几种国产硅NPN型晶体三极管的特性

——封三说明

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1.这里介绍的几种高反压硅管,适用于要求高反压的电子设备中,作开关及高频放大与振荡用。

2.表中所列各管的参数指标,是分别按照对各该型号具有代表性的厂标给出的。在选用时应注意各厂家的型号分档(即分为A、B、C等档)不同,所以同型号不同厂家出品的管子,其参数略有出入。

图1
图1 🔍原图 (643×361)

3.在同一型号中,有单晶或外延片两种不同材料制成的管子。一般说,单晶制成的平面型管与外延片制成的外延平面型管比较,饱和压降V\(_{CES}\)大,特性也差,但价格较便宜。表中除3DG3一种为平面型外,其余几种均为外延平面型。

4.各厂对直流放大系数h\(_{FE}\)的分档色标也有出入。一般表示法为10~35(黄);30~60(红);50~110(绿);90~160(蓝);大于150(白)。

5.表中参数是在一定测试条件下给出的。为保证管子正常使用,P\(_{CM}\)、ICM应小于规定值,特别是不应同时达到极限值。工作电压最好不要超过击穿电压值的1/2。

6.将管于接入电路应用时特别要注意NPN型管子的电源接法应与PNP型管子完全相反,否则即损坏。

7.允许在离晶体管管壳5毫米以上的引出线上用功率为45瓦的烙铁焊接,焊时用镊子或尖嘴钳夹住引出线根部,焊接时间不得超过10秒钟。

8.表中所列电参数,均以25℃为测试温度条件。

9.表中所列参数符号的意义请参看上期第23页。

10.本表所列各型管子的外形见附图所示。(王长福编)

图2
图2 🔍原图 (1030×1488)