手头有几只三极管，总想了解它的一些性能，查阅晶体管手册，看到列有h\(_{ie}\)、hfe、h\(_{re}\)、hoe等项交流参数（见表一），这些参数有的有单位，有的却没有单位，单位的名称也不一样。究竟h参数是什么意思，它是怎么来的，有什么用处，下面来谈谈这些问题。
大家都知道，晶体三极管的输入特性和输出特性都是非线性的。这给分析和设计晶体管电路带来了相当大的困难。但在小信号的条件下，可以把特性曲线的局部近似地看成是一段直线，而把晶体管作为线性元件来看待，于是，晶体管可以等效成一个线性电路（见图1）。
这个等效电路是怎么得来的呢，让我们先看看晶体管的输入回路。在有信号输入的情况下，决定基极交流电压u\(_{be}\)的有两个因素：其一是基极交流电流ib。i\(_{b}\)越大，则ube越高。这种性质，可比拟为输入回路内存在着一电阻h\(_{ie}\)。其次是输出端对输入端的反馈作用。输出交流电压uce的变化，也会引起u\(_{be}\)的变化。这种性质，可比拟为在输入回路内存在着一电压源hreu\(_{ce}\)。这样，晶体管的输入回路就可以用图1b左边部分的电路来等效它。再来看看晶体三极管的输出回路。决定输出交流电流ic的也有两个因素：因素之一，是大家熟知的三极管的放大作用，i\(_{c}\)随ib而变，i\(_{b}\)越大，ic也越大。这种性质，可比拟为在输出回路内，存在着一电流源h\(_{fe}\)ib。另一个因素是i\(_{c}\)又随uce的变化而稍有变化。这种性质也可比拟为在输出回路内存在着一个大电阻 1／h\(_{oe}\)。因此三极管的输出回路又可以用图1b右边的电路来等效它。
四个交流h参数就反映了晶体三极管上述四个方面的特性。下面，我们对这四个h参数分别作进一步的说明。
1．h\(_{ie}\)称做共发射极小信号短路输入阻抗（工作于低频时，可忽略其电抗的作用，简单地称作输入电阻），单位欧姆。它反映了输入信号电压与输入信号电流之间的关系。这里所说的“短路”。是指三极管输出端。c－e之间交流短路。前面讲过，决定基极电压ube的，有二个因素，即基极电流i\(_{b}\)和输出端电压uce的反馈作用。我们在测定前一因素的作用时，一定要把后一个因素尽可能彻底地排除掉，才能得到正确的结果。我们把输出端造成交流短路，这时u\(_{ce}\)=0,则图1b左边的hreu\(_{ce}\)=0，这样相当于把这个假设的电压源短路掉了，图1b就成了图2所示。这样，就把上述的后一因素排除掉了。使测得的结果，正确地反映了ube～i\(_{b}\)之间的关系。在上述的情况下，输入端的ube=h\(_{ie}\)ib，由此，不难理解， h\(_{ie}\)可以简明地用数学形式表示为：
h\(_{ie}\)=ubei\(_{b}\)|uce=0
它的单位是欧姆。现在举一个例子：设有一晶体三极管，测得u\(_{be}\)=1毫伏，ib=1微安。那么：h\(_{ie}\)＝ube/i\(_{b}\)＝1×10\(^{-}\)3伏/1×10-6安=1×10\(^{3}\)欧姆=1千欧。一般晶体三极管的hie在数百欧至数千欧之间。
2．h\(_{re}\)称做共发射极小信号开路电压反馈系数，没有单位。它反映了晶体三极管输出端对输入端的反馈作用的大小。这里所说的开路，是指输入端交流开路，令ib=0，则h\(_{ie}\)ib＝0。这样，在输入回路里，i\(_{b}\)在hie上产生的电压降不存在了，这就排除了上述前一个对u\(_{be}\)有影响的因素。此时在输入端测得的ube就只剩下输出端反馈过来的电压h\(_{re}\)uce了（如图3所示）即u\(_{be}\)=hreu\(_{ce}\)
同样，h\(_{re}\)的定义也可以表示为：
