OTL功率放大电路的推动级与输出级之间通常采用直接耦合方式，直流工作状态互相牵制，因此调整起来较一般晶体管电路困难一些。但是只要掌握了0TL电路电流工作状态的特点，就可以避免调整过程中的盲目性。本文结合具体电路来谈一谈怎样调整OTL电路的直流工作状态。
图1是某晶体管收音机的低频放大电路，它是一个典型的互补对称型OTL电路。由BG\(_{1}\)组成推动级，BG2、BG\(_{3}\)组成互补对称推挽输出级。下面我们先来简述一下它的基本工作过程。设输入信号电压Vi为正弦波电压，当V\(_{i}\)为正半周时，BG1集电极回路中A、B两点对地的信号电压均为负半周。BG\(_{2}\)为NPN型管，此时其发射结为反向偏置，因而处于截止状态，没有集电极电流流通，即iC2=O，而BG\(_{3}\)为PNP型管，其发射结为正向偏置，因而处于导通状态。此时电容C3上的直流电压就要经过BG\(_{3}\)的发射极、集电极及负载RL放电，放电电流就是BG\(_{3}\)的集电极电流iC3，i\(_{C3}\)流过RL时所产生的压降就是输出电压V\(_{0}\)。由于ic3流过R\(_{L}\)的方向为由下到上，所以V0的波形为负半周。当V\(_{i}\)为负半周时，A、B两点对地的信号电压均为正半周，与上面情况恰好相反，BG3发射结为反向偏置，因而变为截止状态，BG\(_{2}\)发射结为正向偏置，因而变为导通状态。此时iC2由电源E\(_{C}\)经BG2、C\(_{3}\)流过RL。由于i\(_{C2}\)流过RL的方向为由上到下，所以V\(_{0}\)的波形为正半周。这样，当Vi变化一周期时，从负载上就可以得到一个完整的一周期的V\(_{0}\)波形。
不过，对推挽输出级来说，要使输出波形正负半周对称，除了激励信号幅度相等及选择特性相同的晶体管BG\(_{2}\)和BG3之外，在电路上还要作到两管的电源电压相等。只有这样，才能保证两管的动态范围一致。否则，电源电压低的晶体管将出现饱和失真，造成正负半周不对称。具体来说，在图1的电路中则要求C点对地的电压V\(_{C}\)为EC2。这时，C\(_{3}\)在静态时两端的充电电压VC3=E\(_{C}\);2，可以把它看作BG3的电源，于是BG\(_{3}\)的电源电压即为VC3=\(\frac{E}{_{C}}\)2；BG2的电源电压为E\(_{C}\)-VC3=E\(_{C}\)-EC;2=\(\frac{E}{_{C}}\)2,从而C点对地电压VC为E\(_{C}\);2就可实现两管电源电压相等的条件，使两管能够对称地工作。
此外，在图1所示的电路中，由于BG\(_{2}\)和BG3轮流进行工作，所以它们分别形成两个半波而合成一个完整的波形。然而，由于晶体管输入特性中存在着“死区”，当输入信号电压很小时，无论是正半周，还是负半周，两管都不能导通，因此在正负半周交接处，将产生所谓“交越失真”，其失真波形见图2。为解决这个问题，在图1中接入了电阻R\(_{5}\)，目的是给BG2、BG\(_{3}\)提供一个较小的正向偏压，使它们处于刚刚开始导通的状态，也就是说，给BG2及BG\(_{3}\)提供一个较小的静态工作电流。这样，在输入信号电压很小时，发射结就能够导通，从而克服了死区造成的影响。
综上所述，互补对称输出级对直流工作状态的要求主要有两点：（1）使C点电压\(\frac{E}{_{C}}\)2；（2）给BG2和BG\(_{3}\)提供一定的正向偏置电压。
