在电视机中，对高频晶体管的要求是比较严的。因为它的高频性能的好坏，直接影响到电视机的接收质量。为了在自制电视机时能方便地检验高频晶体管，我们制作了这个小仪器。用它可以比较、判断晶体管的高频特性，检验晶体管的集电极反向电压，测量管子的直流放大倍数。
仪器线路见图1（a），四刀五掷开关K\(_{1}\)各位置示于图1（b）。K1的五个位置分别测试NPN、PNP两种类型管子的I\(_{b}\)、Ic及高频频率f。安装时将图1（a）、图1(b）中标有相同数字序号的接线端接在一起。选取元器件时，L\(_{1}\)与L2线圈均用线径为1毫米的漆包铜线空心间绕。L\(_{1}\)直径为1O毫米，绕7圈。拉长到2厘米左右。在2\(\frac{1}{2}\)圈处抽头。L2直径为12毫米，套在L\(_{1}\)外面，绕1～3圈，视振荡强度实验决定。振荡电容C1用2～21微微法的空气介质可变电容，经实验也可用2～7微微法的瓷介微调电容,但旋动时较困难且易磨损。二极管的质量要好并要求有足够高的工作频率，否则振荡频率较高时在它上面将产生很大衰减，使电表指示不准，通常可用2AK2或2AP9。电阻R\(_{1}\)用来在转换测量项目时代替表头内阻，以保证测量的准确，同时它能保护三极管在W调为零时不致于因基极电流过大而烧坏发射结，取R1的阻值等于表头内阻、电阻R\(_{3}\)是在测量Ic时的表头分流电阻，它将表头量程由100微安扩展到10毫安，R\(_{3}\)可由公式R3=I\(_{M}\)RM/（I\(_{0}\)－IM）求出，式中I\(_{M}\)为表头满度电流，这里取100微安，I0为扩展后的满度电流，这里取10毫安。R\(_{M}\)为表头内阻。R1与R\(_{3}\)的阻值通常不是整数，我们可以找标称值稍小的碳膜电阻。一面用刀片逐渐刮去碳膜，增加阻值，同时用准确的万用表或电桥检验，直到阻值合适后再涂漆封好。图1（a）中的R1、R\(_{3}\)阻值是我们实验中取得的。R2取1.2千欧，它除了在振荡电路中起作用外，还起限制晶体管发射极电流作用，即使被测管完全损坏或被击穿，也不致于烧坏表头。仪器用外接电源供电，有两个电源插孔CK\(_{1}\)与CK2，分别供测量NPN、PNP型三极管时用。电源电压选12伏，使管子测试条件更接近在电视机中的使用条件。全部元件安装在70×140（毫米）\(^{2}\)的绝缘板上，放在金属盒内。安装时要注意接线应尽量短捷、牢靠，把线圈L\(_{1}\)用硬导线直接焊牢在可变电容上。仪器的面板见图2所示。
使用时先将待测管子接面板上的管脚插孔插好，并根据所测管子类型选取相应的电源插孔接上电源，测量时为避免人体影响不要用手扶着管子。
1．检验晶体管的集电极、发射极之间的反向去穿电压BV\(_{ceo}\)：将K1置于“I\(_{c}\)”档，表头被接入图1（a）中的③、④端，R1被接入①、②端，把被测管的c、e两脚插入管座插孔，这时表头读数为l\(_{ceo}\)（因被测管b极未插入插孔，R1不起作用。无I\(_{b}\)流通）。这个读数同时也反映了加在被测管集电极、发射极之间反向电压Uce的大小。因为若所测管的I\(_{ceo}\)很小（可同手册上同类型管的Iceo作比较），说明此时被测管的反向电压还可以提高，即该管的反向击穿电压BV\(_{ceo}\)较高（高于12伏）；若所测Iceo较大。说明此管的BV\(_{ceo}\)较低（低于12伏）。应指出，由于表头此时并联电阻R3，扩大后的量程为10毫安，而一般小功率晶体管的穿透电流约在几百微安范围内，所以此时测量灵敏度较低，只要表针有很小的摆动，就说明它的性能不好。
2．测量晶体管的高频特性：将管子管脚插入管脚插孔，选取相应电源，把K\(_{1}\)置于“f”档，”图1（a）的①、②端接上电阻R1，⑤、⑥端接上表头。这时图1（a）相当于一个高频振荡器，其振荡强弱可通过接在检流回路的表头指示出来。先将C\(_{1}\)全部旋入，这时振荡频率最低（约60兆赫），调节W观察电表指示，读数应在50微安以上；然后将C1旋出，在回路的振荡频率变高的同时，指针读数会有下降，若C\(_{1}\)全部旋出时，指针读数仍在20微安以上，说明这只管子能工作在200兆赫以上；若C1旋出到某一点时，指针读数猛跌，电路停振，说明这只待测管的高频性能较差；C\(_{1}\)旋出时停振越早，高频性能越差；若插上待测管后电路不起振，说明此管不适合用于电视机或者管子已坏。
3．测量三极管的h\(_{FE}\)：将K1置于“I\(_{c}\)”档，这时图1（a）中的③、④接线端接表头，①、②端接电阻R1。此时表头量程为10毫安，读数表示管子的I\(_{c}\)值（因Ic≈I\(_{e}\)）。调节W，使Ic为预定大小（可取管子在电路中的工作电流值）。然后将K\(_{1}\)置于“Ib”档，这时表头量程为100微安，表针指示为I\(_{b}\)（由于R1=R\(_{M}\)，故表头位置转换时不影响管子工作状态），再根据公式hFE＝I\(_{c}\)／Ib，求出h\(_{FE}\)。
若不考虑管子在电路中的实际工作点，为了方便也可以先把K\(_{1}\)置于“Ib”档，调节W，使I\(_{b}\)等于100微安（或10微安），再将K1拨至“I\(_{c}\)”档，测出Ic。为读数方便，可将h\(_{FE}\)的值直接刻在表盘上。
应当指出，测量h\(_{FE}\)时，由于管子工作在振荡状态，因而电路中除直流外还有高频电流，使hFE测量不准，为此可在C\(_{2}\)与发射极连接处串一钮子开关，测hFE时使C\(_{2}\)断开管子处于停振状态。若有条件把K1改为六刀五掷开关，测h\(_{FE}\)时把C2断开将更方便。(陈鹏飞)