1．这里介绍的几种硅低频大功率三极管主要用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。
2．目前国内硅低频大功率管的生产主要是采用外延平面型和合金扩散型两类工艺（高反压管不在此类）。前者的特点是工作电流大，饱和压降低，具有一定的耐压能力，宜在大电流下工作。后者的特点是耐压和过载能力较强，但饱和压降较大，工作电流较小。由于两种工艺生产的管子的参数存在较大差别，所以封三表中将生产工艺给出，以便根据不同的需要加以选用。
3．表中所列参数是在一定测试条件下给出的。为保证晶体管正常使用，P\(_{CM}\)、ICM应小于规定值，特别是不应同时达到极限值。
大功率晶体管由于存在二次击穿现象，实际的直流安全工作区域小于晶体管的等功耗区域（见图1），使用时应特别注意，否则会损坏晶体管。图1中abcdefo所包括的部分为等功耗线区域；cde包括的部分为由于二次击穿现象使安全工作区减少的部分；斜线部分为晶体管实际安全工作区。使用时的散热装置，可根据使用功率、热阻、最高结温和壳温按下式自行设计。
P\(_{CM}\)=TjM-T\(_{C}\)RT
4．直流放大系数h\(_{FE}\)的分档色标一般如下：外延平面型为10～20（红）；20～30（黄）；大于30（绿）；合金扩散型10～20（红）；20～30（黄）；30～40（绿）；大于40（白）。色标位置：G型外壳在管帽顶端；F型外壳在管帽边缘。
5．大功率晶体管工作时，集电极加有一定的电压，通过较大的电流，消耗大量的功率，产生的热量使结温升高。这些热量必须迅速传到管心外面，否则晶体管就不能工作，甚至烧坏，因此热耗散是设计大功率晶体管必须注意的重要问题，除了在工艺上要有保证措施外，各厂在生产时还要考虑适合不同应用场合的需要。这样，相同功率的器件。可能有不同的外形，在选用时要注意。
合金扩散工艺的晶体管原来用圆形管壳，根据用户的要求和结合工艺的特点，现准备逐步过渡到F型外壳，采用F型外壳易于装架和焊接。
6．表中所列各管的参数指标，是按生产该种型号较典型的厂家的指标给出的，所以相同型号不同厂家的管子其参数略有出入。
7．表中所列参数的符号说明如下：
P\(_{CM}\)——集电极最大允许耗散功率；
I\(_{CM}\)——集电极最大允许电流；
R\(_{T}\)——热阻；
T\(_{jM}\)——最高允许结温；
T\(_{C}\)——壳温；
BV\(_{CEO}\)——基极开路，集电极——发射极反向击穿电压；
BV\(_{EBO}\)——集电极开路，发射极——基极反向击穿电压；
V\(_{CES}\)——共发射极电路，集电极——发射极饱和压降；
I\(_{CEO}\)——基极开路，集电极——发射极反向截止电流；
h\(_{FE}\)——共发射极直流放大系数；
I\(_{C}\)——外延平面管hFE下降到测试值的1/2时的集电极电流；合金扩散管h\(_{FE}\)下降到8时的集电极电流。
8．表中所列电参数，均以25℃为测试所需环境温度条件。