那么，怎样来满足这两点要求呢？也就是说，怎样调整电路才能达到所要求的直流工作状态呢？下面先看C点电压V\(_{C}\)的调整。图1中R3、R\(_{4}\)、R5均为推动级BG\(_{1}\)的集电极电阻，其中R3与C\(_{2}\)组成自举电路，R5则是为了给BG\(_{2}\)、BG3提供偏压的。为了避免调整V\(_{C}\)时因R5数值不合适而造成BG\(_{2}\)、BG3的集电极电流I\(_{CQ2}\)、ICQ3过大的情况，事先可将R\(_{5}\)短路。BG1的集电极静态电流I\(_{CQ1}\)要在各电阻上产生压降，于是BG1集电极对地电压V\(_{B}\)将由下式决定VB=E\(_{C}\)－ICQ1（R\(_{3}\)＋R4）。显然，当R\(_{3}\)、R4确定以后，只要调节BG\(_{1}\)的偏流电阻R1，使I\(_{CQ1}\)变化，就能够使VB变化。而C点的电压V\(_{C}\)实际上总要跟随VB变化，最后达到V\(_{C}\)≈VB。这个问题我们可以从下面两种情况来分析：假如R\(_{1}\)调节之后VB高于V\(_{C}\)，则 BG2发射结为正向偏置，因而BG\(_{2}\)导通，有iC2对C\(_{3}\)充电使VC3升高，于是V\(_{C}\)也将随之升高，而接近VB；假如R\(_{1}\)调节之后VB低于V\(_{C}\)，则BG3发射结为正向偏置，因而BG\(_{3}\)导通，C3上的电压V\(_{C3}\)就要通过BG3放电，使V\(_{C3}\)降低，VC也就随之降低而接近V\(_{B}\)。这样，通过调节R1就能够调节V\(_{C}\)，满足VC=\(\frac{E}{_{C}}\)2的要求。例如，若VC低于E\(_{C}\);2时，可将R1加大，于是I\(_{CQ1}\)减少，R3、R\(_{4}\)上的压降也减小，VC便升高；反之，V\(_{C}\)高于EC2时，将R\(_{1}\)减小，VC便降低。实际调整时，可用一个电位器串联一个电阻来代替R\(_{1}\)，慢慢调节电位器，同时监测C点对地的电压VC，使V\(_{C}\)=EC;2即可。
下面再来看BG\(_{2}\)、BG3偏压的调节。由图1可知，若使BG\(_{2}\)、BG3导通，它们的发射结电压V\(_{BE2}\)和 VBE3必须大于死区电压（硅管约为0.6伏，锗管约为0.2伏）。因此BG\(_{2}\)基极对地的电压VA将比发射极对地的电压（在图1中即为C点对地的电压V\(_{C}\)）高VBE2，即V\(_{A}\)=EC2+V\(_{BE2}\)；而BG3基极对地电压V\(_{B}\)将比发射极对地电压低VBE3，即V\(_{B}\)=EC;2－V\(_{BE3}\)。显然，调整A、B两点间电阻R5的大小，则可以使I\(_{CQ1}\)R5=V\(_{AB}\)=VBE2+V\(_{BE3}\)，就能够达到上述要求。实际调整时，因R5的数值很小，可用一个100Ω左右的电位器代替，并把该电位器预先调到最小位置。监测的方法一般不是直接测量V\(_{AB}\)的大小，而是测量BG2、BG\(_{3}\)的直流工作点电流ICQ2、I\(_{CQ3}\)的值。方法是将电流表串联到BG2的集电极与E\(_{C}\)之间，接通电源后，一边调节电位器，一边观察电流表的指示。一般小功率放大器的ICQ2（等于I\(_{CQ3}\)）调到5～10mA即可。
需要说明，V\(_{C}\)及ICQ2、I\(_{CQ3}\)在调节时，要互相影响，VC调好之后再调I\(_{CQ2}\)、 ICQ3时,V\(_{C}\)又要变化，这是由于接入R5之后V\(_{B}\)变化的结果。因此还要再调R1，使V\(_{C}\)再回到EC2的值。而调R\(_{1}\)时，又使ICQ1变化，所以需要反复调整几次才成。(刘铁夫)