本机为硅锗混合七管超外差式收音机，其电路比较新颖，具有灵敏度高、噪声小、输出功率大等优点。电源采用一节一号大电池，使用经济方便。
一、主要性能
频率范围：不窄于535～1605千赫。
中频频率：465±4千赫。
灵敏度：不劣于1毫伏／米，实际不劣于0.5毫伏／米。
选择性：不劣于14分贝，实际为20分贝。
不失真功率：大于50毫瓦，实际约为100毫瓦。
最大输出功率：约250毫瓦。
无信号电流：不大于20毫安。
最大信号电流：约250毫安。
二、电路原理和特点
整机电路见图1。印刷电路见图2。由变频管到第一低放管BG\(_{1}\)～BG4 用硅管3DGS\(_{2}\)（3DG6），具有温度特性好、截止频率高、工作稳定的特点。低放管BG5和功放管BG\(_{6}\)、BG7用锗管3AX31S。
变频管的偏置直接取自稳压管D\(_{1}\)（采用一只有一个完好的PN结的废硅三极管或一只废硅三极管加一只废锗三极管），以提高整机的降压灵敏度并省却偏置电阻而使电路简化。 D1的稳压范围为0.7～0.9伏，动态电阻小于33欧。为了适应大批量生产的需要，将D\(_{1}\)的稳压范围以0.05伏分档，再根据D1稳压值的大小来配置R\(_{1}\)的电阻值，以便使BG1的集电极静态电流控制在0.4～0.6毫安范围内。R\(_{1}\)的阻值可用下式决定：R1＝（U\(_{D1}\)—UBE1）／I\(_{c1}\)（式中UD1——稳压管D\(_{1}\)的稳压值；UBE1——变频管BG\(_{1}\)的发射结直流工作电压；Ic1——BG\(_{1}\)的集电极电流）。由于不同厂家生产的晶体管，其UBE略有不同，当U\(_{D1}\)为0.7～0.75、0.75～0.8、0.8～0.85、0.85～0.9伏各档时，各档级稳压管适用的R1值分别为270Ω、360Ω、560Ω、750Ω。
L\(_{2}\)为本机振荡线圈。D2用于本振电压的限幅。D\(_{2}\)并联在本振线圈L2的次级，处于正向偏置状态，其内阻的大小随其上所加偏置电压大小而改变，从而使本振回路的Q值改变，本振回路的谐振阻抗Z\(_{0}\)（=2πfLQ）也随之改变，使本振电压幅度产生变化。例如，当本振电压增大时， D2的正向偏置电压增大，内阻减小，振荡回路的Q值下降，使本振电压的幅度减小下来，反之则提高本振电压，从而使本振电压幅度限制在一定幅度。
为了克服1.5伏低电压收音机容易停振的缺点，设计L\(_{2}\)使不加D2时振荡电压为180毫伏，加了D\(_{2}\)后，约为80毫伏。这样本振便不易停振，并使波段高、低端振荡电压比较均匀，变频增益较高。D2可采用废锗高频三极管的EB结。
本机采用一级中放。因为考虑到采用三极管检波，其增益约为0分贝，输入阻抗比较高（约20千欧左右），而且它进入线性检波的输入信号功率可以小得多，比二极管检波约小20分贝，所以采用一级中放就可以满足要求了。设计中放时适当考虑了增益及选择性。本机第一只中周的选择性大于9分贝，第二只中周的选择性大于8分贝，通带均大于5千赫，中放级增益约为35分贝。由于只有一级中放，并加了中和，尽管中放增益较高仍不致引起不稳定，整机选择性在正常情况下都可以大于20分贝。
本机采用三极管检波电路。有如下特点：
1．与二极管检波器相比，失真系数差不多，其效率却大大提高。功率增益接近0分贝，而二极管检波器的功率增益约为-20分贝。
2．输入阻抗高。由二极管检波器的1～2千欧提高至20千欧左右，可使B\(_{2}\)次级匝数增大，有利于改善自动增益控制。
3．输出阻抗小，约500欧左右，为二极管检波器的1／2～1／3，这就便于接低放，受负载影响而引起的失真也较小。
4．传输系数高。比二极管检波器约大2～3倍，故在同样的输出时末级中放的电压幅度也较低，不易发生阻塞。
5．主要参数（如失真系数、输入阻抗、输出阻抗等）受工作点电流影响甚小，故发射极电流易于调整。因为该三极管检波器是一个射极输出器，它具有深度的负反馈，稳定性好。而且工作点电流只有几十微安，在这个范围内的h\(_{FE}\)变化不大，所以三极管检波器的主要参数受工作点电流影响甚小，这一点可以从实验及大批生产中得到证实。
6．若选取三极管检波器的静态电流为较小值时（如20微安左右），则随着信号增大，其发射极电流也增大，增益也跟着增大。因此，对小的干扰与噪声的增益很小，信噪比可提高（如图3所示）。其中曲线①为采用共集电极三极管检波器的自动增益控制曲线；②为典型检波（二极管检波）的自动增益控制特性曲线。
