上海无线电十七厂，为满足发展全频道电视机的需要和提高电视机的可靠性，采用一些半导体技术的新结构和新工艺，试制成功十种半导体器件。
全频道电视机UHF高频头用的三种器件
BS11型混频二极管是一种面结型的表面势垒二极管，采用全密封环氧树脂陶瓷封装，外形尺寸φ2毫米。它用于全频道电视机高频调谐器的混频部分，具有串联电阻小、截止频率高、开关速度快、混频效率高的特点。其电参数与日本电气公司的1SS16和松下公司的1SS90相当。
BS12型NPN硅外延平面高频小功率管的生产采用了高硼微晶玻璃扩散源、零次氧化、硅酮封装等新工艺，减少了高频寄生参数的影响，特征频率大于1000MHz，并有足够的振荡功率，适用于全频道电视机高频调谐器的本机振荡。体积为5×5×4毫米\(_{3}\)。电参数与日本生产的2SC684相当。
BS13型NPN硅平面高频小功率三极管是用单晶片和平面工艺制作的硅晶体管，采用了高硼微晶玻璃扩散源、零次氧化、陶瓷微带封装新工艺。这种晶体管可用在全频道电视机调谐器的高频放大部分。其特征频率为750MHz、功率增益大于10dB，并有正向AGC功能。它的引线电感和分布电容较小，能在UHF频段稳定工作。其电参数与日本电气公司生产的2SC1070相当。
一体化行输出变压器用器件
BS9型玻璃钝化电视机高压硅堆采用扩散法台面工艺制作的一种高压器件，它用高纯低熔点玻璃粉作P—N结的钝化材料兼封装材料，因而具有体积小、气密性好、电参数稳定、高温性能优越等特点。是国内新试制的彩色、黑白电视机阻燃一体化行输出变压器的关键元件，性能比国产环氧树脂封装的高压硅堆要好。其主要参数指标：反向重复峰值电压12～20KV（分挡），反向电流≤5μA（100℃以下），反向恢复时间≤0.3μS，高温高压跌落＜500V（100℃以下），正向不重复浪涌电流为0.5A，外形尺寸φ2.5×13毫米3。性能与日本日立公司的y16、y18相当。
电视机用四种功率二极管
BS15型高频整流二极管、BS16型电源整流二极管、BS17型阻尼二极管、BS18型升压二极管是采用扩散法台面工艺设计制造的一套硅酮封装功率二极管，它们是环氧树脂封装的功率二极营的换代产品，可分别取代2CZ21高频整流二极管、2CZ85整流二极管、2CN2阻尼二极管和2CN1升压二极管。使用这种新元件，可以提高电视机的高温性能、降低成本。这些新元件由于采取了轴向焊接、电镀铅锡、线切割芯片、铂扩散和硅酮封装新工艺，质量稳定可靠，外形小巧美观。其外形尺寸为φ5毫米×7.5毫米，基本上与日本、美国、西德的同类产品一致。这样既有利于与引进的整机装配线配套，又能为今后进入国际市场打好基础。
整流二极管和桥式整流器
BS2型硅整流二极管是扩散型硅酮封装1A整流二极管，具有成本低、体积小、漏电小、功率大、温度性能好等优点，是环氧树脂封装的2CZ85和2CP5作电视机、录音机，收音机的电源整流元件。它的外形尺寸和电参数基本上与美国微电子公司生产的1N4001～4007型产品相同。
BS7型硅单相桥式整流器是一种采用BS2管芯组装、硅酮封装的单相桥式整流器，可作收音机、录音机、电视机的电源整流元件。其性能指标和外形尺寸和美国微电子公司生产的B40、B80、B125、B500桥堆基本相同。
主要性能：额定整流电流（平均）1A，额定反向峰值电压25～500V（分挡），正向压降（对臂）≤1.2V，
≤10μA（25℃）
反向漏电流（对臂）≤200μA（125℃）
外形尺寸：12×18×6毫米3
以上十种产品经有关部门鉴定，均通过设计定型，即投入批量生产。（本刊通讯员）
红灯JBE—1型无线电话机
上海无线电二厂生产的红灯JBE—1型无线电话机由发射机和接收机二部分组成。收发同频，均采用晶体稳频，共采用七块晶体，频率范围为461.2～462.1MHz，分三个固定频道。发射机晶振频率17MHz左右，经间接调频后27倍频、放大，然后输至天线。接收机采用二次变频，第一中频10.7MHz，第二中频2.2MHz。机内用10节GNy—0.8镍镉电池供电，并有外接电源插孔，发射功率1～2瓦，接收灵敏度1微伏左右，音频输出功率大于200毫瓦。机器工作在超高频频段（UHF），外界干扰小，电波覆盖性能优于甚高频（VHF）。由于采用晶体稳频，频道固定，操作简单。整机外形尺寸为200×150×60毫米\(^{3}\)，重量2.2公斤，体小量轻，便于携带。
该机通话清晰，稳定可靠，通话距离据使用环境及条件而异。一般在开阔地带使用随机附带的鞭状天线，通话距离为3～5公里；如果采用15米高全向天线。通话距离可达20～25公里；若采用25米高定向天线，通话距离将提高到40公里左右。（齐林）