近几年来，双栅场效应晶体管已广泛应用于彩色电视机电子调谐器的射频放大及混频电路。现就表中所列的各种参数作些解释。
表中电参数栏中“最大额定值”一般是不能直接测量的，对于这类绝缘栅场效应晶体管更是如此。下面介绍各参数的具体含义。
1．V\(_{DS}\)：漏——源最高电压。
2．V\(_{G1S}\)：第1栅——源最高电压；
3．V\(_{G2S}\)：第2栅——源最高电压；
4．I\(_{D}\)，指最大漏极电流；
5．P\(_{tot}\)，在规定的工作温度范围内的最大总功耗。
6．T\(_{ch}\)，指最高沟道温度。
7．I\(_{G1SS}\)，指漏——源短路，其它端的连接为规定时的第1栅极截止电流；
8．I\(_{G2SS}\)，指漏——源短路，其它端的连接为规定时的第2栅极截止电流；
9．V\(_{DSX}\)，指漏极电流为规定值，其它端的连接为规定时的漏——源电压的最小值。
10．I\(_{DSS}\)，称漏极电流。指漏——源电压为规定值，其它端的连接为规定时的通态电流（对耗尽型场效应晶体管而言）
11．V\(_{G1S}\)（off）：第1栅——源截止电压。它是指在漏极电流已降到规定的低值（对耗尽型场效应晶体管而言）其它端的连接为规定时的第1栅——源截止电压的最小值和最大值。
12．V\(_{G2S}\)（off）：第2栅——源截止电压。它是指在漏极电流已降到规定的低值（对耗尽型场效应晶体管而言），其它端的连接为规定时的第2栅——源截止电压的最小值和最大值。
13．|Y\(_{fS}\)|：正向传输导纳。在规定的偏置和频率条件下，漏——源交流短路时的第1栅极电流均方根值与栅——源电压均方根值之比。
表中所列几种双栅场效应晶体管均采用超小型塑料封装结构，它们的外形分别见图1～图5。图中引出端标志的数字1、2、3、4分别表示不同的电极的代码。其中，3SK74、3SK80、3SK88、3SK103、3SK114和3SK121Y的外形图均为图1，但引线排列不相同，见附表所示，使用时应注意，不要搞错。
表中所列双栅场效应晶体管的型号中，凡有BF字母的均为荷兰飞利浦公司的产品，其余系日本有关公司的产品。
表中所列管子中3SK101、3SK103、3SK122、3SK138、BF989、BF990、BF991、BF992均带有保护二极管，其余则不带。（蔡仁明）