晶体管参数是用来表示晶体管性能和适用范围的。晶体管参数很多，例如对管子不同工作状态的表征，有直流参数和交流参数；对于接入电路的不同、工作频率的高低，有H参数、Y参数及Z参数等表示方式。因而在选用晶体管时，必须查阅晶体管手册，以便了解它的性能。
主要参数
1．I\(_{cbo}\)和Iceo：前已述及，反向饱和电流I\(_{cbo}\)是指发射极开路时，集电结加反向电压时的反向电流。它反映了集电结质量的好坏，是表示热稳定性的主要参数。穿透电流Iceo是指基极开路时，在c－e间加反向电压时的反向电流，它与I\(_{cbo}\)的关系是Iceo=(1+β)I\(_{cbo}\)。显然，Iceo大的管子，电流损耗大，热稳定性差。一般小功率锗管的I\(_{ceo}\)在几百微安以下，硅管在几微安以下。当然，Icbo和I\(_{ceo}\)都是越小越好。
2．β-和β：前文已提到过晶体管共发射极直流放大系数β-=\(\frac{I}{_{c}}\)Ib，在手册中常用h\(_{FE}\)表示；而共发射极交流放大系数β=ΔIc;ΔI\(_{b}\)，在手册中则常表示为hfe。
由于晶体管制造工艺和原材料生产的离散性，晶体管的β值很难一致，即使同一型号的管子离散性亦较大，一般在20～200之间，因而制造厂常用红、黄、绿、蓝、白等五种色标，打印在管壳上，或用这种颜色的管壳，依次表示管子由低到高的不同β值。
β值可用晶体管特性图示仪或一些专用测量仪表测量。由于晶体管是个非线性器件，因而β值的测量与管子工作电流有关，在不同工作电流时测出的β值不同。为此，在手册中给出β值时，总要注明测试条件才行。还必须注意的是，β值测量一般在较低频率下进行，因而不能完全代表管子在高频时的放大能力，这就需要查阅管子的频率特性参数f\(_{β}\)、fT等。
3．f\(_{β}\)和fT：一般来说，随着工作频率升高，晶体管的放大能力是要降低的。因此，手册中还用f\(_{β}\)和fT两个参数来表示管子的频率特性好坏。
图1所示曲线表示β与频率f之间的关系，可以看出，随着频率的升高，β值开始不变化（曲线水平部分）；当频率升高到一定数值后，β值就下降得很快（曲线的斜线部分）。图中β\(_{0}\)是低频时（例如在1KHz时）测得的管子电流放大系数，当β随频率升高而下降到0.707β0时，对应这点的频率叫共发射极电路的截止频率f\(_{β}\)。由图可见，当频率超过fβ时，β值下降速率更快，频率每增加一倍，β值下降一半（即按照6dB／倍频程的速率下降）。特征频率f\(_{T}\)是当β值降到1时的频率，它说明当工作频率超过fT时，共发射极电路将没有电流放大能力。f\(_{β}\)和fT的换算关系近似为f\(_{β}\)≈fTβ，知道了f\(_{T}\)就可换算出fβ，例如高频小功率管3DG4A的f\(_{T}\)≥200MHz，若测得其β=100，则fβ≥2MHz。
4．极限参数：应用管子还必须了解它能安全工作的界限，这就是手册中必须有的极限参数，例如管子工作时所允许加的最大电压、流过的最大电流和最大功率耗散等参数，使用中切忌超过这些参数，否则将损坏管子。
I\(_{CM}\)——集电极最大允许电流。当工作电流IC超过I\(_{CM}\)时，虽不致使管子立即烧坏，但特性将变坏，例如β值要降低。
BV\(_{ceo}\)——基极开路时，加到集电极与发射极间的最大允许反向电压。若工作电压Vce超过BV\(_{ceo}\)时，IC将急剧增大，管子由于击穿而损坏。
P\(_{CM}\)——集电极最大允许耗散功率。晶体管工作时，虽然IC＜I\(_{CM}\)，Vce＜BV\(_{ceo}\)，但若造成ICV\(_{ce}\)＞PCM，管子仍将烧毁。因此，在使用中应根据P\(_{CM}\)值控制IC和V\(_{ce}\)。例如手册中给出NPN型硅管3DG4的PCM=300mW，若使用时V\(_{ce}\)=10V，就要控制IC不超过\(\frac{300mW}{10V}\)=30mA；反之，若I\(_{C}\)=20mA，就要求Vce＜300mW;20mA=15V。如果从长期可靠工作角度来看，将管子用在半功率以下状态会更好些。（金文）