肖特基势垒二极管（SBD）简称肖特基二极管，它是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体整流器件。其反向恢复时间（t\(_{rr}\)）极短，可小到几纳秒，正向导通压降仅0.4伏左右，而工作电流却可达到几千安。
结构特点
典型的肖特基二极管的内部结构如图1所示。它是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N\(^{-}\)处延层。阳极（阻档层）材料选用贵金属钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较N-层要高100倍。在基片下边形成N\(^{+}\)阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒。当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度W0变窄；加负偏压-E时，势垒宽度就增加，分别见图2（a）、（b）。
综上所述，肖特基二极管的结构原理与PN结二极管有很大区别。通常将PN结整流管称作结型整流管，而把金属一半导体整流管叫作肖特基整流管。近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管已经问世，这不仅可节省贵金属，降低成本，还改善了产品参数的一致性。
肖特基二极管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此不存在电荷储存问题，反向恢复电荷Qrr→0，使开关特性得到明显改善。其反向恢复时间t\(_{rr}\)已能缩短到10ns以内，但其反向耐压值较低，一般不超过100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降之特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。肖特基二极管的典型伏安特性如图3所示，其正向导通压降介于锗管与硅管之间。表1列出4种肖特基二极管的参数，供读者参考。表中有3种型号的管子内部结构属于共阴对管，因此有3个引脚，如图4所示，其中①、③脚为正极，②脚为负极。
典型应用
肖特基二极管可广泛用作高频、低压、大电流整流，亦可作为续流二极管用。
1．作开关电源中的续流二极管
图5是由L296型大电流单片开关稳压器构成的高效开关电源。L296的输入电压V\(_{I}\)=9～46V，最大输出电流IOM=4A，输出电压V\(_{0}\)=5.1～40V，最大输出功率为160W，电源效率可达90％。VD为7A肖特基二极管，起续流作用。当内部开关功率管导通时，VD截止，一部分电能储存在L中；当开关功率管截止时，VD导通，L中储存的电能经过VD继续向负载供电，维持输出电压不变。
2.作逆变器的保护元件
新型逆变器中开始采用巨型晶体管GTR（亦称电力晶体管），其工作频率优于可关断晶闸管GTO。但GTR容易被过电压或过电流所损坏。通常可将肖特基二极管VD与GTR并联使用，VD可为反向电动势提供泄放回路，参见图6。
3.其他用途
以上介绍的肖特基二极管均采用面接触式。还有一种点接触式肖特基二极管，适用于微波通讯电路使用。（李学芝 沙占友）