3．输入特性和测试：共发电路的输入特性，是输入回路内的V\(_{be}\)与它所产生的基极电流Ib之间的关系。由于发射极接地，所以V\(_{be}\)=Vb，我们取Y轴坐标为I\(_{b}\)，X轴坐标为Vb，将Y轴作用开关K\(_{4}\)置于“基极电流或基极源电压”；X轴作用开关K3置于“基极电压”，荧光屏上将显示出输入特性，如图12。
从图中可看出V\(_{c}\)=0和Vc=8伏时所测出的特性曲线是不一样的。这是管子内部负反馈所引起的。所以测试输入特性时也应当规定测试条件。
根据输入特性曲线可以读测直流输入电阻R-\(_{i}\)=Vb／I\(_{b}\)，交流输入电阻Ri＝b／b。例如求图中B点的输入电阻，从图中可读出I\(_{b}\)=0.07毫安，Vb=0.355伏，b=0.03毫安，b＝0.015伏，则；
R-\(_{i}\)＝Vb／I\(_{b}\)＝0.355／0.07≈5千欧
R\(_{i}\)=b／b=0.015／0.03=500欧。
4．I\(_{cbo}\)和BVcbo的测试：I\(_{cbo}\)是发射极开路时集电极反向饱和电流。如图13接好被测管。在集电结上加反向偏置，即将集电极扫描电压极性开关K2置于“-”，并将阶梯作用开关置于“关”，调集电极电压Vc为10伏（测试条件根据制造厂技术条件规定，下同）。将Y轴作用开关K\(_{4}\)置于0.01毫安／度，倍率开关置于×0.1。读Y轴得Icbo＝1.7微安（见图14）。由于一般小功率管的漏电流很小，用JT－1只能粗略估计其性能好坏，不易测得准确数值。荧光屏上显示的反向曲线呈回线，是JT－1本身容性电流所致，非被测管的反向漏电流。BV\(_{cbo}\)是发射极开路时集电极的反向击穿电压，如图15所示。逐渐增大集电极电压使反向电流为0.1毫安。此时所对应的X轴电压值即为BVcbo，从图15可读出BV\(_{cbo}\)=68伏。
5．I\(_{ceo}\)和BVceo的测试：I\(_{ceo}\)是基极开路时集电极与发射极之间的反向电流，又叫穿透电流。BVceo是基极开路时加在集电极与发射极之间的最大允许电压。使用时如果V\(_{ce}\)＞BVceo将导致管子击穿，使管子损坏或性能下降，所以这是一个很重要的参数。测试的原理与测I\(_{cbo}\)、BVceo相同，只是将管子的接法改为如图16所示。集电极扫描电压极性开关K2仍置于“－”。在V\(_{ce}\)=10伏时读得Iceo=15.1微安，见图17；在I\(_{c}\)=0.2毫安时读得BVceo=27伏, 见图18。
测试BV\(_{cbo}\)和BVceo时，为了防止管子击穿，功耗电阻可适当取大一些，加集电极电压要缓慢。对于不同类型的晶体管，I\(_{cbo}\)、Iceo、BV\(_{cbo}\)、BVceo的测试条件是不一样的。所以测试时要根据制造厂的技术条件或具体线路的要求来测试。
在测输出特性时，将“零电流”、“零电压”的扳键扳向“零电流”，此时就是基极开路，可以测I\(_{ceo}\)和BVceo。
以上几种测试方法，对于NPN型管子的测试也一样，只要改变一下基极阶梯信号和集电极扫描信号的极性，并将坐标的原点从右上角移到左下角就可以了。对于中、大功率管子的测试，只要将基极阶梯注入电流适当加大些，适当选择功耗电阻的大小，同样可以测出各种参数。
四、二极管和稳压管的测试
1．二极管正向特性的测试：二极管最主要的特性就是单向导电特性，这里以2CP6硅二极管为例来测试其正向特性。
将被测二极管如图19接在JT-1测试台上。由于测正向特性，所以C极应加正向电压，即集电极电压开关K\(_{2}\)置于“＋”。正向特性是加在二极管二端的电压与流过二极管的电流的关系。所以应将X轴作用开关K3置于集电极电压，Y轴作用开关K\(_{4}\)置于集电极电流，并将集电极电压从0开始逐渐增加，便可显示出正向特性如图20。
