(高俊华)场效应晶体管，不但具有一般双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、可靠性高、寿命长等特点，而且还具有抗辐射能力强和输入阻抗高等特点。因此，在国防上以及国民经济各部门都得到广泛的应用。
1．特性参数的说明：
（1）漏源通态电阻r\(_{DS（on）}\)是体现场效应开关管水平的重要特性参数之一，它与器件的材料、结构设计和工艺有直接的关系。rDS（on）越小的器件，性能越好，水平越高。当然对材料、设计和工艺等的要求也就越高。制做也越困难。目前国外除少数产品r\(_{DS（on）}\)在1OOΩ以上外，绝大部分产品的rDS（on）都在100Ω以下，有的产品r\(_{DS}\)(on)更小，如2N5432～2N5434的rDS（on）小于10Ω，U290的r\(_{DS（on）}\)甚至低达1～2.5Ω。为了体现一定的先进性，表中没有列入rDS（on）较大的产品。目前国内r\(_{DS（on）}\)小于等于100Ω、50Ω或30Ω的器件已能大批量生产，性能基本良好。而生产rDS（on）≤10Ω的器件尚有一定困难，但已能生产了。
（2）开关参数t\(_{on}\)、toff也是场效应开关管很重要的参数。使用情况不同，对开关参数的要求也不同。根据不同的开关参数，又分为A～G档，其中A、B、C、D四档的开关时间较慢，E、F、G三档的开关时间较快。
2．型号对照的说明：目前国内生产场效应开关管的单位并不算多，但在型号、档别的划分依据上却有不同，有的与部标准型号和档别的划分依据完全不同。例如原型号为3DJ3的管子，是依据r\(_{DS（on）}\)的不同，划分为A、B两档，A档的rDS（on）为50～100Ω，B档的r\(_{DS（on）}\)小于55Ω；又如原型号为3DJ7、3DJ8的管子，是依据饱和漏源电流IDSS大小不同划分为若干档。表中虽然列出了新旧型号的对照表，但在选用时，还要根据具体器件的特性参数，进行选择。表中还列出了部分国外同类器件的参考型号，以便提供互换的可能性。虽然国内外同类器件在特性上非常接近，但由于国外器件的功率容量都较大，所以一般可以代替国内同类器件。相反，国内器件只有在功率能满足要求的情况下，才可以代替国外相应器件。
3．外型结构、尺寸和电极排列说明：图1、2、3给出所列器件的外形结构、尺寸和电极排列。对于功耗100mW的器件，有金属封装（见图1，即部标B－1型）、塑料封装（见图2，即部标S－2型）和陶瓷环氧封装（见图3）三种；对于功耗300mW的器件，只有金属封装和塑料封装两种。表中列出了具体型号所采用的封装，可根据使用环境和实际需要选用。
图中给出了按照标准规定的外形结构、尺寸和电极排列法，但是不同的厂家，也有一些不同，有的厂家采用了与部标规定完全不同的外形或电极排列法。例如塑封S－1型的电极排列法，有S、G、D和G、S、D两种。因此，选用时，必须先搞清所用器件的电极排列法，否则容易损坏器件。