以准互补形式做输出级的OTL、OCL高传真扩音机，其末级常采用图1和图2两种电路。在选用功率管时，除了应考虑管子的功率及耐压外，还有没有其它要注意的问题呢？
让我们做个试验：如果使图1、图2两电路，在同样的负载条件下，使放大器在高音频的某个数值时输出相同的功率（例如，放大10千赫的音频信号，在8欧负载上得到5瓦不失真输出功率），用带有电流表的稳压电源供电，会发现图1比图2的耗电量大几倍！
无线电爱好者在业余制作扩音机时也常发现：使用图1电路时，如果发生高频自激振荡，功放管会很快发烫甚至烧毁。如果同样的高频自激振荡发生在图2电路，功率管也会发烫，但却不那么容易烧毁。也就是说，在发生高频自激时，图2电路不像图1电路耗电量那么大。
上述现象原因何在？原来，晶体管3DD12是一种低频硅管，其特征频率f\(_{T}\)能达到1MHz左右。在高音频区域工作时，管子总会呈现出一定的内阻。对于电源来说，这个内阻是与作为负载的扬声器阻抗成并联形式的。当输出电压幅度一定时，负载上得到一定的功率，管内阻也要消耗掉一部分功率，这两部分功率都是从供电电源中取得的。因为是并联形式，所以管子内阻越小，流过的电流越大，消耗的功率也就越多。对于一些低频锗大功率管，如3AD30、3AD6，其fβ较低（注：f\(_{β}\)≈\(\frac{1}{β}\)·fT），分别仅为2千赫、4千赫，在高音频区域工作时，管子呈现的内阻比上述硅管小很多，实际使用时，即使负载阻抗不变在相同的输出电压幅度下，管子内阻上的损耗功率却要比前者增大许多。这一部分损耗功率加大了，而电源供电电压没有改变，从电源中支取的电流当然要相应地增加很多。也就是说，低频管3AD30等要想获得较大的高音输出功率，只能靠拼大电流来实现。
根据以上实验可以看出，在选择高传真扩音机的功放管时，应考虑特征频率f\(_{T}\)的影响。对于大功率管，在晶体管手册上一般只给出共发射极截止频率fβ、共基极截止频率f\(_{α}\)或特征频率fT中的一个，这三者的关系是：f\(_{α}\)≈fT=β·f\(_{β}\)。低频硅功率管的fT大约总有1兆赫，但低频锗功率管的f\(_{α}\)都较低，fT≈f\(_{α}\)=100千赫的有3AD1～3AD5、3AD18、3AD31、3AD75等，3AD30与3AD6的fβ仅有2千赫或4千赫，假设β=30，f\(_{T}\)也分别仅有60千赫和120千赫，这些管均不能选作为高传真扩音机的功放管。只有在使用前置分频器的扩音机的低频道放大器中，选管压降低、价格便宜的3AD30或3AD6才是可取的。(张国华)