R\(_{4}\)、D3为二次自动增益控制电路。在无信号或小信号时，D\(_{3}\)处于反向偏置，内阻很大，对B1的中频回路的影响很小，因而对中频信号也几乎没有衰减。随着信号的增强，D\(_{3}\)的反向偏压降低，内阻减小，于是使B1的中频回路的Q值降低，因而对信号的衰减作用增强，中频增益下降，起到二次自动增益控制作用。D\(_{3}\)采用废锗高频三极管的一个PN结，要求反向电阻大于500千欧。
BG\(_{2}\)为中放管，其静态工作电流可通过可变电阻R3（51千欧）调整在0.3～0.7毫安。为了节省元件，可变电阻R\(_{3}\)既作为BG2和BG\(_{3}\)的偏流电阻，也作为自动增益控制电路的电阻（见图4）。BG2、BG\(_{3}\)的基极偏置电压及自动增益控制电压均由集电极取出，其偏流走向见图4。调整时可改变R3的阻值，使BG\(_{2}\)的集电极电流在0.3～0.7毫安范围。这时BG3的静态电流约在20～40微安范围内。根据3DG6的I\(_{c}\)～UBE关系曲线（图5）可知： BG\(_{2}\)的Ic2在0.3～0.7毫安时，U\(_{BE2}\)≈0.7伏左右；BG3的I\(_{c3}\)在20～40微安时，UBE3≈0.6伏左右。由于BG\(_{2}\)、BG3差接，见图6，所以R\(_{W}\)上的电位差为UBE2- U\(_{BE3}\)= 0.7- 0.6≈0.1伏，现在RW取4.7千欧，所以I\(_{E3}\)≈0.1／4.7×10\(^{3}\)≈21微安。因此在调整静态工作点时，只要调整R3使BG\(_{2}\)的集电极电流在0.3～0.4毫安范围，BG3的工作点便自然是合适的。
自动增益控制从两部分取得：一是利用BG\(_{2}\)与 BG3基极差接（见图6）。若B点电位保持不变，则I\(_{R3}\)=IB2+I\(_{B3}\)为常数值，当IB2增大时I\(_{B3}\)减小，反之IB3增大时I\(_{B2}\)减小。所以随着输入信号增大，BG3的基极电流增大，BG\(_{2}\)的基极电流便减小，起到了自动增益控制作用。此外，从图4可知,自动增益控制的信号从检波管BG3的集电极取出，随着输入信号增大，则I\(_{B3}\)↑，Ic3↑，在电阻R\(_{5}\)上的电压降增大，B点对地之间的电压减小，导致IR3减小，因此I\(_{B2}\)也必然减小，从而得到较好的自动增益控制作用。
C\(_{6}\)、C9的作用是滤除检波后的交流成分，使它不致加到BG\(_{2}\)的基极。
为了获得足够的激励功率，音频电压放大级由BG\(_{4}\)和BG5接成直接耦合放大器。BG\(_{5}\)的静态工作电流约为8毫安左右。通过R14获得约3～5分贝的负反馈，使不失真功率为100毫瓦。功放级采用两只对称的3AX31S三极管，输出变压器采用自耦式为的是提高输出功率，R\(_{13}\)为热敏电阻，用以稳定功放级的工作点。
三、主要元件数据
1．磁性天线L\(_{1}\)：采用MXO－400φ10×140毫米磁棒。为了提高输入回路的Q值，线圈①～②分两段绕制（见图7），用28×0.07毫米纱包线密绕。线圈③～④用7×0.07毫米纱包线密绕。各线圈匝数如图7所示。将线圈位置放在磁棒中间，以760千赫频率测量，线圈①～②的Q值应大于120，电感量L≥400微亨。线圈③～④不测参数，但应无短路及断路。
2．振荡线圈L\(_{2}\)：采用MXO－400M6×12×1磁芯，各线圈均用QQφ0.08毫米漆包线顺向平绕，匝数如图8所示，初级电感160～190微亨，空载Q值≥85（测试频率为760千赫）。
3．中频变压器B\(_{1}\)2：采用的磁芯与振荡线圈相同，各线圈均用QQφ0.08毫米漆包线顺向平绕。第一中周匝数见图9，配用200微微法电容（内附），选择性≥9分贝，空载Q值≥85。第二中周匝数见图10，配用510微微法电容，选择性≥8分贝，空载Q值≥85。
4．输入变压器B\(_{3}\)（图11）：采用D41或D\(_{42}\)、厚0.35毫米E形铁心片，铁心截面为5.5×8毫米，线圈来用QQφ0.13毫米漆包线，初级顺向均匀乱绕522±2圈，电感量大于250毫亨，直流电阻约为30欧。次级双线均匀顺向并绕2×400圈，直流电阻约为52欧。
5．输出变压器B\(_{4}\)：为一自耦变压器，铁心与输入变压器相同，线圈采用QQφ0.45漆包线，总匝数为2×44＋2×21。按绕线顺序44匝和21匝均为双线均匀并饶（见图12），先绕44匝，绕好后将一线圈的头与另一线圈的尾在内部相接。后绕21匝。两组线圈引出头的接法见图12所示。两组线圈间用0.08黄蜡绸二层隔开，线包最外层包电缆纸一层。初级电感大于18毫亨，直流电阻约为0.75欧（测①③抽头），次级电阻约为0.45欧（测④⑤抽头）。图13为其原理图。（广东省佛山市无线电一厂）