此时“JT－1”面板旋钮位置是：峰值电压范围0～20伏；峰值电压适当；集电极扫描电压极性“＋”；功耗电阻1千欧；阶梯作用放在“关”；X轴作用集电极电压0.1伏度；Y轴作用集电极电流0.2毫安/度，倍率“×l”。
从二极管正向特性曲线上可求出直流电阻R\(_{直}\)和交流电阻R交。若二极管工作在a点，对应的V\(_{a}\)=0.48伏，Ia=1.6毫安；a=0.06伏，a=0.4毫安，则：
R\(_{直}\)=Va／I\(_{a}\)=0.48/1.6=300欧；
R\(_{交}\)=a/a=0.06/0.4=150欧。
在这里可清楚地看到在正向区二极管的交流、直流电阻都很小，即正向导电性能很好。
2．二极管的反向特性测试：这时只要在二极两端加上反向电压，即将集电极电压极性开关K\(_{2}\)由“＋”拨向“-”，此时的特性曲线如图21。同样可求出它的直流电阻和交流电阻，可见此时的电阻都很大，几乎不导电。二极管的单向导电特性就看得很清楚。
根据晶体管制造厂的技术条件规定，在反向电压为30伏时所对应的电流称为反向漏电流，我们可以在图21中读得I\(_{B}\)=14微安，同时规定在反向漏电流为400微安时所对应的反向电压称为“反向击穿电压”VB。在图22中可以读得V\(_{B}\)等于164伏。但必须注意，由于“JT－1”集电极的电压最大为200伏，所以反压大于200伏的二极管，此项参数不能测试，而反向漏电流小于1微安的二极管，由于仪器本身存在容性干扰电流，所以测试漏电流时就不大准确。
3．稳压管的测试：稳压管也是一个二极管，但是它有稳定电压的特点，只要在稳压管上加上适当的反向电压，并流过一定的反向电流，此时二极管就会由“击穿”而转化为“稳压”，所以我们测试稳压管的接线和显示方法应当和测试二极管反向特性一样。
这里以2CW14为例说明测试方法。面板上有关旋钮位置为：峰值电压范围：0～20伏；峰值电压适当；集电极扫描电压极性放在“-”；X轴作用集电极电压选1伏度；Y轴作用集电极电流选2毫安度；功耗电阻选200欧；阶梯作用开关放在“关”。这样可得到图23所示曲线图。根据制造厂的规定I=10毫安处所对应的电压为稳定电压V\(_{Z}\)，从图中可读出VZ=7.5伏。
稳压管的动态电阻R\(_{Z}\)，是在规定的稳定电流IZ下，电流的微量变化所引定的电压变化量与该电流变化量之比，即
R\(_{Z}\)=Z／Z（IZ=常数）
我们在图23中选取任一点读出Z、ΔIZ，即可算出R\(_{Z}\)。用“JT-1”测量稳压特性，可以分析稳定电流在某一动态范围内变化时稳压情况的变化，以判断稳压管的特性好坏。
五、测试注意事项
1．本仪器长期使用后，由于元件老化和变值，可能引起一定的误差，需要定期计量和维修。一般在使用前可自行校正，校正项目和方法参见附表。
2．在测试大功率晶体管、测试极限参数或过载参数时，由于晶体管工作的电流很大，I\(_{c}\)≥10安，容易击穿损坏，而“JT－1”的电源也有一定内阻，它长时间通过大电流也承受不了，所以应利用“单族”，使基极注入一次阶梯信号就停止，这样荧光屏上瞬时呈现的一族特性曲线跟“重复”时完全一样，同样可以读出各种参数和判别晶体管的好坏；但对被测管和仪器来说，虽然瞬时功耗较大，而平均功耗还较小，不致损坏被测管和仪器，特别是晶体管在高温时测量极限参数更有必要使用“单族”。
3．使用前，应先检查仪器上旋钮的位置、然后再把被测管接到仪器上去，并要特别注意被测管的极性和面板上各旋钮的位置，以免损坏被测管。一般应将峰值电压范围置0～20伏，峰值电压从“0”开始缓慢增加；注入基极的电流和电压一下子也不要太大，应由小到大逐步增加。
4．测试时必须规定测试条件，否则测试结果就不一样。测试条件可以按照晶体管生产厂规定的技术条件，也可根据实际电路工作的状态来决定。测试前仪器要预热15分钟。（上海无线电二十一厂 吴国培 姚如源）