一般晶体管延时开关（图1）如果关断后立即再开启，由于电容器C\(_{T}\)经由晶体管BG的基射结放电速度较慢，常造成延时指标降低。为克服上述缺点，笔者试制了两种具有自放电回路的晶体管延时开关。
1.图2是一种用晶体管控制的具有C\(_{T}\)自放电回路的晶体管延时开关原理图。常态时BG1截止、BG\(_{2}\)导通，CT经D、BG\(_{2}\)和RF构成回路，处于放电状态。当合上开关K后，BG\(_{1}\)导通，BG2截止，延时电路正常工作。当再断开开关K时，电容C\(_{T}\)又经D、BG2、R\(_{F}\)放电，因回路阻抗很小，放电速度较快。RF越小，放电越快。实际使用电路见图3，输出端加了一级3DK9C，使推动能力达0.5瓦左右，延时时间由R\(_{T}\)CT决定，本电路约为2分钟。
2．图4是一种用集成电路控制的具有C\(_{T}\)自放电回路的延时开关原理图。用两个非门和一只晶体管组成控制电路。常态时，控制端为“0”（低电位），非门F1的输出端为“1”（高电位），晶体管BG导通，电容器C\(_{T}\)经D2、BG、R\(_{F}\)构成回路，处于放电状态。F2的输出端处于“0”态，延时电路不工作。当控制端加上“1”信号后，两个非门翻转，F\(_{1}\)的输出端为“0”，使晶体管BG截止；F2的输出端为“1”，经R\(_{T}\)向CT充电，延时开始。实际使用电路见图5，输出功率和延时时间均与图3相同。图中D\(_{1}\)、D2为反向隔离二极管，R\(_{1}\)为保护电阻，R2为降压电阻，R\(_{Z}\)为负载电阻。（李忠善）
