为了使放大器合理地工作，必须给它设置适当的工作点，即选择一组合适的I\(_{b}\)、Ic和V\(_{ce}\)值。此外，由于晶体管的特性容易受温度的影响，当温度升高时，Iceo显著增加，而I\(_{c}\)=βIb＋I\(_{ceo}\)，所以Ic也随着增大，从而引起工作点的改变。因此，对放大器不仅要求能有适当的工作点，而且要求工作稳定。解决这些问题的电路，叫做直流偏置稳定电路，简称偏置电路。
固定偏置电路
这种电路见图1，是共发射极基本放大电路。如果E\(_{c}\)、Rb选定了，就能得到一个固定的偏流I\(_{b}\)和固定的Ic，所以叫做固定偏置电路。
固定偏置电路，只能提供一个固定的偏流I\(_{b}\)，不能起到补偿温度变化的影响的作用。它的优点是电路简单，所用零件较少。
一般情况下，E\(_{c}\)、Ic、R\(_{c}\)和β、Iceo等值都是预先根据放大器的工作要求确定了的。计算偏流I\(_{b}\)和偏流电阻Rb时，可利用以下公式：
I\(_{b}\)=Ec-V\(_{be}\)Rb……（1）
I\(_{c}\)=βIb+I\(_{ceo}\)……（2）
式中V\(_{be}\)是基极发射极之间的电压，由于加的是正向电压，Vbe数值很小（锗管一般为0.2伏左右，硅管一般为0.7伏左右），与E\(_{c}\)相比，可以忽略不计。所以
（1）式可化为I\(_{b}\)=EcR\(_{b}\)……（3）。
从（2）（3）两式，可算出I\(_{b}\)和Rb值。在实际应用时，还要调整R\(_{b}\)，得出较精确的Ic值。调整R\(_{b}\)的方法见图2。根据计算得出的Rb数值，选择一个适当的电位器W和一个固定电阻R，接在电路中R\(_{b}\)的位置。在Rc上串接一个毫安表。变动电位器W，使电表读数为预定的I\(_{c}\)值。然后，测出这时电位器和固定电阻的串联总值，用一只阻值相同的固定电阻换入电路，就调整好了。与电位器W串接一个固定电阻，是为了防止调整中因偏流过大而烧坏管子。
电压负反馈偏置电路
图3是一种电压负反馈偏置电路。与图1电路不同之处是将偏置电阻R\(_{b}\)接到了集电极c。从图3可以看出，ec间的电压，等于Veb加上R\(_{b}\)上的电压降IbR\(_{b}\)，即
V\(_{ec}\)＝Veb＋I\(_{b}\)Rb。
同样，可以看出
E\(_{c}\)＝Vec+I\(_{c}\)Rc。
从上面两式，可以算出R\(_{b}\)=（Ec-I\(_{c}\)Rc-V\(_{eb}\)）/Ib，由于V\(_{eb}\)很小，与Ec比可以忽略，并且I\(_{b}\)≈Ic/β，所以R\(_{b}\)≈（Ec－I\(_{c}\)Rc）β／I\(_{c}\)。
电路的负反馈过程是这样的：如果温度上升，引起I\(_{c}\)增大，那么电压降IcR\(_{c}\)也增加。由于Ec=V\(_{ec}\)+IcR\(_{c}\)，Ec是电源电压，相对来说是不变的，所以I\(_{c}\)Rc增大后，V\(_{ec}\)必须减小，才能维持Ec=V\(_{ec}\)+IcR\(_{c}\)这个等式。另外，上面已说过，Vec=V\(_{eb}\)＋IbR\(_{b}\)，所以在Vec减小时要保持V\(_{ec}\)＝Veb＋I\(_{b}\)Rb，V\(_{eb}\)就必然减小。但是Veb减小，就减小了正向偏压，必然引起I\(_{b}\)下降，Ib下降必然引起I\(_{c}\)下降，这样又把Ic拉回来了，达到了温度补偿的目的。这个循环过程可写成：
温度↑→I\(_{c}\)↑→IcR\(_{c}\)↑→Vec↓→V\(_{eb}\)↓→Ib↓→I\(_{c}\)↓
显然，要使负反馈效果好，就要求R\(_{c}\)足够大，这样才能引起Vec的足够变化，使V\(_{eb}\)有足够的下降，降低Ib，拉回I\(_{c}\)。用变压器作负载的放大器，由于变压器线圈的直流电阻较小，不能满足Rc足够大的要求，所以不适合采用这种电压负反馈的偏置方法。由于R\(_{c}\)要求有较大的阻值，所以Rb不能太大，否则建立不起合适的工作点。R\(_{b}\)太小，则使VebV\(_{ec}\)过大过小，也建立不起合适的工作点。一般取Rb＝（2～10）R\(_{c}\)。
电流负反馈偏置电路
这种电路如图4所示。与图1的区别，是在发射极e上串接了一个电阻R\(_{e}\)。
电路的负反馈过程是这样的：如果温度上升引起I\(_{c}\)增加，则发射极电流Ie也随着增加，使R\(_{e}\)上电压降IeR\(_{e}\)增加。从图4可以看出，Ec=I\(_{e}\)Re＋V\(_{eb}\)+IbR\(_{b}\)，Ec是电源电压，相对不变，所以I\(_{e}\)Re增加，必然引起V\(_{eb}\)下降，才能保持Ec＝I\(_{e}\)Re＋V\(_{eb}\)＋IbR\(_{b}\)这个关系式。Veb下降，引起I\(_{b}\)下降，这样就把Ic拉回来，达到温度补偿的目的。这个过程可写成：
