我们知道，硅稳压管是利用它的PN结的反向击穿特性来稳压的。硅三极管也是用硅材料做成的，它的PN结的反向击穿区也有稳压性能。
通过多次试验发现，从平面型和外延平面型硅三极管中可以挑选出一些管子代替稳压管，这类管子的eb结的反向击穿电压一般在5～11伏左右；ec极之间的反向击穿电压（对NPN硅管而言，集电极接电源负极，发射极接电源正极）。一般接近于eb结的反向击穿电压。选管应注意：
1．并不是所有的硅三极管都能代替稳压管使用，有些管子耗散功率很小，就不能工作在反向击穿区。对于平面型和外延平面型硅功率三极管，例如3DG、3DK、3CG、3DA、3DD等，也只能从中挑选使用。但根据我们试验，上述的一类管子的eb结和ec结的反向击穿区，大多数是可以代替稳压管使用的。
2．这种代用稳压管，其稳定电压值随工作电流和环境温度的不同而变化，并且要比一般稳压管变化大一些。由于晶体管参数的分散性，即使是同一型号的硅三极管，其稳压值也不可能完全一致，使用时必须事先测试选择。
3．挑选时，稳压管的最大工作电流可根据所用管子的最大耗散功率来求出，例如：3DG4的最大耗散功率Pcm为300毫瓦，如果测得eb结的稳压值为7.5伏，则这个结的最大工作电流应小于40毫安。如果工作电流大于100毫安，则应考虑选用500毫瓦以上的中功率硅管或一瓦以上的大功率硅管，例如3DD或3DA一类了。
在业余条件下，挑选稳压管可以采用附图的线路。图中电源用15伏的稳压电源或者用干电池，如果是测NPN型硅三极管的eb结的稳压值，则可将被测三极管的发射极接在电路A点（相当于稳压管的负极），基极接B点（相当于稳压管的正极），电路中R和电位器W为限流电阻。因为AB两点的电压大于eb结的反向击穿电压，所以eb结反向击穿，从电压表上就可读出击穿电压值，从串联在电路里的电流表上可读出反向工作电流值。调整电位器W，电流表的指示也随着改变，这时观察电压表的变化，以稳压值变化越小越好。根据测试经验，当工作电流在10毫安以内变化时，每变化2毫安左右，稳压值一般变化1～2％。如果要测在较大工作电流时稳压值的变化，可适当将限流电阻减小。 （工人 刘钟林 刘旭芬）