电子器件安装完毕后，从调试到现场使用，常会遇到各种各样的工业干扰，影响电路正常工作，由于建筑行业的特点是流动性大，遇到干扰的机会就更多，我们在试制电子升差自控仪时采取了一系列抗干扰措施，现将主要的几种措施介绍如下。
各种干扰的产生主要来自电源，所以首先要消除来自电源的干扰，另一方面也要提高单元电路的抗干扰能力。
一、抑制来自交流电源的干扰
交流电网中，由于负载等原因，常叠加了许多高于50赫的干扰信号如图1，经电源变压器耦合到次级，给整流电源带来干扰。采用双屏蔽变压器。变压器初、次级各绕有屏蔽层，对电源带来的高于50赫的干扰起旁路接地的作用，见图2。双屏蔽变压器，采用C型铁心绕制，效果较好。变压器的屏蔽层用铜箔包一层，须垫聚脂薄膜绝缘，铜箔头尾不能短路。要在变压器初、次级线包的内外层各绕一层。此外，可在电源进线部分加L、C网络如图3。图中电感线圈的感抗X\(_{L}\)=2πfL，它与频率f成正比，频率越高，感抗越大。根据这原理，线圈的电感量取2～10毫亨左右，对低频50赫感抗极小，对高频则感抗极大。高频干扰信号受到电感的阻挡，从电容器中旁路到地，不能进入变压器。
电感线圈的制作有两种方式，一种是在直径40毫米的胶木圆筒上用漆包线平绕250～300圈，线径根据负载电流决定，这种方式体积较大。另一种方式是从半导体收音机中的无线磁棒，MX—400—Y10×200型，用漆包线在上面平绕，以绕满为准。当负载增加时，导线加粗，会引起电感量减小，必须用几根磁棒相串，可根据实际调试后确定。这种办法，体积小，效果较好。
二、抑制来自强电回路和交流控制回路的干扰
电动机等电感性负载，在电源瞬时切断时会产生高于电源电压5～10倍的瞬间浪涌电压，在接触器的触点间产生火花，引起干扰。一般可在电路中接入RC吸收回路（图4），电源瞬时切断时，浪涌电压由电容器C储能、R衰减而消失，C取值0.1～2微法（耐压600伏左右），R取10～100欧（电阻功率一般为2～5瓦，如不受体积限制可适当增大功率）。
三、抑制来自直流电源的干扰
（1）高频瞬间干扰会叠加于直流电源而输出（如图5），直接影响电路的稳定性。对于这类干扰可以用加L、C网络抑制，如图6。线圈L的电感量在0.5～2毫亨范围内选取，两个电容器分别采用0.01微法和100微法组成高低频双通道退耦电容，叠加于直流电源的高频部分被电感阻塞，从电容器中旁路（有时为简化起见，网络中的L省去不用，只用两只电容）。
（2）用晶体管电路带动直流继电器再去控制交流接触器或电磁吸铁等时，强电回路中的瞬间高频脉冲可以从后级串扰到直流电源，叠加于直流电源之上。为避免这种现象，采用电源分组法；即晶体管电路的电源和直流继电器电源分开，使后级干扰影响不到前级晶体管电路。用于电源分组中的变压器也要求分开。
（3）直流稳压电源的稳定性对晶体管电路的正常工作有直接影响，要求在负载电流变化时，直流稳压电源输出电压变化极小。解决的办法可采用在直流稳压电源输出端串接二极管一只或数只，两端关联电容，如图7。输出电压经过二极管到负载，同时对电容器C\(_{2}\)充电，当A点电压低于B点0.3伏（硅管为0.7伏）时，二极管反向截止，电解电容C2经负载电阻而放电，放电时间应大于瞬间电压降低变化时间，C\(_{2}\)选用容量大一点的较好。
必须注意，因二极管有正向压降，如果将数只二极管串联使用，稳压电源电压应该相应提高，以保证额定输出电压值。
四、单元电路的抗干扰措施
（1）对于开关速度要求不很高，而对抗干扰要求较高的工业自动化控制装置，设计时可考虑适当提高饱和深度或截止偏压，不采用加速电容或改用集电极触发等方法。
