双向可控硅（双向硅闸流管）是一种可控硅的派生元件，其外形同普通可控硅一样。它是把两只反并联的可控硅做在同一个硅片上制成，并用一个门极（控制极）控制。
双向可控硅工作于交流回路中，可以代替两个反并联的可控硅，且控制电路简单，目前已成功地使用在无触点开关、调光、控温、电机调速和换向等技术领域。
本期封三介绍了这种可控硅的各项资料。所列参数的意义有些与KP型可控硅的一样，请参看本刊1977年第4期，现将其他参数简述如下。
额定通态电流（I\(_{T}\)）。在环境温度为+40℃和规定的冷却条件下，元件在电阻性负载的单相50赫正弦波交流电路中，当结温稳定且不超过额定结温时所允许的最大通态电流（有效值）。
门极触发电流（I\(_{GT}\)）：在室温下，主电压（主端子之间的电压）为12伏直流电压时，用门极触发，使元件完全开通所必需的最小门极直流电流（包括三种触发方式）。
门极触发电压（V\(_{GT}\)）：对应于门极触发电流的门极直流电压（包括三种触发方式）。
通态电压（V\(_{T}\)）：在规定条件下，元件通以额定电流，结温稳定时，两个方向主电压的平均值之和。
换向电流临界下降率（di/dt）\(_{c}\)：元件由一个通态转换到相反方向时，所允许的最大通态电流下降率。超过此下降率则换向失败，有时还导致元件损坏。
浪涌电流（I\(_{TSM}\)）：在规定条件下，元件通以额定通态电流，稳定后，在单相50赫正弦波一周期间能承受的最大过载电流。紧接浪涌后不要求承受断态电压。浪涌电流用峰值表示。浪涌电流是不重复性额定值，在元件的寿命期间，浪涌次数有一定的限制。
额定结温（T\(_{jm}\)）：元件在正常工作条件下所允许的最高P－N结温度。在此温度和门极断路时，断态重复峰值电压不得低于额定值。
为了更好地理解上述参数的意义，可参看元件的主特性曲线（见封三），它联系主电压与主电流，并是以门极电流为参变量的函数关系。断态是指主特性曲线起始点（原点）至转折点之间高阻小电流的区域（OA段）；通态是指主特性曲线的低阻低压的区域（BC段）；从断态过渡到通态之间的区域（AB）段为负阻态。元件的主特性曲线第Ⅰ象限和第Ⅲ象限具有基本相同的对称性能。
关于触发方式，是指在主持性曲线何象限，门极以何极性触发元件的方法。按照门极和主端子极性的组合，元件有四种触发方式，本标准规定I\(_{＋}\)、I-和Ⅲ\(_{-}\)三种触发方式，定义为：
I\(_{+}\)：在主特性曲线，第Ⅰ象限（T1为正），门极相对于T\(_{2}\)为正的触发；
I\(_{-}\)：在主特性曲线，第Ⅰ象限（T1为正），门极相对于T\(_{2}\)为负的触发；
Ⅲ\(_{-}\)：在主特性曲线，第Ⅲ象限（T1为负），门极相对于T\(_{2}\)为负的触发。
使用注意事项
1．元件的额定电流指的是有效值，勿与KP型可控硅的额定电流平均值相混淆。选择时应按此值再考虑适当的余量。元件的过载能力（浪涌能力）是指在额定电流有效值的基础上的过电流倍数。譬如：额定电流为20安的元件，过载倍数是指一个周期内不超过额定电流的峰值28安的六倍，即过载电流应小于170安。
2．元件能耐受的不重复峰值电压，在两个方向上基本相似，都与KP型可控硅正向特性相同。在选用元件时除留有适当的安全系数外，还应在电路中加入过电压保护元件，多用PC保护，其充电时间常数应大于电路中可能出现的过电压时间，其放电电流峰值应小于所用元件允许的过载电流值。在电感性负载时应注意过电压保护，在电阻性或电容性负载电路中应特别注意过电流保护。此外，在电感性负载电路中还应注意电压上升率的吸收问题。如元件能耐受的电压上升率较低，常会使元件失控，即使不加门极触发电压，元件也不能恢复断态。故还应在电路中加入电压上升率吸收元件，一般是在元件上并联PC串联支路，使电路峰值电压在RC上所产生的电压上升率小于元件所耐受的电压上升率的值。
3．元件应有四种触发方式，即I\(_{＋}\)、I-、Ⅲ\(_{+}\)和Ⅲ-。但目前多数元件只能保证I\(_{＋}\)、I-、Ⅲ\(_{-}\)，故使用中应予注意，一般使用负信号触发比较可靠，并且在设计触发电路时应使触发电路的功率足够大。元件出厂合格证上标的是门极触发电流IGT和门极触发电压V\(_{GT}\)的直流最小值，设计时应超过此电流值的两倍以上。特别在脉冲触发时更应选得大些。（北京椿树整流器厂 张国忠 田文甫）