硅平面晶体三极管从封装形式上来分可分为三种：金属壳封装管（见图1a）、硅酮塑料封装管（见图1b）、超小型晶体管即陶瓷环氧封装管（见图1c、d）。金属壳封装管已为读者所熟知，硅酮塑料封装管已在本刊1978年第6期上作了介绍，现在我们向大家介绍超小型晶体三极管。
构造与特点
目前国内生产的超小型晶体三极管的外形有两种，见图1（c）、（d）。
图1（c）所示的超小型晶体三极管在制造时，先要把镀银铜皮冲制成支架（见图2a），再把管心用低温银浆烧结在支架的集电极c上（见图2b），通过压焊技术用金丝把管心和支架上的发射极和基极b连接起来（见图2c），最后把陶瓷基片垫在支架的三个电极下面，上面涂上环氧树脂封装料（见图2d），待树脂固化后，把支架上三个极的引线以外的多余部分冲去，即制成了如图1（c）所示的超小型晶体三极管（见图2e）。
图1（d）所示的超小型晶体三极管的制造过程是：先把切好并砸扁的银丝（作外引线）用玻璃粉烧结在陶瓷基片上，见图3（a）；再把管心用低温银浆烧结在中间那根引线砸扁的部分（集电极c），见图3（b）；通过压焊技术用金丝或硅铝丝把管心和发射极e、基极b连接起来，见图3（c）；最后用环氧树脂封装料涂满陶瓷基片，把管心和内引线封装在环氧树脂里面，见图3（d）。待环氧树脂固化后即成如图1（d）所示的超小型晶体三极管。
制造超小型晶体管时，根据最大耗散功率的要求来选用陶瓷基片。一般情况下，要制造P\(_{CM}\)在100毫瓦以下的管子，可选用直径为3毫米的陶瓷片；要制造PCM在100～200毫瓦和200～600毫瓦的管子，应分别选用直径为4毫米和5毫米的陶瓷片。一般应用时，可根据陶瓷片的大小来估计管子P\(_{CM}\)的大小。
几种超小型管的陶瓷基片的尺寸以及各电极的排列见第29页图4所示。其中图4（a）（b）所示的管子是将一根引线的头上截去一角作为标志，来区分各极，有斜角的引线为发射极，与发射极引线相垂直的是集电极，剩下那个极为基极。第29页上图4（c）所示的管子在区分各极时，先将球面向上，管脚朝自己，中间的引线就是集电极，左边是基极，右边为发射极。
超小型晶体管是厚、薄膜集成电路的主要元件。下面我们来看看超小型晶体管装配在厚膜电路中的情况。图5（a）是稳压电源电路的一部分，其中有三个晶体管（BG\(_{5}\)、BG6、BG\(_{7}\)），与此电路对应的厚膜集成电路块见图5（b）（没有封装）。我们可从图5（b）中看到除了三个超小型管外，还有一个电容，它就是图5（a）中的C2，另外有三个黑色的长方形（其中有一个在电容下面），是钯银电阻，它们分别是图5（a）中的R\(_{9}\)、R10、R\(_{11}\)。
超小型晶体管的体积较小，这是它的主要优点。另外与金属壳封装的晶体管比较，具有工艺简单、成本较低，价格便宜等优点。但是事物都是一分为二的。超小型晶体管的散热性就远不及金属壳封装的晶体管，这就严重地影响了晶体三极管的最大耗散功率P\(_{CM}\)的提高。例如同样的管心，封装在金属壳内，其PCM能达到200毫瓦，但用超小型封装，其P\(_{CM}\)就只能小于100毫瓦。
超小型晶体管的另一个缺点是受光照后，其反向漏电流有所增加。这是由于环氧树脂有一定的透光性所造成的。当超小型管封装在厚、薄膜电路里，这个缺点就不存在了。
超小型晶体管的密封性也不如金属壳封装管，因此长期使用在过分潮湿的环境里，超小型管的反向漏电流会增大。但是封装在厚、薄膜电路里，这个缺点也就克服了。
种类和用途
目前国内生产的超小型晶体管都是硅管，有NPN型的，如3DK3、3DK6、 3DK01、3DG13、3DG03、3DG01等；有PNP型的，如3CK11、3CG11等。
超小型晶体管除了可以装配在厚、薄膜电路中，也可单独使用。例如可使用在收音机、电视机或电子设备中。超小型开关管使用在高速开关脉冲电路，超小型高频管可用在变频级、振荡、高频放大和中频放大电路。
下面我们谈谈使用超小型晶体管时应注意的几个问题：
1．使用时不允许超过管子的极限参数，以免烧坏管子。
2．安装时应尽可能远离“发热”元件。
3．适宜用在光线暗淡、空气干燥的环境中。
4．在焊接时应使用45瓦以下的烙铁，并用钳子钳住被焊接引线的根部，焊接速度要快，以防高温使管子性能变坏或使环氧树脂受热变软，造成引线脱落。(上海新江无线电元件厂技术组)