集电结短接的三极管

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电路中的短路现象是大家所熟知的。例如有一电阻R=3KΩ,接于电压为3伏的电源上,则通过R的电流I\(_{1}\)=1mA,见图1a。如果用一根导线连接R两端,那么R就被短路(见图1b),这时从电源流出的数值很大的电流I2几乎全部从导线上通过,而通过R的电流等于0。在集成电路中,常常把晶体管的基极和集电极短接起来当二极管使用,见图2。这时集电结被短路,能不能说通过该集电结的电流也等于0呢?问题不是那样简单。为了弄清这个问题,还是让我们从晶体管的工作原理谈起。

图1
图1 🔍原图 (205×359)
图2
图2 🔍原图 (167×197)

以NPN管为例,在放大区工作时,它的发射结接正向偏压V\(_{be}\)(见图3),集电结接反向偏压Vbc,左边的N型半导体叫发射区,中间的P型半导体叫基区,右边的N型半导体叫集电区。内部载流子的运动情况大致如下:发射区的多数载流子(电子)在V\(_{be}\)的作用下越过发射结的阻挡层进入基区,形成发射极电流Ie。进入基区的电子将向集电区方向扩散,在扩散过程中,部分电子与基区的空穴相遇产生复合作用,被复合掉的空穴由电源V\(_{be}\)不断补充,这就形成了基极电流Ib。由于基区很薄,空穴浓度也不大,所以电子在基区复合的机会很少,I\(_{b}\)甚小,而绝大多数电子都会扩散到集电结边缘。如果集电结加反向偏压,则阻挡层较宽,在阻挡层内部电场力的作用下,到达集电结边缘的电子很快就被“拉”到集电区,形成集电极电流Ic。显然,I\(_{e}\)=Ib+I\(_{c}\),由于Ic>>I\(_{b}\),所以Ic≈I\(_{e}\)。

图3
图3 🔍原图 (395×539)

把b、c两极短接之后(见图3b),载流子的运动将会发生什么样的变化呢?显然发射结并没有发生变化,即发射区发射电子的能力不变(因为V\(_{be}\)没有变),所不同的是集电结原来加的是反向偏压,而现在则变成零偏压,因而使集电结阻挡层的宽度变窄。电子从发射区扩散到基区后,电子与空穴的复合机会同样是很少的,所以基极电流Ib仍然很小,而绝大多数电子仍然会扩散到集电结的边缘。这时虽然V\(_{bc}\)=0,但由于集电结阻挡层仍然存在,在阻挡层内电场的作用下,同样可以把集电结边缘的电子“拉”到集电区中去,形成集电极电流Ic。通常我们把V\(_{bc}\)=0的状态叫作临界饱和状态。和Vbc<0时相比,这时的I\(_{c}\)略小一点,但Ic>>I\(_{b}\),Ie= I\(_{c}\)+Ib≈I\(_{c}\)的关系式仍然成立。只有当Vbe也等于0或小于0,并使I\(_{e}\)=0时,Ic才成为“无源之水,无本之木”,自然也就为0了。

上述问题还可以从晶体管共基极输出特性曲线(见图4)得到明确的解答。由图4可知,当I\(_{e}\)=0时,不管Vbc为何值,I\(_{c}\)总是等于ICBO(截止区);当I\(_{e}\)不为0时,即使Vbc=0,集电极电流I\(_{c}\)也不为0,其数值基本上和放大区相同。例如,Ie=2毫安、V\(_{bc}\)=-4伏时,Ic≈2毫安;而当I\(_{e}\)=2毫安,Vbc=0时,I\(_{c}\)只是略小于2毫安。只有当集电结正偏,即Vbc>0时,集电区的多数载流子(电子)向基区流动才会占主导地位,使I\(_{c}\)迅速减小,甚至反向(饱和区)。由此我们可以得出如下结论:当三极管的发射极电流Ie不为0时,即使集电结被短路,仍然有集电极电流I\(_{c}\),并且Ic≈I\(_{e}\)。这和被短路的电阻上无电流通过的情形截然不同。其根本原因在于电阻为无源元件,而晶体管则为有源元件。

图4
图4 🔍原图 (411×339)
图5
图5 🔍原图 (405×253)

在集成电路中,把集电结短路的三极管当二极管使用的例子是很多的,如图5所示的镜象电路中的BG\(_{2}\)就是一例。此电路的工作原理可简述如下:BG1、BG\(_{2}\)是两只在相同工艺条件下做成的对称晶体管,它们的参数基本上一致。BG1是工作于放大区的三极管,它的电流关系为:I\(_{e1}\)=I0+I\(_{b}\),由于I0>>I\(_{b}\),所以Ie1≈I\(_{0}\)。对于BG2来说,集电结被短路,其作用相当于二极管。前面已经谈到,这样连接使用的三极管仍然有集电极电流,而且仍然是I\(_{e2}\)=Ic+I\(_{b}\),由于Ic>>I\(_{b}\),所以Ie2≈I\(_{c}\)。由图5可知,两个管子的发射结压降Vbe1=V\(_{be2}\),所以Ie1=I\(_{e2}\),于是Ic=I\(_{0}\),而IR=I\(_{c}\)+2Ib≈I\(_{c}\),因此I0=I\(_{R}\)=\(\frac{E-0.6}{R}\)。我们称I0为工作电流,I\(_{R}\)为参考电流,当E和R确定时,IR便被确定,I\(_{0}\)也随之确定;如果IR变化,则I\(_{0}\)也发生同样的变化。I0和I\(_{R}\)的关系同平面镜的象与物的关系相似,故取名为“镜象电路”。由于BG2和BG\(_{1}\)的参数、温度特性等基本一致,因此电路的对称性、温度特性等都较好。BG2虽然只起一个二极管的作用,但二极管却很难具备这些优点,因此这种镜象电路在集成电路中被广泛地用作恒流源电路。(石连运)