光耦合器主要用于稳压电源、光电开关、逻辑电路、脉冲变压器、光削波器、功率计、限幅器等电路中。
由于光耦合器输入、输出端之间在电性能上是隔离的，所以用在电源电压间的匹配、长线传输抗干扰、电路间的隔离等方面，具有独特的优点。光耦合器在微电流输出时，通导压降很小，所以与运算放大器配合，可以作单向或双向低导通开关。
光耦合器由两部分组成。输入端为一个红外发光二极管。它能把驱动电信号变为光信号传递给光敏器件，再由光敏器件把光信号转换为电信号，实现电—光—电的转换。光耦合器的发光部分目前基本上采用红外发光二极管，唯有受光器件功能不同，因而产生了不同类型的光耦合器。采用光敏二极管作受光器件的叫做光敏二极管型光耦合器，以此类推，还有光敏三极管型光耦合器、达林顿型光耦合器、双向光耦合器等。
1．封三介绍的光耦合器的外形是电子工业部颁布的标准中的一种外形。目前国内有些厂家尚未采用这种外形，仍用B型大帽外形和同轴对顶外形两种。GD3外形的外引出线顺序规定如下：在俯视图中，将缺口置于图的左侧，从左下角起按逆时针方向数，依次为1、2、3、4、5、6脚。各脚与电极连接见表。
2．光耦合器主要特征之一是“CTR”，叫做电流传输比。当输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比即为“CTR”。一般发光二极管的正向工作电流规定为10毫安，接受器件所加反向工作电压规定为：二极管型V=V\(_{R}\)；三极管型V=10伏。由于达林顿型的放大倍数太大，所以发光管的正向电流规定为5毫安，集电极所加电压为5伏。仅管如此，在使用达林顿型光耦合器时，在输出电路中仍要加集电极限流电阻，否则容易烧坏器件。
3．光耦合器的另一个主要特性为隔离特性，共有三个参数。其中“入出端绝缘耐压”是主要参数，目前规定为1千伏，个别产品在目录中给出了5千伏，甚至1万伏的耐压。
4．光耦合器的高温性能是在85±2°C的环境中试验的；低温性能是在-40±3°C的环境中试验的。各参数的变化率均有严格规定。寿命试验、高温贮存试验也都有具体规定，可查阅电子工业部颁布的SJ2218－82“半导体光敏二极管型光耦合器”、SJ2219—82“半导体光敏三极管型光耦合器”、SJ2220—82“半导体达林顿型光耦合器”标准。 (周立)