闸流晶体管（通常简称为闸流管，曾称可控硅），它具有三个或更多个结，能从断态转入通态或从通态转入断态的半导体分立器件的统称。其中一种对正阳极电压有开关作用，对负阳极电压没有开关作用而呈现反向阻断状态的三端闸流管，即为反向阻断三极闸流管。
现就封三表中所列的有关参数解释如下：
1．通态平均电流I\(_{T（AV）}\)：通态电流在一整个周期内的平均值。
2．通态（不重复）浪涌电流I\(_{TSM}\)见图1曲线所示，它是一种会导致超过额定等效结温的不重复电流。这种电流是由电路偶然异常（故障）引起的，在闸流管寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的。
3．反向重复峰值电压V\(_{RRM}\)：见图2所示，它是闸流管所能承受重复出现的反向电压的最高瞬时值，包括所有反向重复瞬态电压，但不包括任何反向不重复瞬态电压。
4．断态重复峰值电压V\(_{DRM}\)，闸流管所能承受重复出现的断态电压的最高瞬时值，包括所有的断态重复瞬态电压，但不包括任何断态不重复瞬态电压。
5．反向不重复峰值电压V\(_{RSM}\)：闸流管所能承受的不重复反向瞬态电压的最高瞬时值。
6．断态不重复峰值电压V\(_{DSM}\)：闸流管所能承受的不重复断态瞬态电压的最高瞬时值。
7．控制极正向峰值电压V\(_{FGM}\)：包括所有瞬态电压在内的控制极正向电压的最高瞬时值。
8．控制极反向峰值电压V\(_{RGM}\)：包括所有瞬态电压在内的控制极反向电压的最高瞬时值。
9．控制极正向峰值电流I\(_{FGM}\)：包括所有瞬态电流在内的控制极正向电流的最大瞬时值。
10．控制极峰值功率P\(_{GM}\)：在规定条件下，控制极正向所允许的最大控制极峰值电流与控制极峰值电压之积。
11．控制极平均功率P\(_{G（AV）}\)：在规定条件下，控制极正向所允许的功率耗散的平均值。
12．通态峰值电压V\(_{TM}\)：闸流管通以π倍额定通态平均电流值的峰值电流时的电压最高值。
13．反向重复峰值电流I\(_{RRM}\)：闸流管承受额定反向重复峰值电压时的峰值电流最大值。
14．断态重复峰值电流I\(_{DRM}\)：闸流管承受额定断态重复峰值电压时的峰值电流最大值。
15．维待电流I\(_{H}\)：见图3所示，它是维持闸流管处于通态所需的最小主电流。
16．擎住电流I\(_{L}\)：一经由断态转入通态就去掉触发信号而仍能保持闸流管处于通态所需反向阻断三极闸流晶体管电压——电流特性的最小主电流。
17．控制极触发电流I\(_{GT}\)：导致闸流管由断态转入通态所需的最小控制极电流。
18．控制极触发电压V\(_{GT}\)：产生控制极触发电流所需的控制极电压。
19．控制极不触发电压V\(_{GD}\)：不导致闸流管从断态转入通态的最高控制极电压。
20．断态电压临界上升率dv／dt：在规定条件下，不导致闸流管从断态转入通态的主电压上升率的最高值。
21．电路换向关断时间tq：在外部主电路转换之后，主电流减小到零值的瞬间与闸流管能承受规定的主电压而不致过零开通的瞬间之间的时间间隔。
22．控制极（控制）开通时间t\(_{gt}\)：由控制极触发脉冲导致闸流管从断态转入通态所需的时间。（高俊华）