特性
单向电压二极管简称FLD管，它由硅PNPN四层结构组成，故又称为四层二极管，也有人称它为转折二极管。这种二极管的伏安特性见图3（a），其正向为负阻电压开关特性，反向为稳压特性。图3（a）中，U\(_{s}\)为正向转折电压。当外加电压升高到Us值时，FLD管将由原先的截止状态向导通转化，即二极管由高阻转为低阻，这种特性就称为负阻开关特性。I\(_{s}\)为开启电流，也就是发生电压转折时的最大截止电流；IT为通态电流，当二极管通以I\(_{T}\)电流时的压降，就称为通态压降UT；I\(_{H}\)为维持电流，当二极管的导通电流下降到IH以下时，二极管将由导通状态转化为截止状态；U\(_{B}\)为反向稳压值。AB之间的一段曲线表示二极管由截止变为导通，或由导通变为截止的过渡过程，这个过程变化极快，导通时间一般为0.2～0.3微秒，关断时间15—30微种。图3（b）为单向电压开关二极管的符号，其箭头方向表示FLD管工作于正向特性区时的电流方向。
双向电压开关二极管的伏安特性和符号见图4所。其正向和反向具有相同的负阻开关特性。双向管一般由硅NPNPN五层结构组成，简称DAC管。
FLD管和DAC管一般按转折电压U\(_{s}\)值分档，Us值在6V～280V范围内。表1列出了单向管K130和双向管2CTK的具体参数，供读者参考。
应用
硅电压开关二极管可以应用于脉冲发生器、过压保护器、触发器以及高压输出、延时、逆变、电子开关、直流电机稳速、光电检测等电路中。下面举两个例子加以说明。
一、脉冲发生器
电路如图5（a）所示，当电源接通后，电源通过限流电阻R\(_{1}\)向电容C充电，当C两端电压升高到FLD管的转折电压时，FLD管由截止突变为导通状态，电容C上储存的电荷通过FLD向负载R2放电。当放电电流下降到维持电流I\(_{H}\)以下时，FLD管由导通变为截止。电容C又继续充电，如此周而复始，形成张弛振荡，在R2两端输出毫微秒前沿的高速高压脉冲，其波形如图5（b）所示。其中：
输出电压峰值 U\(_{m}\)=Us-U\(_{T}\)
脉冲输出时间 t\(_{1}\)=-R2Cln(1-\(\frac{U}{_{T}}\)Us)
脉冲间隙时间 t\(_{2}\)=-R1Cln(1-\(\frac{U}{_{s}}\)UE)
振荡频率 f=\(\frac{1}{t}\)\(_{1}\)+t2
当选用图5所示元器件时，振荡频率约为800Hz。若把负载R\(_{2}\)接到电容C支路中，则负载上获得的脉冲前沿将变成后沿。当选用不同电容器、电阻器、FLD管和UE值时，振荡频率可以从超低频到音频范围内变化，这种电路的振荡频率最高可达20－40kHz。
二、高压发生器
电路如图6所示，图中电容C和FLD管形成的负阻振荡，经升压变压器升高后输出高压，选用不同的脉冲变压器初、次级匝数比，可获得几百到几万伏的电压。当选用图6所示元器件时，可以输出1.5万伏高压脉冲，振荡频率为3次／秒。图6的升压变压器要用“I”字型或口字形磁芯，不要用铁芯，以保障输出波形的上升沿良好。
图6的输入电压可以用交流市电，也可用电池经晶体三极管振荡升压到300～400V获得。这种高压脉冲发生器可用于可燃气体点火器，负离子发生器，静电除尘器，电子保鲜器，电子助燃器，电疗仪等产品中。(南通晶体管厂 沈福兴)