晶体三极管的电参数I\(_{CEO}\)，是晶体管基极开路时，集电极与发射极间的反向漏电流，通常也称为穿透电流。ICEO是表征晶体管性能好坏的一个很重要的直流电参数。我们在选用晶体管时，应该尽量选取I\(_{CEO}\)较小的管子。ICEO小的管子性能稳定、可靠、功耗低、噪声系数小。下面我们来谈谈这个问题。
造成晶体管I\(_{CEO}\)大的原因是什么呢？首先，在晶体管制造工艺过程中，由于芯片表面受到沾污，表面清洗不干净，或是制造过程中造成PN结内部有损伤等都会使ICEO比较大。其次，晶体管的外壳封装不良，管脚电极之间漏电，也会使I\(_{CEO}\)变大。另外，分析可知，ICEO与共发射极电流放大倍数β及集电结反向漏电流I\(_{CBO}\)有下列关系式：
I\(_{CEO}\)=（1+β）ICBO
所以β过高的管子，在较小的I\(_{CBO}\)时，也会有较大的ICEO。我们知道β过高的管子在电路中工作往往是不稳定的。所以说I\(_{CEO}\)大的管子是一种带“病”的管子，是一种存在着内在缺陷的管子。
如果在电路中使用了I\(_{CEO}\)大的晶体管，会产生什么不良后果呢？
（一）管子耗散功率大、热稳定性差
我们以锗低频小功率管3AX31为例，正常管子在V\(_{CE}\)=－6V的条件下测试，其ICEO≤0.5mA,相应其集电极耗散功率小于3毫瓦。该管的集电极最大允许耗散功率P\(_{CM}\)是125毫瓦。因而ICEO电流所耗用的功率是微不足道的。如果选用了I\(_{CEO}\)为6mA的管子，那么在-6V工作电压下，ICEO所耗用的直流功率竟达到36毫瓦了，快占去该管PCM的三分之一了。这就是说，在无信号时管子已耗用了较大的功率。I\(_{CEO}\)是对温度敏感的参数，温度上升时ICEO增大。计算表明，温度每升高10℃，其I\(_{CEO}\)就会增加近一倍，而且锗晶体管比硅晶体管对温度更加敏感，在工作环境温度要求较高的电路上应尽量选用硅晶体管。
（二）调整集电极电流I\(_{C}\)困难、噪声大
晶体管在进行放大工作时，要有一定的起始电流（即所谓工作点），使用I\(_{CEO}\)大的管子时，集电极电流IC数值过大调不下来，甚至去掉基极偏流电阻，I\(_{C}\)仍然偏大，这样就会产生信号失真。增加（增大）电路上发射极串联电阻RE可以改善上述状态。另外，I\(_{CEO}\)大的管子一般噪声系数也大，在工作时噪声较大，所以在放大器前置放大级所用的晶体管应尽量选取ICEO较小的管子。
综上所述，I\(_{CEO}\)大反映了晶体管的特性不佳，在选用晶体管时应尽量选取ICEO较小的管子，在其它参数满足指标的前提下，I\(_{CEO}\)越小越好。 （锦·尧）