本刊1982年第3期及第7期，曾介绍了LY480（原称LE480）高阻抗复合管的原理及用该管制作的高传真扩音机，应读者来信要求，本文讲讲这种管子几项参数的测试方法及使用中的几个特点。
一般测试方法
LY480复合管是由PMOS场效应晶体管和NPN型晶体三极管在同一硅片上集成的，在线路应用中常以跟随器的形式出现。因此，对该管交流性能的测试，主要是测这种混合式跟随器的传输特性。
1．电压传输系数K及最大输入信号电压的测试：电压传输系数K，是指复合管S极（源极）输出电压V\(_{0}\)与输入信号电压Vi之比，即K=V\(_{0}\)／Vi。一般是通过测量正弦信号的有效值来确定的。测试线路如图1，用手倒换开关S，就可以从GB—9型电子管毫伏表上读出V\(_{0}\)和Vi有效值。音频信号源是一个频率f=1千赫的正弦波信号。如果令V\(_{i}\)=1伏，则K=V0。也就是说，此时K值可直接从电子管毫伏表上读出来。一般说来，应满足K≥0.9，高档管应满足K≥0.95，最好的管子其K值可接近于1。图1中的示波器可作为监视用。
逐渐增大输入信号电压，输出信号电压也应成正比例地增大。但当输入信号增大到一定值后，输出信号电压不再变化，示波器上会看到明显的削波现象，此时K值明显下降。“最大输入信号电压”就是指在保证K≥0.9时，所允许的输入信号电压的最大值（对信号幅值而言，应为\(\sqrt{2}\)·V\(_{i}\)）。当电源电压为+12伏时，这个值应为2～2.5伏，最高的可达3.5～4伏。
应注意的是，R\(_{s}\)的大小会影响K值。测试条件规定，在Ec=+12伏时，R\(_{s}\)取1千欧。另外，在正常传输交流信号时，由于Rs的深度负反馈作用，源极S端的直流电位约保持在5～8伏（随管子不同而异），所以必须通过隔直电容C引出交流信号。
也可以用改变管子直流栅电位的方法测量电压传输系数。见图2。栅极G的电位由电位器W分压而定，可从零伏变化到+3伏。此时相应源极（S极）的电压也增加。设栅极电位为零伏时源极电位为V\(_{0}\)1，栅极电位改变到1伏时，源极电位升为V02，那么，电压传输系数就为K=ΔV\(_{0}\)／ΔVi。ΔV\(_{i}\)是栅极电位的变化量，在这里ΔVi＝1-0=1伏；ΔV\(_{0}\)是源极电位的变化量，ΔV0=V\(_{0}\)2－V01。显然，用这种方法可以测出在各个不同栅电位时的K值。此K值的变化量越小越好，一般应小于0.05。LY480复合管的电压传输特性（或称转移特性）见图3。
2.频率特性的测量：以上所讲的传输系数的测试是在直流或低频情况下完成的。随着输入信号频率的增加，由于栅电容的作用，会使管子的输入阻抗降低，管子的复合跨导也会降低，这将导致电压传输系数K值减小。我们定义传输系数K值下降到最大值的0.707倍时所对应的信号频率称为管子的最高工作频率（注意在测试过程中输入信号的幅值应固定不变）。具体测试线路如图4。输入和输出的高频信号经过同一整流系统后再测量，其目的是可减小各种干扰造成的测量误差。信号引出线要使用同轴电缆线，被测部分要置于接地良好的屏蔽盒内。所有仪表及稳压电源的外壳都要接大地。这样，对应每一个频率下的信号都可测出它的电压传输系数，从而可测出该跟随器的频带宽度，其特性曲线如图5所示。实测表明，在频率为35兆赫左右时，K值开始有所下降，此的频率宽度可达70兆赫。
3．直流输入阻抗的测量：常规测量时，是将栅极G和源极S两个管脚接入高阻表或静电计的测量插座上测试，S极接正极性端，可直接按档位读数。应注意的是测试时应选用10伏档，不能选用高压档，以免击穿管子栅极。
在业余条件下，也可用万用表测试该管的栅质量。将万用表打在1千欧档，先将红表笔接管子的栅极G，黑表笔接源极S，表针应不动，至少要大于500千欧以上，说明栅极是好的；如果小于500千欧，说明管子栅极漏电大，不好用；若电阻值接近零，显然是栅穿损坏了。如果管子栅电阻经测试合格，可将表笔对调，如果此时所测阻值与表笔对调前相同，说明该管内部没有设栅保护二极管；若电阻值小于10千欧（一般在2千欧左右），说明该管内部已设置有栅保护二极管。
4．源——射击穿电压BV\(_{s}\)eo和栅——源击穿电压BVGSO的测量：这两个参数可在晶体管特性图示仪上按一般NPN晶体管击穿电压的测试方法进行测试。源极应始终接正电位。应注意的是BV\(_{GSO}\)超过击穿电压极限时，是破坏性的，应避免这种情况发生。
