通常我们把集电极最大允许耗散功率（P\(_{CM}\)）在1瓦以上的晶体管叫做大功率晶体管。它与中、小功率晶体管一样也有高、低频之分。习惯上都把特征频率fT低于3兆赫的管子叫低频管；f\(_{T}\)高于3兆赫的管子叫高频管。
结构与封装形式
目前，常见的几种大功率管的外形见图①。图中左上角管子采用G型封装结构，下面一排采用F型封装结构。这二种外形都是标准化的。右上方的管子采用了非标准化的特殊封装。
图1所示的三种封装形式的管子，它们的管脚排列和外形尺寸见图2，其中G－3型是G型管子中的一个例子；F－2型是F型管子中的一个例子。由图2所示，大功率晶体管不仅体积较大，而且各电极引出线也与中、小功率晶体管有所不同。大功率晶体管所承受的功率大，流过的电流也大，所以电极引出线做成短而粗的硬“柱头”，而且集电极引出线与金属外壳相连，这样外壳就是集电极了。在使用时，某一线如要接集电极，只要用螺丝把此线焊片拧在外壳上就行了。
为什么大功率晶体管要把外壳作为集电极引出线呢？这与它的内部结构有关。图3是硅台面扩散管3DD102的内部结构示意图，图4是锗合金管3AD6的内部结构示意图。从这两个结构图可看出管心的集电极都是直接与管座（外壳）相连，这样外壳自然就是集电极的引出端了。这是问题的一个方面，更重要的是这种结构把外壳作为集电极的“热”引出端，有利于管心的散热，使管子的耗散功率可以大一些。
散热问题
我们知道，晶体三极管内有两个P－N结。当它工作在放大区时，eb结处于正向偏置，cb结处于反向偏置。由于eb结上的正向压降很小，一般在1伏左右，管子c、e两端的电压几乎全部加在cb结上，也就是说功率主要是加在集电结上，管子工作时的热量主要由集电结产生。
随着所加功率的增加，P－N结的温度也随之升高。我们把P－N结的温度称做结温（T\(_{j}\)）。这个结温是不允许无限制地升高的。在晶体管参数表中有一个叫TjM的参数就是它的最高允许温度。如果超过此温度，那么P－N结将烧毁，这就是平常说的“热击穿”。一般锗管的T\(_{jM}\)是90℃，硅管的TjM是175℃。由于测试结温很不方便，因而一般都采用测管壳温度（T\(_{c}\)）的办法来解决，所以我们可以根据已知的TjM与T\(_{c}\)以及所加功率Pc的关系式：P\(_{c}\)=(Tj-T\(_{c}\))RT，通过控制壳温来达到控制结温的目的，式中的R\(_{T}\)是晶体管的内热阻，其单位是℃／W或者℃／mW。对于同一种类型的大功率管来说，功率较大的管子其内热阻（RT）就小些。在实际使用中，对于锗大功率管来讲，其壳温不能超过55℃，对硅管来讲壳温不宜超过80℃，否则就不安全了。那么怎样使晶体管在工作时结温不致太高或者说不使壳温太高呢？这就要靠散热的方法来降低其温度。对于中、小功率晶体管来说，由于其功耗小，一般靠它的外壳散热就可以了，而对于大功率晶体管来讲，单靠外壳散热是远远不够的，而主要是靠外加的散热器来散发热量。我们在大功率晶体管的参数表里可以看到P\(_{CM}\)一栏中是指明带散热器的。
如果大功率管不带散热器，那它的耗散功率将大为降低。例如硅低频大功率管3DD102，当它外加散热器时，其最大耗散功率是50瓦，不带散热器时，耗散功率仅仅是3瓦。纵然是号称300瓦的大功率管，如果不带散热器的话，充其量其耗散功率也不过5瓦。
在实际使用中，散热器究竟用多大才合适呢？这要根据大功率晶体管所承受的功率大小、工作状态来定。一般可以参照说明书（参数表）中的参考尺寸就可以了，如果管子的使用功率没达到规定耗散功率，或者设备通风、冷却条件较好，散热器可缩小些。如果管子在脉冲电路中使用，这时瞬时功率比较大而平均功率很小（例如平均功率仅几瓦），那么散热器甚至可以不用。即使有的散热器是通过计算设计的，最后还得以实测壳温的高低来修正设计数据。
下面，介绍几种散热器。最简单的散热器是平板型的，用一块3～4毫米厚的金属板就可以了。一般散热器大多采用铝材料，这是因为铝材料的重量轻、散热效果好，另外成本较低而且便于加工。在实用中，为了缩小体积、提高散热效率，往往把散热器加工成各种形状，同时为了加强热辐射，把散热器的表面处理成黑色。图⑤是一些比较流行的散热器外形图。一般耗散功率在10瓦以下的用（c）形较多，10瓦以上至100瓦左右的用（A）、（B）形为多。上述几种散热器都是靠空气的对流来散发热量的，因而对于耗散功率在二、三百瓦以上的晶体管就不太适用，那时就得用水冷或油冷等形式的散热器来散热了。（李锦春）