封三表格中彩色显象管的几个主要参数已在今年第三期47页封三说明中作了解释，这里就不再重复了。下面对偏转线圈参数栏中最后一项偏转指数的单位，即行偏转用A\(^{2}\)mH表示，场偏转用A2Ω表示，作些说明。
偏转线圈的偏转峰值功率由两部分组成，即
P\(_{max}\)＝ULP·i\(_{LP}\)=LP2T\(_{1}\)（IP－P)\(^{2}\)+R\(_{P}\);4（IP－P）2…（1）
式中L\(_{P}\)是偏转线圈的电感量，RP是偏转线圈的电阻值，T\(_{1}\)为扫描正程时间，IP-P为扫描电流的峰峰值。式中第一部分是电感上的储存功率，又称无功功率，第二部分是电阻上的损耗功率，又称有功功率。对于行偏转线圈来说，由于工作频率高（行频为场频的300多倍），正程时间约为52微秒，所以第一项无功功率远远大于第二项有功功率，故行偏转功率可近似表示为：
P\(_{m行}\)=LP2T\(_{1}\)（IP－P)\(^{2}\)……………………………（2）
而对场偏转线圈，其工作频率低，正程时间T\(_{1}\)约为19毫秒，所以电感上的无功功率比电阻上的有功功率小，故场偏转线圈偏转功率可近似表示为
P\(_{m场}\)=RP4（I\(_{P－P}\)）\(^{2}\)………………………………（3）
对特定的显象管来说，在选定某一偏转线圈之后，它的最大偏转功率就是一个定值。因此，以最大偏转功率做为设计偏转电路的主要参数，这是普遍采用的方法。我们把式（2）和式（3）中的可变量称为偏转功率指数，简称偏转指数。很显然，行偏转指数为（I\(_{P－P}\)）\(^{2}\)LP单位是（安培）2·毫亨，即A\(^{2}\)mH；场偏转指数为（I\(_{P－P}\)）2RP，单位是（安培）\(^{2}\)·欧，即A2Ω。
表中给出的是特定显象管，特定偏转线圈在给定工作条件下的偏转功率指数，对同一显象管，若采用不同的偏转线圈，偏转指数会有些不同，实际工作中，都需要精确的偏转指数值，可用规定方法测试。
最后需要说明，偏转指数反映了偏转灵敏度的高低，即偏转指数小的偏转线圈的偏转灵敏度高。偏转灵敏度与偏转线圈的结构、显象管的偏转角、管径所加高压有关。一般说来，减小偏转线圈内径（当然以减小显象管管径为前提）、增加偏转线圈长度，可提高偏转灵敏度；若加大偏转角、增加高压会使偏转灵敏度降低。（田义）