简易测试盒
在业余条件下，如果读者仅想了解一下LY480管的好坏，并不想全面知道上述各个参数的数值，可如图6所示自行制作一个简易测试盒，使用起来是很方便的。
图6测试器仅需几个容易找到的元件：磷砷化镓发光二极管一个，300欧电阻一只，三脚晶体管插座一只，小型按钮开关一个，15伏积层电池一块。整个部件可装在一个小塑料肥皂盆中。插座、发光管和按钮开关装在盒盖上。由于未插入管子前电源没有通路，所以可不设电源开关。插入管子后，按钮开关的常闭触点将栅——源短路，即V\(_{GS}\)= 0伏，管子不导通，则发光管不亮；按下按钮开关后，常开触点将栅极与射极短路，VGS为负值，管子导通，电流流过发光二极管，驱动其发光。串接的300欧电阻起限流作用，可防止发光二极管烧坏。满足上述要求时，说明高阻抗复合管功能正常；如果插入管子后，不按开关，发光管就亮了，说明源——射极穿通或MOS管的源——漏极穿通，管子已损坏；如果插入管子后，按下开关，发光管仍不亮，说明管子可能栅穿了，或者是栅漏电太大，失去了栅控作用，此时管子也不能再使用。
使用特点
正象本刊1982年第3期中介绍的那样，该复合管主要是以跟随器的形式，在电路中作为阻抗变换级或缓冲级。既可以单独使用，又可选配构成差动跟随器使用，以减小失调和温漂的影响。下面介绍一下使用中的特点。
1．单管构成的跟随器：线路连接参见图1。信号由栅极G直接输入，输出信号由源极S引出。信号既可以是交流电压，也可以是直流电压。只要在最大允许的输入信号电压范围内改变栅极电位，源极输出电位就相应地跟随栅电位变化。当栅极G的电位固定时，工作电流I\(_{s}\)则随电源电压的增加而成正比例地增加。而S极的输出电位，由于有负反馈电阻Rs的作用，所以基本保持不变。例如，如果栅极电位固定在-3伏，当电源电压从10伏增大到30伏时，源极电位仅由3伏变到3.4伏左右，而工作电流却可以由7毫安上升到21毫安左右。也就是说，该管的电压传输系数基本上不受电源电压波动的影响。因此，对电源电压稳定度的要求是很低的。
由于工作电流I\(_{s}\)主要是NPN管中通过的集电极电流，因此所承受的负载能力比一般场效应管要大得多。它可以带动发光二极管、小型继电器等工作，更可以作为集成电路的输入驱动级。
2．差动跟随器：在某些场合，例如与集成运放块配接以提高电路的输入阻抗，要求输入失调电压和温漂要小。这时可通过选配，将两只电参数相同的LY480如图7所示连接成差动跟随器。差动电路的A、B端后面可以连接F007、BG305等线性集成运放电路的正、反相输入端（要求线性集成电路的共模电压能达到10伏左右）。这样就可构成输入阻抗很高的线性放大电路组件。
为了测量这种对管的输出失调电压，可按图8接线。当C点电位为零时，测出的V\(_{AB}\)就是通常定义的差分对管的失调电压。这个值一般应小于8毫伏。当C点电位由-3伏变到+3伏时，VAB一般可选在20毫伏以下。之所以比零伏输入时失调电压大，是由于这种对管的传输系数线性度的对称性不甚理想。
3. 在大多数电子线路中，都希望所使用的器件参数温度漂移要小。LY480复合管构成的跟随器，由于在源极回路中串接了具有深度负反馈的负载电阻，所以工作的稳定性较好。经实测证明，当温度从-55℃～+125℃变化时，该跟随器的传输系数几乎不发生变化。如果在使用中不要求传输系数很严格（例如在某些保护电路中作开关应用），在射极与地之间可再串接一个100欧左右的小电阻，会使电路的稳定性进一步提高，失真度进一步减小。失真度一般可小于0.003。
4．一般MOS场效应晶体管的栅极容易发生静电击穿，最初试制的这种高阻抗管也存在这个问题。但是目前正式生产的管子，由于采用了必要的工艺措施，静电击穿的矛盾已经不突出了。经多次试验证明，将管子栅极引脚在化纤织物上反复蹭磨，或用15瓦内热式烙铁通电焊接5秒钟以内，均未发生栅穿现象。上机之后也没有出现栅穿现象。当然，为了保险起见，焊接时还是注意一些为好，最好采用瞬时断电焊接法。特别是对于阻抗极高的C档管，更应注意栅穿问题。
此外，该管金属外壳与内部管心的源极和集电极是相通的，在使用时切记不要将外壳接地，也不要使其与其它元件相碰。
5．为了满足民用产品用户需要，最近济南半导体试验所开始生产全塑封LY480高阻抗复合管。管脚排列尺寸如图9。电性能基本与以前生产的B\(_{1}\)型金属壳封装管相同。(刘庚乾)
