我们知道晶体二极管是由一个PN结构成的，晶体三极管是由两个PN结构成的。有些初学者可能会问：如果把两个二极管按图1（a）所示背对背地连接起来，能代替三极管吗？回答是不能代替。这是为什么呢？要讲清这个问题，必须先谈一下三极管的结构和了解一下管中电流是怎样流通的。
下面以NPN型的晶体三极管为例，它的结构见图1（b），它由两个PN结（发射结J\(_{e}\)、集电结Jc）组成。集电区、基区、发射区分别通过欧姆电极与外引线连接。
图2（a）是由NPN型三极管组成的放大电路的示意图。在外加电压U\(_{be}\)的作用下，发射结Je处于正向偏置，发射区的电子就源源不断地越过发射结J\(_{e}\)而进入基区，这就是发射极电流Ie（电子流动方向与电流方向正好相反）。我们用图3形象地来表示这一过程，图3中带“＋”号的“小人”表示空穴；带“-”号的“小人”表示电子。在大量电子越过J\(_{e}\)后，P型的基区在靠近Je一侧的电子浓度便大为增加，而基区本身却因为是P型，所以电子浓度很低，这样J\(_{e}\)一侧高浓度的电子就要不断向低浓度的方向扩散，直至到达集电结Jc。此时J\(_{c}\)结在放大电路中由于集电极C接电源正极而处于反向偏置，所以电子一进入Jc结就被结内电场“扫入”集电区，这就构成了集电极电流I\(_{c}\)。然而从发射区来的电子并不是全部都能越过基区到达集电区的。这是因为基区是P型，在基区中有许多空穴（基区的多数载流子），所以当发射区来的电子流经过基区时，其中就有一部分会与这些空穴相遇而被复合掉（电子和空穴的结合叫“复合”），所谓基极电流Ib主要就是指这股复合电流，如图3所示。但是晶体三极管的基区很薄，仅仅几个微米，所以发射区的电子流经过基区时，只有很小一部分有机会和空穴复合掉，大部分还是到达了集电区。这样I\(_{c}\)比Ib大得多，I\(_{c}\)》Ib。所以基极电流有微小的变化能使集电极电流有较大的变化，这样就具有电流放大作用。很显然在晶体三极管中I\(_{e}\)、Ic、I\(_{b}\)是密切联系的，三者的关系是Ie＝I\(_{b}\)＋Ic。
晶体三极管的电流放大倍数在共发射极连接时为β=\(\frac{I}{_{c}}\)Ib。当I\(_{c}\)》Ib时晶体三极管才有足够大的β。
现在我们可以回到开始所提的问题上来了，图1（b）所示的三极管其中两个PN结是做在一个整体上，而图1（a）所示的两个PN结是通过欧姆电极K\(_{b1}\)、Kb2分别与半导体接触后再用导线连接起来（欧姆电极、外引线都是金属或合金材料制成），这样相当于在一个三极管的基区中加了金属屏蔽层。这就破坏了晶体三极管的放大机构。当这样的“三极管”接上电源电压后（如图4所示），尽管J\(_{e}\)结处于正向偏置，Jc结处于反向偏置，但是发射区的电子越过J\(_{e}\)到达P区后，在P区经复合变成空穴电流，在Kb2处又转换成金属导线中的电子电流，它直接经过欧姆电极和外引线回到电源U\(_{be}\)的正极，如图4中的电流I所示。这就是说，第一个二极管的电流对另一个二极管没有影响。两个二极管虽然用外引线连在一起，但在电路中它们仍然是相互独立，彼此无关的。因此，两只二极管背对背地连接起来不能代替一个三极管。（陈锦）
