一、单结晶体音符号：单结晶体管又叫双基极二极管，它的符号如图1a所示。符号中带箭头的那极为发射吸，用字母E表示；箭头所指的那条直角折线是第一基极用B\(_{1}\)表示；另一条直角折线是第二基极，用字母B2表示。常见的单结管有两种：一种型号是BT31，采用陶瓷封装；另一种型号是BT33，采用金属管壳封装。这两种管子外形如图1b。在使用单结管时，一般都是把B\(_{1}\)接地，或者通过电阻接地。B2连通电源正极，发射极通过一个电阻接电源正极。最常用的单结管电路就是他张振荡器电路，其原理图如图1c。
检查单结管好坏的方法是用万用表电阻档（R×100或R×1K）测B\(_{1}\)和E以及测B2和E的电阻。根据图1d的等效电路。按照测二极管正、反向电阻的方法，即把B\(_{1}\)和E、B2和E看成是两只二极管，如图1d所示。这样可粗略判断单结管的好坏。
二、场效应晶体管符号；场效应晶体管品种很多，但总的可分为两大类：一类是结型场效应管；另一类是绝缘栅场效应管，也叫金属一氧化物一半导体绝缘棚场效应管，简称MOS（读作磨斯）场效应管。场效应管根据所用半导体材料不同可分为N沟道和P沟道两种。图2为各种场效应管的符号。符号中的圆圈表示管壳，圆圈中的竖黑线（象普通三极管基极一样）表示导电沟道，竖黑线上边的一条直角折线表示漏极（类似普通三极管的集电极），用字母D表示；竖黑线下边的一条直角折线表示源极（类似普通三极管的发射极），用字母S表示；竖黑钱左边的带箭头的直线表示栅极（类似普通三极管的基极），用字母G表示。从符号中箭头的指向，可以区别它是哪种沟道的结型场效应管。图2a符号中箭头指向沟道，即为N型沟道结型场效应管。3DJ6就是这种类型管子。图2b中箭头背离沟道即为P型沟道给型场效应管。图2中c、d为MOS场效应管的符号，其中栅极都不直接与沟道接触，表示管子中栅极与漏极、源极是绝缘的。符号中带箭头的直角折线表示源极，图2c中箭头朝外表示N型沟道MOS管，如3DO1等就是这种管子。图2d符号中源极箭头朝里表示P型沟道MOS管。符号中源极箭头除了表示沟道极性外，还表示源极和漏极不能互换。而结型场效应管的源极与漏极则可以互换使用。常用的场效应晶体管有N沟道结型场效应管3DJ6等，还有N沟道MOS管3DO1等。它们的外形如图3a所示。场效应晶体管常用的电路就是小信号放大电路，如图3b所示。
在实际使用中结型场效应管比MOS型管不易损坏。一般判别结型场效应管3DJ6类型的好坏，可以用万用表电阻档（R×100或×1K）进行测量，GD和GS都应当呈现硅二极管的特性，即正向通（万用表黑笔接G，红笔接D或S），反向不通。MOS管由于它的输入电阻很大，使得栅极的感应电荷不易泄放，所以MOS管保存或使用不当时，都极易造成管子击穿。为了避免损坏MOS管，关键在于避免栅极悬空，因此在栅源两极之间必须绝对保持直流通路。贮存的MOS管，应使它的三个电极短路。例如用铝箔包上或三个管脚拧在一起。在焊接时，烙铁要良好接地，或者焊接时，拔下烙铁的电源插头，利用烙铁余热进行焊接。
判别MOS管的好坏，不能用万用表，而应使用晶体管测试仪，或直接接在一个好机器上试一下。
三、硅可控整流元件符号：硅可控整流元件简称可控硅，用字母SCR表示。它的符号见图4a。它很象一个二极管，只不过在二极管负极线旁边又引出一个极，这个极叫控制极用字母G表示。在二极管正极一端的引出线在这里叫“阳极”，用字母A·表示；二极管负极（粗短线）一端的引出线在这里叫“阴极”，用字母C表示。可控硅中有三个PN结，如图4b所示，好象是三个二极管极性正反交叉地联在一起，如图4c所示。可控硅有很多品种，在无线电爱好者当中常用的是小功率的可控硅（正向平均电流在5安以下），它们的外形如图4d所示。可控硅在使用时，只有在阳极接正，阴极接负，同时控制极加入适当的正触发信号时才能导通，可控硅触发导通后，控制板就失去了作用。此时如果使电源电压降到接近于零，可控硅就不能维持导通而关断了。常见的可控硅应用电路是可控整流电路。
可控硅的三个极可以用万用表电阻挡（R×100）来区分。我们根据图4C可以看出民C之间相当于一个二极管，G为二极管正极，C为二极管负极，所以按测二极管的方法，找出三个极中有两个极和二极管一样正向通，反向不通，就可进行判断，其中电阻小的一次（正向时），万用表黑表笔接的就是G,红表笔接的就是C。剩下的一个极就是A。三个极找出来后就可以按图5的电路来试验可控硅的好坏了。当按钮开关按一下，灯泡就应点亮，否则就说明可控硅是坏的。图中可控硅为3CT5A型，若改用3CT1KB型，则G端接+1.5伏处。（沈征）