ZP型硅整流元件广泛应用在电解、电镀、牵引、励磁、充电等各个技术领域，是一种重要的大功率半导体器件，在工农业生产和国防、科研方面发挥着巨大的作用。本期封三系统地介绍了目前各厂所生产的硅整流元件的性能数据，这里再作一些说明。
一、主要电气参数
1．额定正向平均电流（I\(_{F}\)）：元件稳定工作且P－N结温度不超过140℃时所允许通过的最大的正向平均电流值。但是，它跟环境温度、冷却条件、负载特性、电流的频率和波形有密切关系。因此，出厂测试条件是：环境温度+40℃；规定的冷却条件；电阻性负载；50赫；正弦半波电流。
2．反向重复峰值电压（V\(_{RRM}\)）：在额定结温条件下硅整流元件的伏安特性曲线如图1所示。在规定的测试电路中，元件按反向伏安特性曲线急剧弯曲处所对应的反向峰值电压称为“反向不重复峰值电压”（VRSM）。在元件出厂参数中，取反向不重复峰值电压值的80％做为反向重复峰值电压。
3．反向不重复平均电流（I\(_{RS}\)）:反向不重复峰值电压下的平均漏电流，它必须小于封三附表中所规定的数值。
4．反向重复平均电流（I\(_{RR}\)）：对应于反向重复峰值电压下的平均漏电流。
5．浪涌电流（I\(_{FSM}\)）：当元件通以额定正向平均电流稳定工作以后，在50赫的一个正弦波半周期内，元件所能承受的最大过载峰值电流。在浪涌电流通过之后，元件仍应具备反向阻断能力而不破坏。测试时在负半周加\(\frac{1}{2}\)反向重复峰值电压。这个参数由型式试验考核，出厂时不测。“浪涌”是故障状态，一个元件承受浪涌电流的次数是有限的，为20次。
6．正向平均电压（V\(_{F}\)）：元件通以额定正向平均电流至P－N结结温稳定时，元件阳极—阴极间的电压平均值。它分为9组，如封三表3所示。一般说，VF越小越好，它的出厂上限值由各厂根据合格的型式试验（浪涌试验）确定。一般在0.45～1伏范围内。
7．额定结温：是指元件在正常工作条件下所允许的最高P-N结处的温度。
8．额定结温升：元件正常工作时，P－N结与环境温度之差的最大值。
二、结构参数
ZP型整流元件从外形上分为螺栓型和平板型两种。200安以下的一般做成螺栓型；200安以上的才能做成平板型。20安及20安以上带阴极引线。平板元件目前有两种型式（见图2和图3）。图3比图2有如下优点：①外壳带裙边，增加绝缘距离；②上下带铜垫块，增大等温面，降低元件热阻；③减小元件瞬态热阻，有利于提高承受浪涌电流的能力；④不易因散热器接触面不平而压坏元件。
硅整流元件工作时必须很好地散热。一般20安以下用自然冷却。30安～100安用强迫风冷。200安以上用强迫风冷或者液体冷却（如水冷、油冷）。强迫风冷的冷却条件规定为进口风温不高于40℃；出口风速不低于5米／秒；水冷条件规定为流量4000毫升／分；水质电阻率≥20千欧·厘米，PH=6～8；进水温度35℃。
三、使用注意事项
1．元件使用条件：①环境温度——空气冷却时不高于+40℃，不低于-30℃；水冷时不高于+40℃，不低于+5℃。②空气相对湿度不大于85％。③在无爆炸危险的介质中，且无足以腐蚀金属和破坏绝缘的气氛，没有导电尘埃。
2．平板元件的散热器一般不应自行拆装。
3．使用时应保证规定的冷却条件，否则必须降容使用。例如，风冷元件当自冷使用时，只能用到额定电流的13左右。
4．严禁用兆欧表（摇表）检查元件的绝缘状况。如需检查整机装置的耐压水平，应将元件各极短路。
5．用户应正确选择元件参数，并留有合理的余量。例如，根据发热不变的原则，在不同线路中工作时。其额定电流应乘以系数K（纯电阻性负载）。对单相的半波、全波、桥式电路，K为1；对三相的半波、桥式和双星接法电路，K为0.9。
6．元件串并联应用时，应考虑静态和动态的均压或均流措施，并留有余量。
7．元件对过电压、过电流敏感易损，应采取相应的保护措施。 （北京变压器厂元件车间供稿）