CMOS驱动MOS型器件（PMOS、NMOS等）时，由于MOS型器件的输入阻抗很高，吸收电流极少，故仅需考虑电平适配问题。但当CMOS驱动双极型器件（TTL、HTL等）时，因双极型器件大多需要较大的输入电流，所以必须同时考虑电平和电流的适配问题。为便于分析电平适配问题，图1给出了适用于“CMOS驱动其他器件”的适配图，阅图方法类似于上文，在此不再多述。至于电流适配问题，我们将在以下接口实例的分析中予以介绍。
1、CMOS驱动TTL或LSTTL：由图1可见，当CMOS的V\(_{DD}\)=5V时，其VOH、V\(_{OL}\)完全适合于TTL或LSTTL，故电平适配不成问题。关于电流问题，从附表可以看出: TTL的低电平输入电流IiL为1.6mA，高电平输入电流I\(_{iH}\)为O．04mA；LSTTL的IiH为0.4mA，I\(_{iH}\)为0.02mA，而VDD=5V时，CMOS的输出电流为I\(_{OH}\)= IOL=1.5mA。很显然，在CMOS输出高电平时，它的输出电流I\(_{OH}\)要驱动TTL或LSTTL的IiH是足足有余的；但当输出低电平时，情况就不同了，这时约可驱动3～4个LSTTL门，勉强驱动一个TTL门（若是过渡部标C000系列CMOS电路，则驱动不了TTL，仅能勉强驱动一个LSTTL门）。因此，如在实用中遇到CMOS的驱动能力不能满足要求时，应增设驱动电流大的接口电路。现在有专用于CMOS→TTL的接口器件，型号为C4009、C4010、C4049和C4050等。其中，C4009和C4049是6反相缓冲变换驱动器；C4010和C4050为6同相缓冲变换驱动器；C4009和C4010是双电源电路，即器件有两个电源端，分别接CMOS和TTL所用的两级电源；C4049和C4050是单源电路，与TTL共用一组电源。采用这类接口电路，约可驱动3～4个TTL门或10～16个LSTTL门。图2和图3分别示出了这类器件的接口实例。它们同样适用于CMOS的V\(_{DD}\)=6～18V的电路。
应当注意的是，当用双电源接口器件（图2）时，为防止V\(_{CC}\)回路电流过大而损坏器件，必须先接通VDD再接V\(_{CC}\)；或者在VDD端中串入一只阻流二极管DZ，见图。
2、CMOS驱动HTL，CMOS驱动HTL时，CMOS的V\(_{DD}\)用15V较为合适，这样不但可以与HTL共用电源，而且可使VOH、V\(_{OL}\)及IiH、I\(_{iL}\)均能满足HTL的要求，均可带动4～5个HTL门。连接电路见图4，系属直接接口。
3、CMOS驱动PMOS：CMOS驱动PMOS时，只要选CMOS的电源电压大于10V，就能满足PMOS对输入电平的要求。具体应用按图5直接接口。一般来说，CMOS的电源电压选10～12V较好。
4、CMOS驱动NMOS：CMOS驱动NMOS通常有以下两种情况。
（1）当NMOS是双电源器件时，CMOS的V\(_{DD}\)常用12V，以与NMOS相配，这时两者可直接接口。
（2）若NMOS是单电源或三电源器件，在CMOS用5V电源的情况下，可直接接口；如果CMOS的V\(_{DD}\)=12V，则需用CMOS→TTL电平变换器接口，具体电路与图3相似，这里不再画出。
5、CMOS驱动HCMOS：一般在CMOS用5V电源时，可直接接口。
6、CMOS驱动LED（发光二极管）或SCR（可控硅）：CMOS在V\(_{DD}\)=5V～15V时，对应的输出电流为1.5～6.8mA，短路输出电流是5～30mA。而一般中、小功率可控硅的触发电流约在10mA以下，因此CMOS可以直接驱动可控硅，具体电路如图6所示。若需要更大的驱动电流，也可通过晶体管放大来提高驱动能力。
用部标C4000系列（或国标CC4000）CMOS电路来直接驱动LED也是可以的。由于LED的工作电流一般在2～10mA，通常有5mA就能发出明显的色光，有些发光效率高的LED在2mA的工作电流下也能发出较亮的光。由此可见，若CMOS的V\(_{DD}\)=10～18V，则足可以驱动一般的LED。
应当说明，用CMOS驱动LED时，要在LED回路串入限流电阻，见图7和图8。这是因为当CMOS的V\(_{D}\)D为10V时，其输出短路电流可达20mA左右，若不串限流电阻，极易导致LED或CMOS受损或烧坏。图7是当CMOS输出低电平时CED点亮的电路，图8是CMOS输出高电平时LED点亮的电路。图7中的R的值可通过公式R=（VDD-V\(_{OL}\)-VLED）/I\(_{LED}\)求出，力8中的R通过公式R=（VOH-V\(_{LED}\)）/ILED求出。两式中的VLED和ILED分别是LED的工作电压和电流。
如果在低电源电压下工作的CMOS要驱动大电流的LED，或者使用驱动能力较差的COOO系列CMOS器件来带动LED，此时就可能难以获得较明亮的色光，解决的办法是加晶体管放大电路来完成。
7、CMOS驱动晶体管：通过晶体管的放大，可使CMOS的驱动能力大大扩展，以致原来CMOS不能驱动的器件，如大电流的可控硅、LED、电磁铁、继电器和灯泡等，都可由CMOS来带动。所用晶体管电路大多采用共发射极形式，见图9。图中的R\(_{1}\)可由公式R1=（V\(_{OH}\)-VBE）β/I\(_{L}\)决定。式中，VBE是晶体管BG的发射结电压，β为BG的电流放大系数，I\(_{L}\)系负载电流。应用这个电路时，应先根据负载（电压和电流）的要求来选定VCC和BG，然后按Ib=I\(_{L}\)／β估算一下Ib是否在CMOS的驱动电流能力之内。若超出，应改换β值高的管子。若相差太大，则要用复合管（达林顿管）。国产复合管有FH7～FH11几个品种可按需选用。若没有现成的复合管，也可用图10所示电路代替。(铁奇)
