嗝”现象便可有效消除。此外，该类机型还存在两个缺陷：一是保护电路设计得过于灵敏，致使强电干扰（如雷电、电火花等）、天气炎热、亮度开大等因素引起机内瞬间过载变化时，也常引起“打嗝”现象发生；二是无过压保护电路或是过压保护功能迟钝。其原因是该类机型采用的是上述“过流型”保护电路，当电压升高时（含电网波动因素），虽说电流也会随之增高，但这种“升高”远比负载变化来得要小。这便是造成行管经常损坏的主要原因。
根据SW／PW的上述缺陷，笔者对原机电路进行了一些改进，新增电路如图3（点划线之内）所示。平时，U\(_{TR}\)≈-0.2V，V／7330的Ube≈EL－U\(_{TR}\)≈-0.15V，所以V／7330、7331均截止。此时，UG≈E\(_{A}\)（6.8V），而UJmax≤2.8V，故而VD／6317反偏截止，U\(_{H}\)正常向功能电路输送行脉冲。图3中的P点EP被VD2稳压在6.2V上，所以VD1亦反偏截止。VD3、VD4为2DW89／120V，两只串联后的总稳压值为240V。此时，在电位器RP上端点的电压值约为E\(_{C}\)－120V×2=60V。 VD5为2CW361，其EZ≈39V，调RP使Ec≤E\(_{CM}\)（ECM为设定保护电压下限值）时VD5不导通。也就是说，在Ec＜E\(_{CM}\)时（即SW／PW的正常工作条件），V（9013）基极电位为OV，因此V管截止，对保护电路V／7330、7331的正常工作不发生影响。
（1）过流保护过程：当SW／PW的负载“超重”或短路时，V／7355截止期内流过续流管VD／6334的电流大增，采样电阻R／3337上的负压|U\(_{TR}\)|↑≥0.8V。此时，V／7330的Ube≥0.6V。于是，模拟硅发生“连锁”反应而进入全导通状态，UG＋↓↓=0V，VD／6317导通，将U\(_{J}\)（UH）行频信号短路到地，一、二次电源全部消失。模拟硅借助C／2323（680μF）上储存的能量维持导通。随着C／2323放电，E\(_{A}\)↓。当EA↓＜6V时，VD1导通，主电源E\(_{C}\)经R3、R2、R1对模拟硅继续供电，使其导通保护状态得以维持。因为Ec“永不消失”，所以“保护状态”亦不消失。于是“打嗝”现象被消除。
（2）过压保持过程：设定过压保护下限值E\(_{CM}\)=320V。当Ec↑≥320V时，RP中点电位EM↑＞39V，于是VD5发生齐纳击穿导通，V管由截止变为饱和，U\(_{G}\)↓↓使模拟硅被触发全导通，彩电得以有效保护。起初，C／2323上储存的能量对导通的模拟硅供电，随着C／2323放电，EA↓；一旦E\(_{A}\)↓≤6V时，模拟硅便改为由主电源Ec供电……（同过流保护过程）。
通过上述改进之后，一旦电路因过流或过压而被保护以后，便不会再“解除”。停机后反复开启电源(SK6－0N），若彩电仍能正常工作，则说明是瞬态过流、过压引起的保护；否则，是彩电发生了内在故障。
图3中的R1为RY14S-0.25W-3kΩ电阻，R2、R3选用RY17S－2W－12kΩ电阻，R4型号同R1；RP为WH5－1－X-1W－10kΩ碳膜电位器。原机的C／2335改为33nF，以降低瞬态冲击灵敏度。其它各元件均按图3标注的规格选用即可。（张义方）