温度↑→I\(_{c}\)↑→Ie↑→I\(_{e}\)Re↑→V\(_{eb}\)↓→Ib↓→I\(_{c}\)↓
显然，R\(_{e}\)越大，压降IeR\(_{e}\)的变化就越大，负反馈越强。但是，R3不能太大，否则在同样的E\(_{c}\)下，会使Vec降低太多，降低输出。一般取I\(_{e}\)Re≤1伏即可。这时R\(_{e}\)的数值为Rc的1/10～1/5。
典型的偏置电路
这种电路如图5所示，是最常用的偏置电路。它有下列两个稳定作用：
1．通过基极电阻R\(_{1}\)和R2的分压关系，在I\(_{b}\)与I2相比可忽略不计的条件下，可使基极电压V\(_{b}\)基本上固定（从图5中可看出，如果忽略Ib，那末I\(_{2}\)=I1+I\(_{b}\)=I1，V\(_{b}\)＝Ec-I\(_{1}\)R1，V\(_{b}\)=I2R\(_{2}\)，从这三个式子，可算出Vb＝E\(_{c}\)R2／（R\(_{1}\)＋R2），说明V\(_{b}\)只受Ec、R\(_{1}\)、R2的影响，只要E\(_{c}\)、R1、R\(_{2}\)确定，Vb就可保持固定）。
2．接入了R\(_{e}\)，所以有电流负反馈的补偿作用。如果Vb比V\(_{be}\)大很多，那末Ie=\(\frac{V}{_{b}}\)-VbeRe≈V\(_{b}\);Re。因此，V\(_{b}\)固定后， Ie也就相对固定。I\(_{e}\)能固定，Ie就可与晶体管的参数变化和温度变化几乎无关。
这种电路除了稳定作用较好以外，还有一个优点是R\(_{c}\)值取得小些也不影响稳定性，因此适合各种负载。
现在以图5电路为例，介绍低频小信号放大器的简易计算方法。
1．选择晶体管：一般低频小信号放大器对管子的要求不高，I\(_{ceo}\)不超过100μA（微安）、β在20至100间的管子都可以用。
2．电源电压E\(_{c}\)：不能超过晶体管的击穿电压，一般在4.5伏到18伏等数值中选用。
3．集电极电流I\(_{c}\)：可在0.5～2mA（毫安）间选择，功放级可用到3～10毫安。Ic小些可减少功率损耗和噪声，但I\(_{c}\)大小，会使β值显著减小。Ic的最大值不能超过管子的最大允许电流I\(_{CM}\)。
4．管压降V\(_{ce}\)：一般可选在Ec的\(\frac{1}{2}\)～2;3范围内。V\(_{ce}\)太小，管子可能工作于饱和区；Vce太大，会降低电压放大倍数。
5．发射极反馈电阻R\(_{e}\)：一般取Ve≤1伏即可。确定I\(_{c}\)后，可按Re≈\(\frac{V}{_{e}}\)Ic计算。
6．分压电阻R\(_{1}\)、R2：上面说过，希望I\(_{2}\)远大于Ib，所以要R\(_{1}\)R2小。但I\(_{2}\)越大，在R1R\(_{2}\)上损耗的功率也越大，对输入交流信号的旁路作用也增大，降低了输入信号。所以R1R\(_{2}\)要适当考虑，一般取I2≈10I\(_{b}\)就可以了（硅管可以更小些）。I2确定后，根据V\(_{b}\)≈Ve，不难求出
R\(_{2}\)≈VbI\(_{2}\)≈Ve;I\(_{2}\)≈IcR\(_{e}\)I2,
R\(_{1}\)≈Ec-V\(_{b}\)I2＝E\(_{c}\);Ic-R\(_{2}\)。
7．集电极负载电阻R\(_{c}\)：Rc大，则电压放大倍数高，但R\(_{c}\)上损耗也加大，而且容易产生失真。Rc太小，不但放大倍数降低，而且管子可能过负载而烧坏。一般选在几百欧到5千欧范围内。
8．电容C\(_{1}\)、C2、C\(_{e}\)：选用几十微法至几百微法的电解电容器，要求耐压数值稍高于电源电压。
例如，电源电压选为12伏，管子的β=60,I\(_{c}\)选为1毫安（0.001安），Vce选为6伏。按上述计算方法可计算出图5中各个电阻和电容的数值：
1．取V\(_{e}\)为0.7伏，则
R\(_{e}\)＝0.7(伏)1(毫安)＝0.7(伏);0.001(安)＝700欧，取标称值680欧。
2．R\(_{c}\)＝Ec-V\(_{ce}\)-VeI\(_{c}\)＝12-6-0.7;0.001＝5300欧＝5.3千欧,取标称值5.1千欧。
3．I\(_{b}\)≈Icβ＝1(毫安);60＝0.016毫安＝16微安。
4．I\(_{2}\)≈10Ib＝10×16＝160微安＝0.16毫安。
5．R\(_{2}\)＝VbI\(_{2}\)＝IcR\(_{e}\);I2＝1(毫安)×700(欧)0.16(毫安)＝4200欧＝4.2千欧，取标称值4.7千欧。
6．R\(_{1}\)＝EcI\(_{2}\)-R2＝12(伏);0.16(毫安)-4.2(千欧)＝70.8千欧，取标称值68千欧。
7．C\(_{e}\)取50微法，C1、C\(_{2}\)取10微法。
——金编