（2）布线和元件之间，有时会产生电感性交联的干扰脉冲，这种干扰脉冲的特征是上部尖细、下部较宽，或正或负没有一定规律的宽度极窄的（数毫微秒）针形脉冲，见图8。这种干扰脉冲感应到单稳或双稳态电路的触发信号输入端，会使单稳或双稳态电路误翻转，造成功能失常。对这种针状干扰脉冲，可以用由硅二极管和电阻组成的“干扰隔离门”（见图9），串联在触发器输入端，来提高电路的抗干扰能力。这种“干扰隔离门”是利用硅二极管正向压降比较高的特性，使干扰脉冲受到阻挡；同时由于硅二极管的惰性，对持续时间在毫微秒级的干扰脉冲的衰减作用较强。用作“干扰隔离门”的二极管为保证对高频信号的惰性，应采用低频二极管。
（3）当用反相器驱使灵敏继电器动作来控制交流接触器等强电部分时，要求反相器导通时处于深饱和状态，截止时基极、发射极反向偏压大于1伏以上，才能稳定地工作。要加强反相器的抗干扰性能，必须分清反相器的工作状态；对于经常处于截止状态的反相器，可在基极、发射极间加抗干扰电容（图10a）；对于经常处于导通状态的反相器，抗干扰电容加在基极、集电极间（图10b）（NPN和PNP型加电容位置相同，）电容量在0.01～1微法之间选取。
有时为了减少电源种类，而又要使晶体管能可靠地截止，可在发射极串接见只二极管，提高发射极电位，晶体管截止时基极、发射极之间等于加了反向偏压，见图10c。
带动继电器的晶体管功率驱动级，在继电器断电时线圈产生自感电势，容易损坏三极管。在继电器线圈两端并联一只二极管，为反向自感电势提供一条通路以保护三极管。
（4）有时信号引线过长，途中有损耗和电场干扰，影响信号传输的准确性，可以用双稳态组成简易RS触发器作整形用，见图11。输入信号控制微动开关K动作，当触发器处于图11状态时，即使R端有干扰信号，由于S端电平稳定在-6伏，电路不会受干扰影响而翻转，反过来也一样。在两个晶体管基极之间加电容器C是为了防止瞬间干扰超过-6伏，或微动开关抖动使电路产生不必要的翻转而设置的。
（5）双稳态电路带动电容性负载能力较差，有时因负载重而引起两边不对称，触发之后会自动恢复原状。为克服这类问题，常用射极跟随器隔离后再带动负载，由于射极跟随器具有较高的输入阻抗，对双稳态的负载就大大减轻了。射极跟随器根据输出电平的需要，采用NPN或PNP两种极性相反的三极管，电路接法见图12。
（6）单稳态电路由于电源波动，周围干扰或晶体管元件本身的不稳定，都会引起单稳态的翻转，造成误动作。为消除电源的暂态波动，可采用单级稳压的方式。图13是一种抗干扰性能较好的单稳态电路，通常单稳态电路作延时用时，常采用增加R\(_{b1}\)·C充放电时间常数来增加延迟时间，但Rb1阻值增加会使常饱和晶体管BG1的基流减小，晶体管脱离深饱和区域，这是使电路不稳定的主要原因之一，图13的电路中增加了R\(_{b2}\)、D2、D\(_{3}\)等元件，当BG1导通、BG\(_{2}\)截止时，电流IRb2由D\(_{2}\)、BG1的b、e极、电源形成回路；增加了BG\(_{1}\)的基流。当BG1截止、BG\(_{2}\)导通时，IRb2由D\(_{3}\)、BG2的c、e极、电源成回路，不影响Rb\(_{1}\)·C放电时间，使单稳态能可靠地避免误触发。
五、其它措施
（1）尽量缩短相互间的连接线，交流、直流、强电、弱电布线应分开。（2）插件板之间信号传输，保持常态为高电平，防止小信号干扰。（3）送到各电路的总复零信号，用二极管隔离，防止插件板间相互干扰。（4）为防止杂散高频干扰，采用金属隔离线作为传输线。（上海第二建筑工程公司机械施工队）（方朝勇执笔）