我们把晶体管用作放大或振荡时，它的工作频率是有一定限度的，如果超过这个限度晶体管的放大倍数就要下降，乃至完全失去工作能力。这是什么原因呢？我们知道晶体管的电流（载流子）是由发射结发射，经基区输运、集电结收集输送到外电路的。其中发射结、集电结两个p—N结都具有电容效应（P—N结都有结电容）。因此当电信号经过晶体管时有一个渡越时间，也就是说当电流流经晶体管时会产生延迟（相移）。当信号频率较低时，这些因素可以忽略掉，所以放大能力不受影响，但当信号频率较高时，载流子的渡越时间与信号周期相比就不能忽略了，高频时晶体管的结电容呈现较低的阻抗，使一部分信号旁路了，这就降低了发射结输入效率和集电结的收集效率，于是使输出信号不仅在时间上有所延迟，而且在幅度上也下降了。当信号频率再提高时，这个现象就更严重了，甚至可能出现注入的多数载流子在尚未到达集电区时，输入信号的幅度和方向却开始变化了，造成载流子运动紊乱现象，以至使晶体管完全失去工作能力。
随着工作频率的升高，所有晶体管的放大能力都会下降，但不同晶体管放大能力开始显著下降的频率是各不相同的。例如有一些晶体管（低频管）的放大能力在10千赫左右就开始下降，另一些管子（高频管）的放大能力在几兆赫或几十兆赫才开始下降，还有一些管子（超高频管或微波晶体管），可以一直工作到几百兆赫甚至几千兆赫。这就是所谓的晶体管频率特性。为了表明不同晶体管的不同的频率特性，在手册上除了标出直流参数和极限参数之外还需要增设频率参数。通常晶体管的频率参数有f\(_{α}\)、fβ、f\(_{T}\)、fm。下面我们就分别介绍这几个参数。
1．f\(_{α}\)——共基极截止频率（α截止频率），在共基极电路中，电流放大系数α值在工作频率较低时基本为一常数。当工作频率超过某一值时，α值开始下降，当α值下降至低频值α0（例如f为1KHz）的1\(\sqrt{2}\)（即0.707倍）时所对应的频率为f\(_{α}\)，称为共基极电路截止频率或α截止频率。
2．f\(_{β}\)——共发射极截止频率（β截止频率），与fα类似，在共发射极电路里电流放大系数β值在降低到低频值β\(_{0}\)的1\(\sqrt{2}\)时所对应的频率称为共发射极截止频率（见图1）。
上述两个截止频率的物理意义是相同的，即α和β相对于低频值下降1\(\sqrt{2}\)时的频率，区别仅在于晶体管在电路中的连接方式不同，因而频率特性也有所不同。理论和实验都证明同一只晶体管的f\(_{β}\)值远比fα值小，这两个参数有如下的关系：f\(_{α}\)=（1＋β）fβ。一般规定f\(_{α}\)＜3MHz的晶体管称做低频管，fα＞3MHz的称做高频管。低频晶体管的频率参数常用f\(_{α}\)或fβ表示，在晶体管手册中往往只给出其中一个，但有了上述的关系式，知道了其中一个频率参数即可推算出另一个频率参数。例如已知一个晶体管的f\(_{α}\)是500KHz，β为1000，那么fβ=f\(_{α}\);1+β≈5KHz。
在实际使用中，工作频率即使等于f\(_{α}\)或fβ并不等于管子“截止”不能工作，仍可有相当的放大能力。例如某晶体管β在1KHz时测试为100（即β\(_{0}\)=100），当f=fβ时β=100\(\sqrt{2}\)=70.7，这就是说该晶体管在f=f\(_{β}\)工作时仍有相当高的放大倍数。但在设计电路和使用晶体管时，若要使电路有较高的工作频率，应尽量选用fβ（或f\(_{α}\)）高的管子。如果要使放大器的工作频率大于10KHZ，考虑到电路的反馈，那么应选fβ＞8KHZ的管子为好。一般β高的管子f\(_{β}\)也高一些，所以对于同一个电路，挑β高些的管子，工作频率也可提高一些。由于α值在较宽的频率范围内比较均匀，且fα远大于f\(_{β}\)，所以高频宽带放大器和一些高频、超高频、甚高频振荡器常用共基极接法。
3．f\(_{T}\)——特征频率如前所述晶体管工作频率超过一定值时，β值开始下降，当β下降为1时，所对应的频率就叫做特征频率fT。当f=f\(_{T}\)时，晶体管就完全失去了电流放大功能。fT是设计晶体管或使用晶体管时必须考虑的一个参数。有时f\(_{T}\)也称为增益带宽乘积。
4．f\(_{m}\)最高振荡频率——由于一般晶体管的输出阻抗总比输入阻抗要大，因此即使是β=1或小于1它还可能获得功率放大。例如有些微波晶体管就是在接近fT或超过f\(_{T}\)的频率下获得功率增益的。为了说明晶体管工作频率上的限制，又定义功率增益等于1时的频率称为晶体管的最高振荡频率fm，当f=f\(_{m}\)时，功率放大倍数等于1，其意义即是晶体管电路在这个频率下振荡时，输出端全部功率反馈到输入端时刚好可以维持振荡工作状态，频率再高一点即停止振荡。
为了使用上方便，一般高频或超高频晶体管的频率参数都用f\(_{T}\)和fm来表示，其中f\(_{T}\)的使用最为普遍。在图一中我们可以看出，当频率f增加到一定程度时，β就开始下降，当工作频率大于fβ时，这时β值与频率成反比，这就是通常称的β以-6分贝／倍频下降规律。这时频率每升高一倍，β值就比原值小一倍，所以频率f与对应的放大系数β乘积是不变的即f·β=常数，这个常数就是f\(_{T}\)。根据这个关系式，我们便可以灵活地加以应用。现举二例说明：
1．间接测量f\(_{T}\)：对于一些高频或超高频管，fT相当高，往往在几百兆赫以上，如要直接测量f\(_{T}\)则需用超高频仪器，因而给测试带来一定的困难。这时我们可以大致选择一个频率f，使f大于fβ（根据所测管类型试选）。测出该频率时的β，即可算出f\(_{T}\)=f·β。目前不少测fT的仪器都采用这种方法。
2．间接测量高频下的β值：业余爱好者在装电视机高频头时，需要了解晶体管在高频状态下的放大性能。一般经验是，最高工作频率时β＞3或者f\(_{T}\)大于工作频率的三倍就基本合用。例如要了解某一高频管在190MHz（8频道）时的放大倍数，我们可以先测出此管在较低频率f1（大于f\(_{β}\)的频率）时的β1，再由f\(_{1}\)β1=f\(_{2}\)β2=常数（f\(_{T}\)）就可推算出f2=190MHz时的β\(_{2}\)。例如某高频管3DG56B在f1=30MHz时测出β\(_{1}\)为46，β2=\(\frac{f}{_{1}}\)β1f\(_{2}\)=30×46;190≈7，该管合用。再如已知某高频管3DG84D的fT=1150MHz，由f\(_{T}\)=f·β，β=fTf=1150;190≈6，该管也合用。（张顺颐 李锦春）