1．在一般的低频放大器中（见图1），发射极电阻R\(_{e}\)两端并联的电容取值较大，约为几十微法。但有些电路，Ce取值很小，只有几十至几百皮法。想想看这是什么原因？
2．为什么TTL电路的输入端在悬空时可视为输入高电平“I”，而CMOS电路的输入端却不允许悬空。
3．两种复合管电路如图3（a）、图3（b）所示。你能说出它们在性能上有何异同吗？
想想看答案
1．在一般的低频放大电路中，C\(_{e}\)取得较大是为了使它能对Re有良好的旁路作用，以防止因R\(_{e}\)引起负反馈而使电路的放大倍数降低。有的电路Ce取值较小，是为了用它来补偿电路的高频响应。其原理是：信号的频率越高，C\(_{e}\)与Re的并联阻抗越小，电路中的负反馈也就越弱，于是电路的放大倍数得到提高，从而可补偿高频段的频率响应。
若在并联C\(_{e}\)前已知电路的高频截止频率为fH，只要选择C\(_{e}\)使Ce＝1／2πf\(_{H}\)Re，便可将f\(_{H}\)提高。Re越大，f\(_{H}\)提高得也越多，从而改善了电路的高频特性。但是，这样作在中频段由于Re的反馈作用，会使电路的放大倍数降低，因而这里高频特性的改善是以牺牲中频段的放大倍数为代价的。
2．当TTL电路的输入端与地之间接入一电阻R时，就会有输入电流I\(_{i}\)流经R并在R上产生电压UR，见图2。当R的阻值很小时，U\(_{R}\)也很小，TTL电路相当输入一个低电平，即输入为O。当输入对地短路（即R＝O）时，就是理想的O电平输入。反之，R的阻值越大，UR就越高，当高于TTL电路的开门电平时，就相当于有一个高电平接在输入端，即相当于输入为“I”。若输入端悬空，相对于R→∞，这时U\(_{R}\)最高，当然可视为输入高电平“1”。而CMOS电路的输入端是MOS场效应管的栅极，若是悬空，将与分立元件中的MOS场效应管一样，极易产生较高的感应电压而使电路损坏，即使在输入端设有保护装置电路不使电路损坏，也会因电路的输入阻抗很高而引起感应电压破坏电路的正常工作，所以CMOS电路的输入端是不允许悬空的。
3．图3（a）电路是由两只NPN型三极管构成的复合管，图3（b）则是由一只NPN型三极管和一只PNP型三极管构成的复合管。它们在性能上的相同点是：
（1）都相当于一只NPN型三极管。
（2）电流放大倍数都很大。对图（a）来说，有：
i\(_{C}\)=iC1＋i\(_{C2}\)=β1ib1+β\(_{2ib2}\)=β1ib+β\(_{2ie2}\)=β1ib+β\(_{2}\)（1+β1）\(_{ib1}\)=β1ib+β\(_{2}\)（1+β1）\(_{ib}\)。
β=i\(_{c}\)／ib=β\(_{1}\)+β2+β\(_{1}\)β2≈β\(_{1}\)β2。
对图（b）则有：
i\(_{c}\)=ie2=（1+β\(_{2}\)）ib2=（1+β\(_{2}\)）ic1=（1+β\(_{2}\)）β1
i\(_{b1}\)=（1＋β2）β\(_{1ib}\)
β=i\(_{c}\)／ib=β\(_{1}\)+β1β\(_{2}\)≈β1β\(_{2}\)
即它们的共发射极电流放大倍数，都约等于两只三极管共发射极电流放大倍数β\(_{1}\)和β2的乘积。
（3）穿透电流I\(_{CEO}\)都较单只三极管大。这是由于在复合管的穿透电流中，除含有BG2的穿透电流I\(_{CEO2}\)外，还含有BG1的穿透电流I\(_{CEO1}\)经BG2放大后产生的电流。故复合管的穿透电流I\(_{CEO}\)为：
I\(_{CEO}\)=（1+β2）I\(_{CEO1}\)+ICEO2
它们在性能上的不同点是
（1）图（a）电路的导通电压U\(_{BET}\)比图（b）电路高。若BG1、BG\(_{2}\)的导通电压分别为UBET1、U\(_{BET2}\)，则图（a）电路的导通电压UBET=U\(_{BET1}\)＋UBET2。图（b）电路的导通电压U\(_{BET}\)＝UBET1
（2）图（a）电路的输入电阻r\(_{be}\)比图（b）电路大。
对图（6）有：
r\(_{be}\)=Ubei\(_{b}\)=Ube1+U\(_{be2}\);ib1=\(\frac{i}{_{b1}}\)rbe1+i\(_{b2}\)rbe2i\(_{b1}\)
=\(\frac{i}{_{b1}}\)rbe1i\(_{b1}\)+(1+βi)i\(_{b1}\)rbe2;i\(_{b1}\)=rbe1+(1+β\(_{1}\))rbe2
对图（b）则有：
r\(_{be}\)=Ubei\(_{b}\)=Ube1;i\(_{b1}\)=ib1r\(_{be1}\)ib1=r\(_{be1}\)
（吴明）