h\(_{re}\)=ubeu\(_{ce}\)|ib=0
下面举一个例子，设有一晶体三极管在上述情况下，测得u\(_{ce}\)=1伏特，ube=1毫伏，则：
h\(_{re}\)=ubeu\(_{ce}\)=1×10\(^{-}\)3伏特;1伏特=10-3
h\(_{re}\)不过是两个单位相同的物理量的比率，它是没有单位的。一般晶体三极管的hre在10\(^{-}\)3～10-4之间，对电路的影响不十分大，所以在分析电路时，为了简便起见，常忽略不计。
3．h\(_{fe}\)称做共发射极小信号短路电流放大系数。它说明了晶体管输出的信号电流ic比输入的信号电流i\(_{b}\)大多少倍。也没有单位。在输出端交流短路的情况下，从图2可以看到，uce=0,i\(_{c}\)=hfei\(_{b}\)同前面讲过的一样，hfe可以数学的形式定义为：
h\(_{fe}\)=ici\(_{b}\)|uce=0
例如某一晶体三极管在上述情况下，测得i\(_{b}\)≈10微安，ic=1毫安，那么
h\(_{fe}\)=ici\(_{b}\)=1×10\(^{-}\)3安培;1×10-5安培=10\(^{2}\)=100
一般三极管的h\(_{fe}\)在20～200之间，很明显，hfe就是三极管的交流电流放大系数。
4．h\(_{oe}\)称做共发射极小信号开路输出导纳。一个电路的导纳，就是这电路的防抗的倒数。导纳的单位也就是欧姆的倒数，叫做“莫”（Ｔ谑淙攵私涣骺肥保琲b=0，那么在输出回路里，h\(_{fe}\)ib=0，相当于把图1b中的电流源拆掉了，这样决定i\(_{c}\)大小的就只剩下uce这一因素了（见图3），这时i\(_{c}\)=hoe·u\(_{ce}\)。所以，hoe也可表示为：
h\(_{oe}\)=icu\(_{ce}\)|ib=0
例如某一晶体三极管在上述情况下测得：u\(_{ce}\)=1伏特，ic= 5微安，那么：
h\(_{oe}\)=icu\(_{ce}\)=5×10\(^{-}\)6安培;1伏特=5×10-6莫=5微莫。
h\(_{oe}\)反映了输出电压uce对i\(_{ce}\)影响的大小。一般三极管的hoe在几微莫至几十微莫间。在电路里，远小于负载的电导，通常也可予以忽略。
h参数在小信号的前提下，揭示了晶体三极管运用于低频范围内的基本特性。为我们分析和设计晶体管电路带来了很大的方便。现在举一简单实例：图4a的音频放大器里，输入音频信号电压u\(_{be}\)=10毫伏，负载RL为1.2千欧的耳机，晶体管的输入阻抗h\(_{ie}\)=1千欧，电流放大系数hfe=100，求输出信号电流i\(_{c}\)，信号电压uce以及输出功率P\(_{o}\)。
先根据图4a作出等效电路如图4b，又因为h\(_{re}\)及hoe数值很小，对整个电路影响甚微可以忽略，又因R\(_{b}\)》hie，R\(_{b}\)也可予以忽略，把等效电路进一步简化成图4c。根据图4c进行计算如下：
1．求输入信号电流i\(_{b}\)。根据hie的定义：
i\(_{b}\)=ubeh\(_{ie}\)=1×10\(^{-}\)2伏特;1×103欧姆=10\(^{-}\)5安培=10微安
2．求输出信号电流i\(_{c}\)。根据hfe的定义：
i\(_{c}\)=hfei\(_{b}\)=100×10\(^{-}\)5安培=10-3安培=1毫安。
3．求输出信号电压u\(_{ce}\)。根据欧姆定律：
u\(_{ce}\)=icR\(_{L}\)＝10\(^{-}\)3安培×1.2×103欧姆≈1.2伏特。
4．求输出功率P\(_{o}\)
P\(_{o}\)=ucei\(_{c}\)=1.2伏特×10-3安培=1.2×10\(_{-}\)3瓦特=1.2毫瓦。（郑利根）