瓷介电容器是用陶瓷材料（简称瓷料）作为介质的电容器。这种电容器的外形有多种，最常见的是圆片形（见图①a、b、c），除此之外还有穿心式、管形以及其他形状。
种类及特点
瓷介电容器是一种性能较稳定的电容器，它具有体积小、价格便宜、原材料丰富、适宜大批量生产等优点。作为瓷介电容器介质的陶瓷材料是由各种原料按照不同的配方经过高温烧结后制成的，陶瓷材料配方不同，它的电性能也不一样，利用这一点，就可制造出各种不同介质常数和不同温度系数的电容器。
瓷介电容器的种类很多，如果按介质材料划分，则有高频瓷介电容器和低频瓷介电容器。在这两种类型里，按不同结构又可分成很多种电容器。
高频瓷介电容器中用的介质瓷料，它的介电常数一般小于1000，多数小于100。由于其介电常数较小，故称做低介陶瓷。
高频瓷介电容器具有容量稳定性高、低损耗、绝缘电阻高、容量误差小等优点，故这类电容器适用于电子设备的高频电路中，特别适用于谐振回路，此外还可用作温度补偿。
低频瓷介电容器中用的介质瓷料，它的介电常数一般大于1000，由于介电常数较大，故称为高介陶瓷也叫铁电陶瓷。
低频瓷介电容器具有体积小、容量大等优点，但由于其电容稳定性较差、损耗大，电容随温度及电压的变化是非线性等不足之处，故仅限于在工作频率较低的回路中作旁路、耦合电容，或者其它对损耗和容量稳定性要求不高的电路中使用。
圆片形瓷介电容器
圆片形瓷介电容器的结构见图②。制造这种电容器的工艺是，先将按一定比例配制的粉状的电容器瓷料加一定数量的粘合剂，然后轧制成薄片（其厚度随工作电压及电容量的要求而定），再经冲片、烧结、被银、焊接引出线等工序制成。由于瓷片较薄易碎裂，同时要求防潮、防污染及使用方便，必须在表面涂以包封料，常用的包封料有磁漆、环氧树脂及酚醛树脂等。
下面我们介绍四种常用的圆片瓷介电容器：
（1）CC1型圆片形高频瓷介电容器
它的外形结构图见图②。这种电容器体积较小，电气参数好，其损耗角正切值（tgδ）小于0.0015，绝缘电阻大于10000MΩ，而且容量稳定性好。但是这种电容的容量较小（从几个P～几百P），所以它常使用于工作频率较高的交直流及脉冲电路中作振荡回路电容、隔直流及耦合电容、同时亦可作温度补偿用。
（2）CCY7型圆片形高频高压瓷介电容器
它的外形结构与第一种圆片形瓷介电容器差不多，只是圆片的尺寸稍大而且厚一些。这主要是由于该电容器的工作电压较高的缘故。这种电容器的额定工作电压有1KV、2KV、3KV、4KV、5KV、6.3KV、8KV等几种，容量范围从几个P～几百P。
这种电容器除具有高频瓷介电容器的特点之外，还具有工作电压较高而外形尺寸较小的特点（与其他高压电容器相比较而言）。故特别适用于具有较高电压的晶体管小型化仪器及设备的各种回路中使用。
（3）CT1型圆片形低频瓷介电容器
这种电容器的外形结构见图②，它的额定工作电压有63V、160V、250V三种，容量范围从330P～47000P。
这种电容器具有体积小、容量大的优点。例如：外形尺寸（直径）同样为10mm、工作电压同样为160V的两种电容器、高频瓷介电容器最大只能做到430Pf，而低频瓷介电容器却能做到10000P，相差23倍多。但低频瓷介电容器的电气参数较差，其损耗角正切值（tgδ）小于0.04（比高频瓷介电容器大一个数量级还多），而其绝缘电阻却只有1000MΩ（比高频瓷介电容器小一个数量级）（注：对电容器使用要求来说，tgδ越小越好，绝缘电阻越大越好），而且容量稳定性差。因此这种电容器一般使用在工作频率较低的音频回路中作旁路、耦合电容用。晶体管收音机中常用的0.01μ、0.022μ、0.047μ等多数用这种电容器。
（4）C404型圆片形高压铁电瓷介电容器
它的外形结构与图②相似。这种电容器的工作电压有1KV、2KV3KV、4KV、5KV几种，容量范围从1500P～22000P。
这种电容器除了具有低频瓷介电容器的特点之外，还具有较高的工作电压及较小的体积，故适宜于晶体管小型化的电子仪器设备中作旁路及耦合电容器。（上海无线电一厂技术情报组）