晶体管的二次击穿和通常说的晶体管一次击穿（或称雪崩击穿）不同。一般认为，二次击穿是指当加在器件上的能量超过临界值时，器件内部出现“热点”，形成局部电流集中，这样反过来使“热点”更热，造成恶性的热电循环，使器件瞬间损坏。因此，二次击穿是一种不可逆的破坏性击穿。
二次击穿是所有的半导体器件都可能发生的一种击穿现象，但通常主要是指晶体管，尤其是大功率晶体管而说的。因为大功率晶体管结面积大，工作时温升高，特别是当晶体管存在电感性负载时，二次击穿造成的失效问题比较严重。因此，大功率晶体管的抗二次击穿能力，即所谓二次击穿耐量的大小，是规定大功率管安全工作区的一个重要因素，通常由制造厂在产品目录中给出。
晶体管发生二次击穿有下列三种情形（参看附图：晶体管V\(_{ce}\)－Ic曲线）：
1．正偏二次击穿；基极正向注入，如图中（F）曲线所示；
2．反偏二次击穿：基极反向偏置，如图中（R）曲线所示；
3．零偏二次击穿：基极开路，如图中（O）曲线所示。
我们现以零偏二次击穿为例说明二次击穿的过程。曲线开始时是平的，随V\(_{ce}\)电压的增加，Ic维持在I\(_{ceo}\)的水平。当Vce达到BV\(_{ceo}\)时，晶体管出现雪崩击穿，即一次击穿，这种击穿是可逆的，电压降低后，晶体管可以恢复到原来状态，不会损坏。但若一次击穿的电流Ic过大，达到I\(_{M}\)（0），遂以极快的速度向低电压大电流的低阻区转移，呈现负阻状态（即电压下降、电流增加），造成器件损坏，这就是二次击穿现象。
晶体管进入二次击穿到击穿损坏有一段时间上的延迟，因此可以通过保护措施来测试晶体管的二次击穿耐量。（田心）