(张维力)苏联半导体分立器件型号命名方法先后使用过三个标准。1964年以前采用苏联国家标准（FOCT）5461—59规定的命名方法，六十年代初无线电爱好者常用的Д1A、Д1Б二极管和П6A、П6Б、П401三极管就是按此标准命名的。1965年改按苏联国家标准（FOCT）10862—64命名法命名。到了1973年再次改变规定，又按苏联国家标准（ГOCT）10862—72命名法命名。由于经过这几次修改与完善，因此其命名方法比较合理和确切，一般根据半导体分立器件的型号，就能了解它们的基本特性。下面介绍目前苏联与部分东欧国家实行的半导体分立器件型号的命名方法，即（ГOCT）10862—72。
主要内容
根据（FOCT）10862—72的规定，半导体分立器件的型号由四个基本部分组成。这四个基本部分的符号、数字及其代表的意义归纳起来列于附表。
附表中第三部分有关三极管特性的分类标准为：
按集电极最大耗散功率PCM的大小划分为小、中、大功率管。
P\(_{CM}\)≤0.3瓦为小功率管，
.3瓦＜P\(_{CM}\)≤1.5瓦为中功率管，
P\(_{CM}\)＞1.5瓦为大功率管。
按特征频率f\(_{T}\)的高低划分为低、中、高和特高频管。
f\(_{T}\)≤3兆赫为低频管，
3兆赫＜f\(_{T}\)≤30兆赫为中频管，
30兆赫＜f\(_{T}\)≤300兆赫为高频管，
f\(_{T}\)＞300兆赫为特高频管。
附表中开关二极管的反向恢复时间τ\(_{恢复}\)是指二极管由正向导通状态急剧转变到截止状态所需的时间。
附表中有关整流器件与可控硅的分类标准为：按额定正向整流电流的平均值（I\(_{F}\)）划分为小功率与中功率管。
I\(_{F}\)≤0.3安为小功率管，
.3安＜I\(_{F}\)≤10安为中功率管，
I\(_{F}\)＞10安的大功率管不按此标准命名。
附表中稳压二极管按其最大耗散功率P\(_{ZM}\)划分为小、中、大功率管：
P\(_{ZM}\)≤0.3瓦为小功率管，
.3瓦＜P\(_{ZM}\)≤5瓦为中功率管，
P\(_{ZM}\)＞5瓦为大功率管。
此外还根据稳定电压（V\(_{Z}\)）进行分类。
附表中发光器件首先根据其光谱特性划分为红外光与可见光两类。其次还根据器件发光亮度（B）进行分类，亮度的单位为尼特（Nit）。
使用常识
（一）苏联半导体分立器件型号的特征是开头为两个俄文字母，或者是一个数字和一个俄文字母。根据这个特征，可以从半导体分立器件的型号立即判断出是否为苏联或某些东欧国家的产品。
（二）型号第二部分的俄文字母表示器件的类别，如常用的硅三极管型号开头为KT或2T，而常用锗三极管型号开头为ГT或1T；
（三）苏联半导体分立器件型号中的数字表示该器件的设计序列号，但在一定范围内，它还有完全确定的意义，如三极管设计序列号若在101～199范围内，则一定是低频小功率三极管，这一点和其它几种型号命名法（如欧洲、美国等）是不同的。
实例介绍
