NPN硅外延平面型超高频三级管参数

-封三说明

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随着微波技术应用领域的扩大,对超高频管和超高频低噪声管的社会需求量也不断增加。目前国内对双极型超高频管和超高频低噪声管的研制和生产已经成熟。这期封三列出了目前国内生产的主要产品及其技术参数,供大家参考。

图1
图1 🔍原图 (2844×1965)

该类产品主要使用在225~5200MHz的频段内。用做超高频放大、振荡、混频。超高频低噪声管主要用做超高频前置放大等。

1)该类产品的h\(_{FE}\)一般不分档,如果需要分档,应在订货时说明,分档原则见表1。

表1

h\(_{FE}\)范围 25~40 40~55 55~80 80~120 120~180

色 标 橙 黄 绿 蓝 紫

2)表中所列技术参数是设计微波电路和选管的重要依据。表中给出的是在一定测试条件的技术参数值。在右上角标注③对各管的测试条件分别为下列括号内的数据:3DG156(f=30MHz):3DG123、3DG131、3DG152(f=100MHZ);3DG44、3DG81、3DG132(f=400MHz);3DGll3、3DG144(f=600MHz);3DG143、3DG145、3DG146、3DG153(f= 1GHz);3DG154、3DG155(f=2GHZ);3DG148(f=3GHz)、3DG149(f=4GHz)。在右上角标注④对各管的测试条件分别为下列括号内的数据:3DG145、3DG153(f=600MHz);3DG143、3DG148(f=2GHz);3DG149、3DG154、3DG155(f=3GHz)。另外在右上角标注①的测试条件为几T\(_{a}\)=125℃标注②的测试条件为Ta=-55℃。

3)谈类产品在使用中很容易自激损坏,所以在测试和使用时应考虑采用防止自激的措施。例如,在晶体管的基极引线上套一个小磁环或在晶体管的发射极和基极间并一个几微微法的小电容。

4)S参数是设计微波电路的重要依据,工厂最好能给出有关S参数的特性曲线,以利于电路设计和考虑与同类产品的代换。

5)在测量V\(_{(BR)EBO}\)时,仪器的开路电压不能过高,否则容易损坏管子,或使管子性能衰退。

6)表中外型图B—1、B—3、B—4请参看部颁标准SJ139—78。(王长福)