本刊1976年第三期发表的《不用触发电路的可控硅交流开关》一文，介绍了一种用小容量继电器触点控制可控硅交流开关的电路。其基本电路可以画成图1的形式。这种电路有线路简单、不用调试的优点，但也有局限性。由于它是依靠控制极的反向漏电流去触发另一个可控硅的，为了保证可控硅交流开关能正常工作，必须选用触发功率小、开关时间短而且要特性一致的可控硅。如果选用触发电流较大的可控硅，需要在较高的阳极电压下才能触发，则有可能出现交流开关开通不足的情况。另外当一只可控的控制极与阴极之间（如图2所示）。而控制极所能承受的反向峰值电压是很低的，一般规定不超过5伏，因此存在控制极反向击穿的可能性。我们对图1所示电路进行了一些改进，见图3。与图1电路相比，仅仅多了两个二极管。这两个二极管反向地跨接在可控硅的控制极与阴极之间。当继电器触点闭合时，二极管提供了可控硅控制极触发电流的通路（如图4所示），因此选用可控硅时不受触发电流大小、开关时间等的限制。另外，由于控制极电流是由二极管提供的，而二极管的正向压降很小，在很低的电源电压下可控硅即可被触发，不会出现交流开关开通不足的情况。同时二极管又是反向并联于控制极与阴极之间，因此控制极承受的反向电压很小，避免遭到反向击穿。
由于二极管只流过控制极电流，而可控硅触发导通后不会再有多少控制极电流流过二极管，例如200安的可控硅，其控制极触发电流一般小于200毫安，二极管承受的反向电压即控制极的正向压降一般不大于3.5伏，因此二极管选用2CP11即可。
图7是采用双向可控硅的交流开关电路，这种电路最简单可靠，较为理想。(许慕中)
