一、什么是晶体三极管的输入特性曲线
本刊第3期上我们介绍了二极管的伏安特性曲线。由于二极管内部只有一个PN结，外部只有正、负两个电极，所以它在一个图上用一条伏安特性曲线可以表示全部特性。而晶体三极管内部有两个PN结，外部有e、b、c三个电极。每一对电极之间的电流、电压关系将受到第三个电极所处情况不同而有所不同，因此三极管的特性曲线要比二极管伏安特性曲线复杂得多。
晶体三极管接入放大电路时，通常采用共基极或共发射极两种接法。在共基极电路中我们把e、b两极之间看作输入端，把c、b之间看作输出端。在共发射极电路中把b、e之间看作输入端，把c、e之间看作输出端。
在三极管输出端加上固定电压值的情况下，输入端电压、电流之间的伏安特性曲线称为输入特性曲线。对应三极管输出端某一电压值，就有对应的一条输入特性曲线。改变输出端电压到几个不同数值，就可以作出几条输入特性曲线，称曲线族。这些曲线族可以直观地反映晶体管的输入特性，并可以从曲线上取得各种重要参数。
二、从曲线看晶体管特性
一般常研究的晶体管输入特性曲线有两种，一种是共基极输入特性曲线，另一种是共发射极输入特性曲线。
（一）共基极输入特性曲线
图 1a为 PNP型晶体管的输入特性曲线测试电路，图1b为NPN型晶体管的输入特性曲线测试电路。调电位器W\(_{2}\)固定在某一位置，使输出端集电极和基极间电压Ubc（或U\(_{cb}\)）为某一数值时，调节电位器W1，使发射极与基极间的电压U\(_{eb}\)（或Ube）变化为几个不同的值，把每个电压值对应的发射极电流i\(_{e}\)记录下来，在直角坐标纸上找出与这一系列Ueb(或U\(_{be}\)）与ie相对应的点，把这些点连接起来，就绘出一条输入特性曲线、再将U\(_{bc}\)调到几个不同的数值，就能分别作出几条对应的输入特性曲线，所以输入特性曲线是一族，如图2所示。其中实线表示锗管的曲线族（以3AG1为例），虚线表示硅管的曲线族（以3CG1A为例），从曲线族上我们可以看出：
1．当基极与集电极间开路时（即 b、c开路），相当图3的情况，输入特性曲线就是发射结这一个PN结二极管的伏安特性曲线见图2a中①线。硅管的正向导通电压为0.6伏左右，锗管的正向导通电压为0.2伏左右；其反向电流在这里称为集电极开路时发射极——基极间反向饱和电流（或集电极开路时发射极——基极间反向截止电流），用I\(_{EBO}\)表示。锗管的IEBO远大于硅管的I\(_{EBO}\)；其反向的击穿电压称为集电极开路时发射极——基极间的击穿电压，用BVEBO表示，一般硅管的BV\(_{EBO}\)都大于锗管的BVEBO。
2．当基极与集电极间短路时（即U\(_{bc}\)＝0），相当图4的情况，集电极C与基极b短接，那么集电极C就有收集发射极e发出的空穴电流的能力，所以和b、c极开路且有相同Ueb值时相比，正向电流i\(_{e}\)显著增大。附表列出3AG1管在两种情况下的ie值。对比一下可以看到相同U\(_{eb}\)时,Ubc＝0时的i\(_{e}\)比 b、c开路时的ie值大。因此画出U\(_{bc}\)=0时的ie曲线②，它的位置在b、c开路时i\(_{e}\)曲线①的左边，称曲线左移。见图2b以及图2a。反向特性曲线基本上没有什么变化。
3．当集电极C与基极b间存在一个反向电压U\(_{bc}\)时，由于c比b的电位低，集电极c收集从发射极e发出的空穴电流的能力进一步加强，所以使输入特性曲线又向左移动见图 2a中③、④曲线，在一定范围内Ubc愈大收集能力就愈强，曲线向左移动就愈大，形成随U\(_{bc}\)值变化的一族曲线。
（二）共发射极输入特性曲线
图5a为PNP型晶体管的输入特性曲线测试电路，图5b为NPN型晶体管的输入特性曲线测试电路。共发射极的输入特性曲线也是曲线族。
图6a是PNP型锗晶体管（以3AG1为例）的输入特性曲线族，图6b是NPN型硅晶体管（以3DG4为例）的输入特性曲线族。图6a、b中c、e间开路和短路时用实线表示，U\(_{ce}\)或Uec＞0时用虚线表示。从图6a曲线族上可以看出：
1.当集电极与发射极间开路时（即e.c开路），相当图7的情况，输入特性曲线就是发射结二极管的伏安特性曲线，正向导通电压为0.2伏左右（因为是锗管），反向电流为I\(_{EBO}\)，击穿电压为BVEBO。
2.当集电极与发射极间短路时（即U\(_{ce}\)=0），相当图8的情况，正向特性曲线由于电流显著增大而向左移动（与e．c开路且有相同Ueb值时电流比较）。反向电流应为集电极开路时发射极——基极间的反向饱和电流I\(_{EBO}\)与ICBO之和，I\(_{CBO}\)是发射极开路时集电极——基极间的反向饱和电流。
3.当U\(_{ec}\)>0时，即 c、e 间存在一个反向偏压时，相同Ueb下的集电极电流i\(_{c}\)增大，基极电流ib减小，所以正向曲线向右移动，U\(_{ec}\)愈大曲线向右移动的愈多，但Uec超过一定位时（一般1伏左右），影响基极电流i\(_{b}\)的效应减弱，故曲线右移减小。
当U\(_{eb}\)小于发射结的正向导通电压（锗管为0、2伏左右，硅管为0.6伏左右），而且Uec又大于U\(_{eb}\)时，基极就会出现一个反方向的电流从集电结穿过，如图上第四象限虚线所示，Ueb继续减小到负电压时，这条虚线就逐渐与U\(_{ec}\)=0的那条反问曲线重合。（耿文学）