D016型超高频微伏电压校准装置
北京无线电仪器二厂研制的D016型超高频微伏电压校准装置，主要用来验定超高频标准信号发生器的载波电压输出，也可以分析信号的频谱，精密测量各谱线的电压，和对超高频电压表、超高频衰减器进行测试，荣获1980年科研成果二等奖。
D016由高灵敏度跟踪锁相接收机、超高频信号源、射频电压标准座、测量相对电平的截止波导衰减器和射频电动板线开关五部分组成。装置中采用了一些新技术，如YIG（钇铁柘榴石）磁调本振源、高中频技术、锁相技术、自动化控制技术、微带技术、电动射频开关、同步连动技术等等，提高了仪器的自动化水平和精确度、稳定度、灵敏度，体积与重量也大大减少。耗电量低于35W, 测量电压范围1μV～1V，测量频率范围30～1000MH\(_{Z}\)，测量电平范围0～120dB（0dB=1μV），标准电平精度100dB±0.2dB。（D016型超高频微伏电压标准装置试制组）
XC—781、XC—782型快前沿大幅度脉冲信号源
北京市半导体器件二厂研制成功的XC—781、XC—782型快前沿大幅度脉冲信号源，荣获北京市1980年科研成果三等奖。用此仪器作信号源，可以测高速开关三极管的开关参数、超高速电路的速度、开关二极管和阶跃二极管的阶跃恢复时间、光电二极管的瞬变过程，以及校测示波器的频响、衰减器的带宽。
仪器中采用了一种独特的电路“二次脉冲阶跃法”，可做到前沿快，幅度大，过冲小，动态范围大，负载能力强。在最大输出时，短路三分钟仪器不致损坏，排除故障后马上就可以正常工作。（李贺泉）
指针式电子手表用CMOS集成电路
北京市六○五厂与科学院半导体研究所共同研制的指针式电子手表用CMOS集成电路已于去年十一月进行了鉴定，并荣获北京市1980年科研成果二等奖。
这种电路采用了环形硅栅结构和与之相适应的一套新工艺方案，使产品的成品率和电路功耗达到了国内先进水平。
这种集成电路是由振荡级、16级分频器、窄脉冲形成级、驱动级和复位电路五部分组成，反馈电阻也集成于芯片内。电路经过钝化，增强了可靠性。芯片面积为1.8mm×1.8mm，集成度达350只MOS管子。工作电压为1.3V～1.8V，用于手表不带负载时功耗电流小于3μA。用这种电路装的电子手表走时精确，日误差小于0.5秒。（北京六○五厂技术科）
Q02型微波功率晶体管功率增益PG计量标准装置
为适应我国微波功率晶体管科研生产的需要，北京无线电仪器厂研制成功400MHz、50W及1000MHz、10W两套微波功率晶体管功率增益（PG）计量标准装置。这种仪器能够计量微波功率晶体管的功率增益（PG）、输出功率（P\(_{0}\)）、集电极效率（ηc）、动态阻抗（Z\(_{in}\)、Zcl)等动态参数，也能以晶体管为中介校准一般功率增益测试仪。
仪器由动态阻抗测量装置、功率计、功率计校准系统、稳定性监测装置、微带阻抗变换器、调配器和大功率精密稳幅信号源组成。工作稳定可靠、数据精确。在北京市1980年科研成果表彰大会上荣获二等奖。
（图片为1000MHz、10WPG计量标准装置）（北京无线电仪器厂技术科）
MGF—1可控硅触发组件
北京椿树整流器厂试制并生产一种体积小、功率大的MGF—1可控硅触发组件。这种组件由一个可控硅芯片、五个硅整流元件管芯和一个电阻组成。它能对小功率脉冲进行功率放大，去强触发多个串并联的大功率可控硅，以解决由于各个可控硅开通特性差异引起的过流过压等问题。这种组件可兼作波形要求不严的脉冲放大器，通过变换连接方式，还可作小功率半波相控和变压器带中心抽头的全波整流用。目前，这种组件由两个外形尺寸均为30×20×7（毫米）的分立小组件MGF—1A和MGF—1B组成，用银丝作引线，使用时可用普通焊锡将组件直接焊接在电路板上。组件按工作峰值电压分为50伏、100伏两级，耐受浪涌电流为100安。具有结构紧凑、抗干扰能力强、可靠性高、使用方便等特点。（张国忠）